Сабақ тақырыбы Транзисторды зерттеу Жалпы мәліметтер Курс
жүктеу/скачать 262.69 Kb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- ОҚУ САБАҒЫНЫҢ ЖОСПАРЫ №40
- ОН 4.4 Жұмыс процесінде сынақтар жүргізе отырып, радиоэлектрондық аппаратураны механикалық және электрлік монтаждауды және бақылауды жүзеге асыру.
- Жалпы мәліметтер Курс Оқу жылы
- 2. Мақсаты, міндеттері
- 3. Оқу-жаттығу процесінде білім алушылар меңгеретін күтілетін нәтижелер және (немесе) кәсіби дағдылар тізбесі 1.
- Қажетті ресурстар Оқу-әдістемелік құрал-жабдықтар, анықтамалық әдебиеттер
- Техникалық құралдар, материалдар
- 5. Сабақтың барысы Ұйымдастыру кезеңі
- Жаңа тақырыпты түсіндіру Жоспар
- Сабақ бойынша бағалау-өлшеу материалдары, бағалау парақтары, жұмыс дәптері ( қағазжәне электрондық форматта)
- ЖҰМЫС ДӘПТЕРІ №40 Тақырыбы: Транзисторды зерттеу Жоспар
|
«МАНАП ӨТЕБАЕВ АТЫНДАҒЫ ЖОҒАРЫ ЖАҢА ТЕХНОЛОГИЯЛАР КОЛЛЕДЖІ» МКҚК
ОҚУ САБАҒЫНЫҢ ЖОСПАРЫ №40 (теориялық немесе өндірістік оқыту)
ЖҰМЫС ДӘПТЕРІ №40 Тақырыбы: Транзисторды зерттеу Жоспар: Транзисторлардың классификациясы Биполярлы транзисторлар Транзистордың жұмыс атқару негіздері Транзисторлардың классификациясы Транзисторлар негізгі екі класқа бөлінеді – биполярлы (БТ) және өрістік – (арналық) транзисторлар. Сонымен қатар жартылай өткізгіштер қандай материалдан жасалғанына байланысты кремний немесе германий негізінде деп бөлінеді. Транзисторлардың классификациясы 12.1-кестеде келтірілген. Айта кету керек бұл классификацияларды одан да әрі де құрамдастыруға болады, мысалы, төменгі жиілікті қуатты беру транзисторлары немесе төменгі деңгейде шуылдайтын (шулы) жоғары жиіліктік транзисторлар. 12.2. Биполярлы транзисторлар Биполярлы транзисторлар әдетте, кремний немесе германий материалдарында n pn немесе pn p ауысуларын қамтамасыз етеді. Қоспасы бар кремнийдің кристалл пластинасының бір бөлігі сызбада көрсетілген. Жартылай өткізгіштердің ішіне кейбір қоспаларды фотографиялық перде тәсілімен енгізу арқылы өткелдер құралады. Кремний транзисторларының германий транзисторларымен салыстырғанда қолданатын жерлері әлдеқайда көп, әсіресе, жоғары температурада, олай болса, германий құрылғылары қәзіргі кездегі электрондық құрылғыларда сирек кездеседі. Транзистор қазіргі кездегі микроэлектроника құрылғыларының негізгі элементі болып табылады. Бүгін транзисторлар өмірімізде түпкілікті орын алды. Аналогты және сандық құралдар құрамында бола отырып, олар электр құралдарының негізі болып саналады. 12.1-сурет пен 12.2-суреттерде n pn және pn p транзисторларының құрылымдары (конструкциясы) келтірілген. Өткелден жылуды алып тастау үшін (орта және жоғары күштік тізбекте өте маңызды) коллектор транзистордың металл корпусымен жалғанған. n pn және pn p ауысуларының символдары мен транзистордың жеңілдетілген үлгілері 12.3-суретте келтірілген. Транзистордың құрылымында база аймағының n pn (транзисторлары үшін p -типті материал немесе pn p транзисторы үшінn -типті материал) өте тар екенін айта кету керек. 12.3. Транзистордың жұмыс атқару негіздері 12.4 (а)-суретте n pn транзистордына жұмыс істеу негіздері көрсетілген: (а) n типті эмиттердегі негізгі заряд тасымалдаушыларға электрондар жатады. (b) База-эмиттер өтуі негізгі тасымалдаушыны тура бағытта ығыстырады, сонда электрондар өткелден өтіп, база аймағында пайда болады. (с) Өте жіңішке база-аймағында кемтік өте төмен қоспаланған, сондықтан олар кейбір рекомбинацияларға ұшырап жатады, алайда, электрондардың көбі база аймағында қала береді. (d) База-коллектор өткелі кері бағытқа ығысқан, сонда база аймақтарында кемтіктер ал коллектор аймағында электрондар пайда болады, содан кейін база аймағында электрондар пайда болуы үшін тура бағытқа ығысады; бұл электрондар коллектор қысқыштарының оң потенциалын тартып алады (е) База-аймағындағы электрондардың көбі коллектор аймағында база-коллектор өткелінен өтіп отырады, сөйтіп коллекторда ток түзіле бастайды. n pn транзисторының жұмыс істеуі негізі 12.5 (а)-суретте келтірілген. Әдетте токтың бағыты кемтіктің қозғалысымен алынады, яғни оның бағыты электрондар ағынының бағытына қарама-қарсы. Эмиттерден шығып жатқан электрондардың 99.5% база-коллектор өткелінен өткенде, олардың тек 0.5% ғана өте тар база аймағында кемтікке айналады. pn p транзистордағы жұмыс істеу принципі: 12.4 (b) -суретте көрсетілгендей транзистор жұмыс істеу үшін келесі шарттар орындалу керек: а) Эмиттер материалындағы негізгі тасымалдаушылар – кемтіктер. (b) База-эмиттер негізгі тасымалдаушыларды тура бағытта ығыстырады, сөйтіп, кемтіктер өткелден өтіп, база аймағында пайда болады. (с) База аймағы өте жұқа және электрондармен өте төмен қоспаланған кейде электрондар кемтіктермен жұптарды түзе алғанымен база аймағында сонда да кемтіктер көп. (d) База аймағында электрондардың, ал коллектор аймағында қайтадан кемтіктер болу үшін база-қоллектор өткелі кері бағытталған, бірақ кемтіктер тура бағытта ығысқан; Бұл кемтіктер коллектор қысқыштарының теріс потенциалын өзіне тартада. (е) База аймағындағы кемтіктің біраз көп бөлігі база-коллектор өткелінен өтіп, коллектор аймағына жетеді, сөйтіп коллекторда токты түзеді, әдетте токтың бағыты кемтіктің қозғалыс бағытымен сәйкес келеді. 12 (b) -суретте pn p транзистордың жұмыс істеу принципі келтірілген. Эмиттерден шыққан 99.5 % кемтіктер базаколлекторының өткелінен өтеді, алайда, 0.5% кемтіктер өзгеріске ұшырап, электронмен өте жіңішке база аймағын құрайды. жүктеу/скачать 262.69 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||