Узел управления вм


Диагностика и ремонт узла СР



бет3/3
Дата16.04.2016
өлшемі389 Kb.
#73358
түріАнализ
1   2   3
Диагностика и ремонт узла СР

Диагностику узла СР полезно провести до первого включения ВМ. После очистки от пыли де­талей узла и в первую очередь ТДКС производят осмотр печатной платы в зоне силовых элемен­тов и попутно определяют соответствие типу блок-схемы, способ включения ключевого транзистора и демпферного диода, а также выясняют, каким образом подается питание в схему.

Далее контролируют состояние ключевого транзистора омметром непосредственно на его выводах — переход К-Э не должен быть поврежденным. При этом необходимо учитывать, что па­раллельно ключевому транзистору подключен демпферный диод (или схема диодного модулятора из двух диодов), он также может быть поврежден, поэтому чтобы убедиться, что неисправен имен­но транзистор, можно диоды выпаять. Если сопротивление перехода отличается от нормального, то транзистор заменяют.

Аналогичным образом проверяют демпферный диод и ключевой транзистор в канале высо­ковольтной части, если узел СР выполнен по двухканальной схеме.

После замены дефектных деталей дополнительно проверяют отсутствие к.з. между цепями питания первичной обмотки и ОВ омметром непосредственно на выводах ТДКС. Наличие сопро-







тивления менее 0.5 кОм говорит о повреждениях в ТДКС или схемы дополнительного источника напряжения В+, возможен также дефект электролитического конденсатора фильтра.

На следующем этапе проверяют выходные выпрямители вторичных напряжений от ТДКС, для чего контролируют омметром сопротивление диодов, подключенных к обмоткам трансформа­тора и соответствующих электролитических конденсаторов, чтобы убедиться в отсутствии коротко­го замыкания в этах цепях.

В ходе проведенные проверок нет способа убедиться в исправности ТДКС без включения ВМ в рабочем режиме. Возможными неисправностями могут быть межвитковые замыкания в одной из обмоток или выход из строя высоковольтных выпрямительных диодов. Если нет полной увереннос­ти в отсутствии неисправностей в ТДКС, а такое опасение может возникнуть если был поврежден транзистор и конструкция ИП не имеет хорошей защиты от перегрузок, при этом можно предпол­ожить что происходило длительное воздействие большого тока на первичную обмотку, в результа­те чего она могла быть перегрета и возникли короткозамкнутые витки, то желательно провести дополнительную проверку работоспособности ТДКС.

Следует отметить, что при включении питания на схему после замены всех неисправных де­талей, при наличии короткозамкнутых витков в ТДКС произойдет повторное повреждение ключе­вого транзистора, а информации о причине неисправности не добавится.

Проверить ТДКС можно непосредственно в схеме пользуясь следующим приемом, основан­ным на том, что все токи и напряжения в схеме пропорциональны питающему напряжению В+, то есть принципиальное функционирование узла будет возможно даже при снижении его в несколько

раз.


Практически такую проверку осуществляют следующим образом. Отключают вывод питания ТДКС В+ от схем питания на печатной плате, разорвав соответствующую перемычку в этой цепи, или выпаяв, обычно имеющийся в цепи питания выходного каскада дроссель фильтра, затем под­ключают его к источнику питания с напряжением 12 — 24 В. Этим достигается эффект снижения во много раз рассеиваемой на транзисторе мощности, — она будет ниже допустимой даже при ра­боте на ТДКС с короткозамкнутыми витками. Затем включают питание и осциллографом контро­лируют форму сигнала на коллекторе ключевого транзистора — она должна быть похожей на изображенную на рис. 24 справа, то есть, должны присутствовать импульсы обратного хода в виде узких положительных полуволн синусоиды.

Если на рассматриваемой картине в промежутках между импульсами обратного хода присут­ствуют другие сигналы, напоминающие колебания, это свидетельствует о наличии короткозамкну­тых витков в одной из обмоток ТДКС или недостаточном насыщении тока в базе ключевого транзистора.

Несмотря на сильные в этом случае искажения сигналов можно, измеряя их амплитуду и полярность на всех обмотках осциллографом, восстановить коэффициенты трансформации в об­мотках, что поможет в дальнейшем при подборе аналога для замены ТДКС.

Замена ТДКС при наличии запасного не представляет сложности, но необходимо помнить, :. что после замены следует сделать контрольное измерение высокого напряжения, чтобы убедиться f в отсутствии его превышения.

