Повышение входного сопротивления истокового повторителя. BOOTSTRAPPING: What does it mean?
Author = Frank V. Hughes http://www.sm0vpo.com/_visitors/blocks/bootstrapping.htm
Bootstrapping involves the use of positive feedback from output to input of an amplifier, of nearly unity gain, in such a way that a particular point in the circuit is "pulled up as if by its own bootstraps"
The bootstrap technique is used to make a low value gate resistor Rg appear to have a much higher value as seen by the input signal.
With the addition of a large fixed capacitor C, connected from the source terminal of the transistor to the bottom end of Rg and to the junction of Rb1 and Rb2.
Assume link A-B is removed.
The input resistance seen by the signal Vin is now Rg plus the parallel combination of Rb1 and Rb2.
In a practical case it might be around 2.5Mohm.
If link A-B is connected; the change in signal current through Rg is almost zero, since there is no net change in voltage across it.
Rg behaves as if its resistance was infinitely large, in terms of its loading effect on the signal. The resistor seems to have infinite impedance although we know the real impedance of the resistor is low. If we call the voltage gain of the source follower Av and since the whole of the output is fed back through the capacitor C to the bottom of Rg, the actual AC voltage V1 across Rg must be given by the equation
The Ac current i1 through Rg is given by
So the effective shunt impedance of the gate bias network, as seen by the signal must be
Now let Rg = 2 Mohm and Av be 0.95
The apparent shunt resistance seen by the signal will be
Capacitor C1's reactance should be less than Rg's resistance at the lowest expected frequency.
This will ensure that the high input impedance is maintained at all signal frequencies.
The input resistance can be further raised by using the compound source follower with bootstrap.
A bipolar transistor is used as the load resistor of the FET, in place of resistor Rl.
T2 serves as a constant current device, i.e. one with a high apparent internal resistance which nevertheless has quite a low ohmic resistance from collector to ground.
The effect is to provide the FET with a very high dynamic load in its source circuit while maintaining a low ohmic resistance from source to ground .
This results in a voltage gain of around 0.99 c.f. 0.95 as previous.
Therefore the effective value
With the already high impedance of JFET and MOSFET devices anyway the need for "bootstrapping" is mostly unwarranted.
However this technique was used extensivley in vacuum tube and transistor circuits where the input signal device could only be very lightly loaded, i.e. photo tubes, condensor microphones, pulse forming networks etc.
But I thought the theory was good enough to revise again.
Далее:
http://www.radioscanner.ru/forum/topic27416-36.html
Simon: Недавно копаясь по старым "советским" справочникам БРЭА, наткнулся на любопытное решение УВЧ, применённое в аппарате "Ленинград-010С"...как раз интересующего диапазона 100-12500КГц...с высоким Rвх...по классической, каскодной схеме ...
Тут-же пришла идея "прикрутить" её(немного видоизменив) к Хлысту...
И вот что в итоге получилось у меня...
Резервы улучшения схемы:
1. Расширение рабочей полосы частот вверх можно достигнуть, поставив дроссель вместо коллекторного резистора выходного каскада.
2. Если земляной конец конденсатора блокировки базы транзистора VT2 оторвать от земли и перебросить на исток полевика, получится следящая обратная связь, расширяющая динимический диапазон.
По резервам улучшений схемы;
1. Нагрузкой вых. каскада является Тр-р(Дроссель) на конце линии, а резистор в коллекторе, всего навсего ФНЧ по питанию для пред. каскадов...
2. Насчёт переноса конденсатора...не уверен в расширении динамики,так как получается П.О.С...и ус. становится склонным к самовозбуждению(ИМХО).
Поправьте если не так...
Simon
На коллекторном резисторе выделяется весь выходной сигнал, вы его роль просто недооцениваете.
Еще прикинте, в каком режиме по постоянному току находится транзистор КТ610. При таком заданном токе и таком сопротивлении коллекторного резистора он тупо в насыщении. Измерьте напряжение коллектор-эмиттер. Оно всего ничего. При напряжении на эмиттере 6,7mA и сопротивлении эмиттерного резистора 120 Ohm ток эмиттера должен быть 56mA (закон Ома вспоминаем!). При таком токе и сопротивлении коллекторного резистора 1kOhm падение напряжения на коллекторном резисторе должно составить аж 56V. Это при питании 9V. И что остается на транзисторе? Если не хотите ставить дроссель, можно или уменьшить сопротивление коллекторного резистора до 100 Ohm или увеличить сопротивление эмиттерного до 300 Ohm.
По поводу ПОС не ПОС лучше не гадать, а попробовать. ПОС это когда сигнал идет с выхода на вход в фазе, а здесь это есть разве? Здесь получается что-то типа вольтдобавки, здесь динамически меняется напряжение питания ЭП.
Proffessor
Мы наверное не поняли друг,друга...
1. Ещё раз...коллекторной нагрузкой является Тр-р1(Др.1)...через него и течёт коллекторный ток КТ610А Iк=55мА...
А Резистор коллектора,есть ФНЧ питания пред каскадов...и его ток I= (12В-9В)1КОм=3мА...закон Ома...я пробовал "играть с ним"(резистором)...в диапазоне 75-2000 Ом, но оставил 1КОм, как оптимальный вариант...
Сопротивление коллектора КТ610А по постоянному току Rк=(12В-6,7В),055А=96 Ом
2. Теперь про ПОС...практически я не проверял...не охота снимать антенну ,уже хорошо закреплена...но теоретически ,если набросать графики, у меня получается вот что...
Simon
Да, действительно, неправ, коллекторный ток транзистора VT3 течет по кабелю и через резистор 1k не течет, поэтому вопрос снимается. По поводу включения защитных диодов не парьтесь, уровень суммарного сигнала с плетки настолько мал, что он никогда не откроет их, разве что молния вблизи шарахнет.
Simon, Proffessor В режимах первых транзисторов ошибка : ток истока ( стока) по данным падения на истоковом резисторе равен 10мА (?), но ток стока = току коллектора= (12-7,4)В/2кОм=1,5 мА ..... нестыковочка , ИМХО :). Еще имеется базовый ток третьего транзистора.
Более плоскую АЧХ можно получить и завалив НЧ ( уменьшить емкость в эмиттере). Т.к. нагрузка VT2 низкоомная , то лучше резистор зашунтировать дросселем. Про ненужность сложного транса на входе приемника я уже писал.
Ставьте импорт , разница даже с КП307 очень заметна , не в пользу СССР.
При больших перегрузках защитных диодов ( иногда бывают такие) и затворов полевиков, деградируют их шумовые качества.
Лучше ограничивать токи диодов защиты, установив резистор максимальной разумной величины "последовательно с антенной".
Там же, вариант ВУ.
Достарыңызбен бөлісу: |
