Розкрити основні проблеми фізики напівпровідників в даний час
Відкриття сегнетоелектриків
жүктеу/скачать 52.95 Kb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- 7. Відкриття пєзоелектриків
| 6. Відкриття сегнетоелектриків
У 1920 р. була відкрита спонтанна (мимовільна) поляризація. Спочатку її виявили у кристалів сегнетової солі (NaKC 4 H 4 O 6 · 4H 2 O), а потім і в інших кристалів. Всю цю групу речовин назвали сегнетоелектрики (або ферроелектрікі). Детальне дослідження діелектричних властивостей цих речовин було проведено в 1930-1934 рр.. І.В. Курчатовим в ленінградському фізичному технікумі. Всі сегнетоелектрики виявляють різку анізотропію властивостей (сегнетоелектричні властивості можуть спостерігатися тільки уздовж однієї з осей кристала). У ізотропних діелектриків поляризація всіх молекул однакова, у анізотропних - поляризація, і отже, вектор поляризації в різних напрямках різні. В даний час відомо кілька сотень сегнетоелектриків. 7. Відкриття п'єзоелектриків У 1756 р. російський академік Ф. Епінус виявив, що при нагріванні кристала турмаліну на його гранях з'являються електричні заряди. Надалі цього явища було присвоєно найменування піроелектричного ефекту. Ф. Епінус припускав, що причиною електричних явищ, які спостерігаються при зміні температури, є нерівномірний нагрів двох поверхонь, що призводить до появи в кристалі механічних напружень. Одночасно він вказав, що сталість у розподілі полюсів на певних кінцях кристала залежить від його структури і складу, таким чином, Ф. Епінус підійшов впритул до відкриття п'єзоелектричного ефекту. П'єзоелектричний ефект в кристалах був виявлений в 1880 р. братами П. і Ж. Кюрі, спостерігали виникнення на поверхні пластинок, вирізаних при певній орієнтування з кристала кварцу, електростатичних зарядів під дією механічних напруг. Ці заряди пропорційні механічної напруги, змінюють знак разом з ним і зникають після його зняття. Освіта електростатичних зарядів на поверхні діелектрика і виникнення електричної поляризації всередині нього в результаті впливу механічного напруги називають прямим п'єзоелектричним ефектом. Поряд з прямим існує зворотний п'єзоелектричний ефект, що полягають в тому, що в пластині, вирізаної з п'єзоелектричного кристала, виникає механічна деформація під дією прикладеної до неї електричного поля; причому величина механічної деформації пропорційна напруженості електричного поля. Зворотний п'єзоелектричний ефект не слід змішувати з явищем електрострикції, тобто з деформацією діелектрика під дією електричного поля. При електрострикції між деформацією і полем існує квадратична залежність, а при п'єзоефекті - лінійна. Крім того, Електрострикція виникає у діелектрика будь-якої структури і відбувається навіть в рідинах і газах. жүктеу/скачать 52.95 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|