Экзаменационные вопросы.
-
Основные соотношения СВЧ-электроники Основные соотношения СВЧ-электроники
(ур-ние Ньютона-Лоренца, полная энергия движения электрона в стационарных и СВЧ полях.
Специфика ЭВП СВЧ, понятие угла пролета электрона).
-
Полный ток в промежутке между электродами. Понятие конвекционного и наведенного
токов. Теорема Шокли-Рамо о наведенном токе.
-
Приборы с электростатическом принципом управления. Влияние времени пролета на
работу электронных ламп. Принцип динамического управления электронным потоком.
Приборы с динамическим управлением. Приборы с кратковременным взаимодействием электронного потока с СВЧ полем.
-
Двухрезонаторный пролетный клистрон ( принцип действия, скоростная модуляция
электронного потока, коэффициент электронного взаимодействия.).
-
Кинематическая теория группирования электронов. Конвекционный ток в сечении вто
рого резонатора. Влияние пространственного заряда эл. потока на процессы группирования.
-
Наведенный ток выходного резонатора 2-х резонаторного пролетного клистрона.
Мощность колебаний в выходном резонаторе. Параметры и характеристики двухрезонаторного
пролетного клистрона ( коэффициент усиления по мощности, к.п.д., амплитудная и амплитуд
но-частотная характеристики).
-
Многорезонаторные клистроны. Принцип действия на примере 3-х резонаторного
клистрона. Параметры и характеристики многорезонаторных клистронов ( коэффициент усиле
ния по мощности, к.п.д.. амплитудная и амплитудно-частотная характеристики). Область при
менения.
-
Отражательный клистрон (О.К). Принцип действия, группирование электронов в О.К.,
конвекционный и наведенный ток в сечении резонатора .
-
Основные уравнения работы диодного автогенератора и анализ работы О.К. на их ос-
нове( электронная проводимость резонатора О.К., условия самовозбуждения, пусковой ток,
уравнения баланса амплитуд и фаз.).
10. Мощность в нагрузке О.К. .К.п.д. О.К.. Частота колебаний О.К.. Крутизна электрон
ной перестройки. Применение О.К..
Приборы с длительным взаимодействием электронного потока с СВЧ полем.
Приборы О-типа.
11 .Понятие фазовой и групповой скоростей волны. Понятий дисперсионной характеристики.
-
Широкополосные замедляющие системы( назначение, виды и разновидности). Пред
ставление эл. магн. поля периодической структуры в виде суммы пространственных гармоник.
-
Лампа бегущей волны (ЛБВ) (принцип действия).
-
Линейная теория работы ЛВВ (вывод дисперсионного ур-ния и следствия, выте
кающие из его анализа).
-
Параметры и характеристики ЛВВ( коэффициент усиления по мощности, к.п.д., ам
плитудная и амплитудно-частотная характеристики. Область применения ЛВВ .
-
Лампа обратной волны (принцип действия, основные параметры и характеристики,
область применения).
Приборы типа М.
17. Движение электронов в скрещенных статических эл. и магн. полях,
-
Движение электрона в скрещенный статических эл. и маги, полях при наличии СВЧ
поля.
-
Энергетические особенности взаимодействия СВЧ-поля и электронов в приборах ти-
паМ. Условие фазового синхронизма.
-
Лампа бегущей волны типа М (конструкция, принцип действия и основные характери
стики).
-
Многорезонаторный магнетрон. Конструкция и принцип действия.
-
Условия самовозбуждения магнетрона. Диаграмма рабочих режимов.
-
Основные параметры и характеристики магнетрона (ВАХ, к.п. д., выходная мощ
ность, частота колебаний). Область применения. Амплитрон. Стабилитрон.
Полупроводниковые приборы СВЧ.
24 . Энергетический спектр электронов в полупроводниках. Понятие эффективной массы.
-
Понятие дрейфовой скорости. Движение носителей тока в полупроводниках под дей
ствием сильных эл. полей.
-
Ударная ионизация. Скорость и коэффициент ударной ионизации.
-
Основные уравнения полупроводниковой электроники.
-
Лавинно-пролетный диод (ЛПД). Конструкция и статические характеристики.
-
Возникновение отрицательного сопротивления в ЛПД. Малосигнальная эквивалентная
схема.
-
Работа Г ЛПД в режиме большого сигнала (IMPATT-режим). Основные характеристи
ки работы ГЛПД (мощность, к. п. д., частота).
-
Работа ГЛПД в ТRАРАТТ- режиме. Принцип работы. Характеристики и область при
менений современных ЛПД.
-
Эффект Ганна.
-
Виды неустойчивостей в образцах с отрицательной дифференциальной проводимо-
стью( обогащенный слой, эл. домен сильного поля). Условие Кремера.
-
Генератор на диоде Ганна (ГДГ). В АХ образца с доменом. Основные режимы работы
ГДГ( пролетный и доменный режимы).
-
Гибридный и ОНОЗ режимы работы ГДГ.
-
Эквивалентная схема ГДГ и его основные хар-ки ( мощность, к,п.д., частота). Об
ласть применения.
Достарыңызбен бөлісу: |