Подбор аналогов при замене ТДКС представляет большую сложность в случае ремонта ВМ типа VGA, SVGA, так как их параметры, такие как коэффициент трансформации обмотки высоко­го напряжения, величина собственной емкости обмоток, а также возможность работы на повышен­ных частотах, не позволяют найти даже похожий вариант из серии телевизионных. В случае ремонта ВМ типа CGA и EGA такой подбор в большинстве случаев возможен.

| При повреждении ключевого транзистора и последующей его замене, если отсутствует ори-Р'гинальный, следует проявлять осторожность, особенно в случае ВМ, работающих на повышенных частотах строчной развертки. Подбор аналога при замене производят с учетом максимального им­пульсного напряжения на коллекторе, максимального тока коллектора и времени включения /вы­ключения (предельной рабочей частоты), а также максимальной рассеиваемой мощности.

После замены проверяют интенсивность разогрева радиатора ключевого транзистора и, ес­ли в течение 10 мин после включения в рабочем режиме температура будет выше нормальной (40 — 60 °С), то заменяют транзистор на другой, более подходящий. Естественно, это относится к случаю исправности всех деталей узла СР.

Если Вы не уверены в отсутствии других, еще не проявившихся неисправностей в узле CP


других, например БП, УУ, можно несколько облегчить режим работы выходного каскада снижен
ем амплитуды импульса обратного хода на коллекторе ключевого транзистора, подпаяв дополи
тельный конденсатор емкостью 2000 — 6000 пФ и высоким рабочим напряжением, в зависимое!
от типа ВМ, между его коллектором и эмиттером.

Для схем на рис. 30 и 31 использовать такой прием нет смысла, так как аналогичный резул


тат получается при изменении настройки соответствующих подстроенных резисторов. В люба
случае такие приемы позволяют проводить поиск неисправностей в режиме близком к рабочем),
что облегчает их нахождение наблюдением сигналов осциллографом и измерением напряжен»
вольтметром.

Попутно следует отметить, что возможность работы силовых схем узла СР во многом опре э деляется УУ и схемами защит. Для проведения проверки работоспособности в целом узла СР мм но временно блокировать некоторые сигналы, предварительно обеспечив вышеописанным методами выход из режимов перегрузки для силовых элементов.

После обеспечения возможности принципиальной работы узла СР производится проверка остальных частей схем во всех допустимых для данной модели ВМ режимах совместно с компьютером. При этом проверяют работу схем защит, возможность переключения режимов работы и действие транзисторных ключей в схемах коррекции линейности, а также прохождение сигналов
элементы схем регулировки размера строк.

Найденные при этом неисправности устраняют заменой соответствующих элементов, после чего производят восстановление схемы, т.е. снимают установленные во время проверки конден саторы, устанавливают выпаянные перемычки и т.д. На окончательном этапе производят провер- . ку действия всех органов управления на передней панели ВМ и регулировку необходимы! подстроенных элементов на плате. Необходимым этапом проверки узла СР является контроль теп ' лового режима ключевого транзистора, желательно в течение одного часа.

В заключение следует кратко остановиться на работах по замене ЭЛТ. Такая необходимость возникает крайне редко, так как ЭЛТ представляет собой изделие, выполненное по технологии изготовления электровакуумных приборов и имеет высокую надежность. На практике очень редко бывают случаи потери эмиссии в электронных пушках даже после длительного срока эксплуатации Однако такая необходимость все же встречается, например, в случае неосторожного обращенш или механических повреждений.

Замена ЭЛТ в случае установки той же марки не представляет сложности, но при наличии другого типа может вызвать большие трудности. Сложности обусловлены в большей степени отли­чием в параметрах применяемых отклоняющих систем, а именно, индуктивности катушек, необхо­димого количества ампер-витков и К.П.Д. системы. В последних моделях ВМ (с индексом LR, что означает Low Radiation) часто применяются ЭЛТ с ОС, имеющей высокий К.П.Д, что приводит снижению мощности, потребляемой выходным каскадом СР. По этой причине замена такой ЭЛТ на более старый тип может привести к перегрузке ключевых элементов в выходном каскаде ил» недопустимой перегрузке ИП. Такая перегрузка может проявиться косвенно через повышение ра­бочей температуры силовых элементов из-за малых размеров радиаторов охлаждения, что приве­дет, например, к ухудшению надежности транзисторов вследствие снижения их предельных параметров с ростом температуры корпуса.



Кроме того, потребуются изменения в цепях коррекции линейности, управления размером строк и уточнение величины емкости, определяющей длительность обратного хода.

Из вышесказанного можно сделать вывод, что установка ЭЛТ другого типа не всегда может быть успешной и надо стремиться найти для замены оригинальную.

Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3




©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет