Учебно-методический комплекс по дисциплине методы элементного и структурного анализа для студентов групп Т7-38, Е7-02



Дата07.07.2016
өлшемі117.54 Kb.
учебно-методический комплекс по дисциплине

МЕТОДЫ ЭЛЕМЕНТНОГО И СТРУКТУРНОГО АНАЛИЗА

для студентов групп Т7-38, Е7-02

часть 1.

Темы домашних заданий

7 семестр

Вариант 1

1. Найти отношение диференциальных сечений рассеяния иона Не с энергией 1 МэВ на атоме Со на угол 35 градусов в л.с.к. для кулоновского и обратноквадратичного потенциала.

2. Найти дифференциальное сечение рассеяния на угол 450 в л.с.к. иона аргона с энергией 100 кэВ на атоме ниобия.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления YBa2Cu3O7 (плотность 5,8 г/см3, Es = 5 эВ) ионным пучком неона c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 10 кэВ.

4. Рассчитать в серебре (плотность 10,5 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов кислорода с энергией 10 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 10 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения CuK.



Вариант 2

1. Найти отношение диференциальных сечений рассеяния иона Не с энергией 1,2 МэВ на атоме Mо на угол 135 градусов в л.с.к. для кулоновского и обратноквадратичного потенциала.

2. Найти дифференциальное сечение рассеяния в барнах (1 барн = 10-24 см2) на угол 300 в л.с.к. иона кислорода с энергией 10 кэВ на атоме иттрия.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления YBa2Cu3O7 (плотность 5,8 г/см3 , Es = 5 эВ) ионным пучком кислорода c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 20 кэВ.

4. Рассчитать в в кремнии (плотность 2,33 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов бора с энергией 10 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 10 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения CuK.



Вариант 3

1. Найти отношение диференциальных сечений рассеяния иона He с энергией 0,8 МэВ на атоме Li на угол 90 градусов в л.с.к. для кулоновского и обратноквадратичного потенциала.

2. Найти дифференциальное сечение рассеяния в барнах (1 барн = 10-24 см2) на угол 600 в л.с.к. иона бора с энергией 60 кэВ на атоме кремния.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления YBa2Cu3O7 (плотность 5,8 г/см3 , Es = 5 эВ) ионным пучком аргона c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 5 кэВ.

4. Рассчитать в германии (плотность 5,32 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов фосфора с энергией 10 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 10 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения CuK.



Вариант 4

1. Найти отношение диференциальных сечений рассеяния иона Н с энергией 0,6 МэВ на атоме Na на угол 160 градусов в л.с.к. для кулоновского и обратноквадратичного потенциала.

2. Найти дифференциальное сечение рассеяния в барнах (1 барн = 10-24 см2) на угол 600 в л.с.к. иона фосфора с энергией 120 кэВ на атоме германия.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления YBa2Cu3O7 (плотность 5,8 г/см3 , Es = 5 эВ) ионным пучком гелия c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 50 кэВ.

4. Рассчитать в галлии (плотность 5,91 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов фосфора с энергией 10 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 10 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения CuK.



Вариант 5

1. Найти отношение диференциальных сечений рассеяния иона C с энергией 3,8 МэВ на атоме C на угол 75о в л.с.к. для кулоновского и обратноквадратичного потенциала.

2. Найти дифференциальное сечение рассеяния в барнах (1 барн = 10-24 см2) на угол 60о в л.с.к. иона гелия с энергией 5 кэВ на атоме меди.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления Nb3Sn (плотность 7,6 г/см3, Es = 5,3 эВ) ионным пучком неона c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 10 кэВ.

4. Рассчитать в меди (плотность 8,93 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов гелия с энергией 20 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 20 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения МоK.



Вариант 6

1. Построить индикатрису рассеяния (зависимость дифференциального сечения рассеяния в барнах от угла рассеяния в полярных координатах) иона водорода с энергией 1 МэВ на атоме бериллия (1 барн = 10-24 см2).

2. Рассчитать тормозную способность меди для иона неона с энергией 10 кэВ.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления Nb3Sn (плотность 7,6 г/см3 , Es = 5,3 эВ) ионным пучком аргона c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 30 кэВ.

4. Рассчитать в ниобии (плотность 8,58 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов гелия с энергией 20 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 20 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения МоK.



Вариант 7

1. Найти энергию атома углерода после рассеяния на нем иона аргона на угол 150, имевшего перед процессом рассеяния энергию 100 кэВ.

2. Рассчитать тормозную способность олова для иона неона с энергией 30 кэВ.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления Nb3Sn (плотность 7,6 г/см3 , Es = 5,3 эВ) ионным пучком неона c j0 = 200 мкА/см2 и энергией 20 кэВ.

4. Рассчитать в олове (плотность 5,76 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов неона с энергией 10 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 10 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения CuK.



Вариант 8

1. Найти энергию атома бериллия после рассеяния на нем иона неона на угол 150, имевшего перед процессом рассеяния энергию 300 кэВ.

2. Рассчитать тормозную способность ниобия для иона аргона с энергией 20 кэВ.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления Al2O3 (плотность 4,05 г/см3 , Es = 4,8 эВ) ионным пучком неона c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 10 кэВ.

4. Рассчитать в иттрии (плотность 4,48 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов неона с энергией 10 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 10 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения CuK.



Вариант 9

1. Найти угол отдачи атома алюминия после рассеяния на нем иона аргона на угол 400.

2. При какой энергии иона аргона он будет иметь максимальные ядерные удельные потери энергии в ниобии?

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления Al2O3 (плотность 4,05 г/см3 , Es = 4,8 эВ) ионным пучком аргона c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 10 кэВ.

4. Рассчитать в иттрии (плотность 4,48 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов неона с энергией 20 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 20 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения МоK.



Вариант 10

1. Найти угол отдачи атома кремния после рассеяния на нем иона мышьяка на угол 200.

2. Рассчитать в эВ/А максимально возможные ядерные удельные потери энергии неона в YBa2Cu3O7 (плотность 5,8 г/см3).

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления углерода (плотность 2,27 г/см3 , Es = 6,2 эВ) ионным пучком углерода c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 20 кэВ.

4. Рассчитать в углероде:

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов углерода с энергией 20 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 20 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения МоK.



Вариант 11

1. Найти энергию атома меди после рассеяния на нем на угол 300 иона ксенона с энергией 10 кэВ.

2. Найти отношение дифференциальных сечений рассеяния на угол 450 иона гелия с энергиями 15 кэВ и 1,5 МэВ на атоме ниобия.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления SiO2 (плотность 2,65 г/см3 , Es = 4,3 эВ) ионным пучком углерода c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 20 кэВ.

4. Рассчитать в кремнии (плотность 2,33 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов углерода с энергией 20 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 20 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения МоK.



Вариант 12

1. Построить индикатрису рассеяния (зависимость дифференциального сечения рассеяния в барнах от угла рассеяния в полярных координатах) иона водорода с энергией 1 МэВ на атоме бериллия (1 барн = 10-24 см2).

2. При какой энергии иона аргона будет иметь место равенство ядерных и электронных удельные потери энергии в ниобии?

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления SiO2 (плотность 2,65 г/см3 , Es = 4,3 эВ) ионным пучком аргона c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 20 кэВ.

4. Рассчитать в ниобии (плотность 8,58 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов неона с энергией 20 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 20 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения МоK.



Вариант 13

1. Найти отношение диференциальных сечений рассеяния иона Н с энергией 3,8 МэВ на атоме C на угол 75 градусов в л.с.к. для кулоновского и обратноквадратичного потенциала.

2. Рассчитать тормозную способность ниобия для иона неона с энергией 20 кэВ.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления Al2O3 (плотность 4,05 г/см3 , Es = 4,8 эВ) ионным пучком аргона c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 100 кэВ.

4. Рассчитать в золоте (плотность 19,28 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов кислорода с энергией 10 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 10 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения CuK.



Вариант 14

1. Найти угол отдачи атома алюминия после рассеяния на нем иона аргона на угол 150.

2. Найти отношение дифференциальных сечений рассеяния на угол 300 иона углерода с энергиями 10 кэВ и 10 МэВ на атоме меди.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления SiO2 (плотность 2,65 г/см3, Es = 4,3 эВ) ионным пучком фосфора c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 50 кэВ.

4. Рассчитать в кремнии (плотность 2,33 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов фосфора с энергией 50 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 50 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения CrK.



Вариант 15

1. Построить индикатрису рассеяния (зависимость дифференциального сечения рассеяния в барнах от угла рассеяния в полярных координатах) иона лития с энергией 3 МэВ на атоме бора.

2. Рассчитать тормозную способность ниобия для иона неона с энергией 200 кэВ.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления YBa2Cu3O7 (плотность 5,8 г/см3, Es = 5 эВ) ионным пучком неона c j0 = 100 мкА/см2 и энергией 10 кэВ.

4. Рассчитать в серебре (плотность 10,5 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов кислорода с энергией 20 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 20 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения CuK.



Вариант 16

1. Найти энергию атома бериллия после рассеяния на нем иона неона на угол 100, имевшего перед процессом рассеяния энергию 100 кэВ.

2. Рассчитать тормозную способность ниобия для иона аргона с энергией 50 кэВ.

3. Рассчитать в А/с скорость ионного травления SiO2 (плотность 2,65 г/см3 , Es = 4,3 эВ) ионным пучком аргона c j0 = 150 мкА/см2 и энергией 10 кэВ.

4. Рассчитать в молибдене (плотность 10,22 г/см3):

а) средний траекторный пробег в ангстремах ионов неона с энергией 20 кэВ;

б) средний траекторный пробег в микронах электронов с энергией 20 кэВ;

в) исходя из 100-кратного ослабления, пробег в микронах квантов излучения МоK.



Вариант 17

1. Найти отношение интенсивностей ионов неона с энергией 50 кэВ, рассеянных на угол 15о от монослоя углерода.

2. Какова будет толщина пленки олова на коллекторе 2х2 мм, расположенном на расстоянии 100 мм от Sn-образца под углом 45о к нормали к поверхности при облучении этого образца ионами неона с энергией 5 кэВ в течение 10 часов? Параметры ионного пучка: диаметр 1 мм; ток 10 мкА, облучение выполняется по нормали к поверхности образца; плотность олова – 5,76 г/см3, Es = 5,8 эВ.

3. На Bi2Ca2Sr2Cu3O8 – образец (плотность – 4,6 г/см3) нанесена золотая пленка толщиной 10 нм. Какова должна быть минимальная энергия электронного пучка, облучающего этот образец, чтобы генерировалось излучение CuK?

4. Исходя из 100-кратного ослабления, рассчитать в SiO2 (плотность 2,65 г/см3) пробег в микронах квантов излучения CuK.

Вариант 18

1. Найти отношение интенсивностей рассеянных на угол 15о ионов неона с энергией 5 МэВ от монослоя углерода.

2. Какова будет толщина пленки углерода на коллекторе 2х2 мм, расположенном на расстоянии 100 мм от углеродного образца под углом 45о к нормали к поверхности при облучении ионами неона с энергией 10 кэВ в течение 10 часов? Параметры ионного пучка: диаметр 1 мм; ток 10 мкА, облучение выполняется по нормали к поверхности образца; плотность углерода – 3,52 г/см3, Es = 5 эВ.

3. На Mo2Si-образец нанесена пленка Bi2Ca2Sr2Cu3O8 (плотность 4,6 г/см3) толщиной 1000 А. Какова должна быть минимальная энергия электронов, облучающих такой образец, чтобы генерировалось излучение МоК?

4. Углеродный образец облучается рентгеновским излучением CuK и электронами с той же энергией. Найти отношение пробега рентгеновских квантов (исходя из 100-кратного ослабления интенсивности рентгеновского излучения) к траекторному пробегу электронов.

Вариант 19

1. Построить индикатрису рассеяния (зависимость d/d от угла рассеяния в полярных координатах) ионов аргона с энергией 100 кэВ на атоме углерода.

2. YBa2Cu3O7 (плотность 5,8 г/см3) пленка нанесена на подложку из Al2O3 . Какова должна быть толщина пленки, чтобы электроны с энергией 3 кэВ, бомбардирующие этот образец, не могли возбудить излучение AlK с длиной волны 8,34 А?

3. Найти отношение скоростей травления GaAs (плотность 5,31 г/см3, Es = 2,8 эВ) ионами бора с энергиями 50 кэВ и 5 МэВ.

4. Определить энергетические параметры пучка ионов гелия с энергией 2 МэВ после прохождения пленки меди (плотность 8,93 г/см3) толщиной 50 нм.

Вариант 19

1. Построить индикатрису рассеяния (зависимость d/d от угла рассеяния в полярных координатах) ионов неона с энергией 100 кэВ на атоме бора. Чему равно сечение при  = 5о.

2. Bi2Ca2Sr2Cu3O8 (плотность 4,6 г/см3) пленка нанесена на подложку из Al2O3 . Какова должна быть толщина пленки, чтобы электроны с энергией 10 кэВ, бомбардирующие этот образец, не могли возбудить излучение AlK с длиной волны 8,34 А?

3. Найти отношение скоростей травления GaAs (плотность 5,31 г/см3, Es = 2,8 эВ) ионами фосфора с энергиями 50 кэВ и 5 МэВ.

4. Определить энергетические параметры пучка ионов гелия с энергией 20 кэВ после прохождения пленки меди (плотность 8,93 г/см3) толщиной 50 нм.

Вариант 20

1. Пучок ионов гелия с энергией 2 МэВ бомбардирует серебряную фольгу толщиной один монослой по нормали к её поверхности. Какая часть пучка не пройдет фольгу?

2. Какова будет толщина пленки ниобия на коллекторе 2х2 мм, расположенном на расстоянии 100 мм от Nb-образца под углом 45о к нормали к поверхности при облучении этого образца ионами неона с энергией 5 кэВ в течение 10 часов? Параметры ионного пучка: диаметр 1 мм; ток 10 мкА, облучение выполняется по нормали к поверхности образца; плотность ниобия – 8,58 г/см3, Es = 5,9 эВ.

3. Образец из SiO2 (плотность 2,65 г/см3) облучается рентгеновским излучением CrK и электронами с той же энергией. Найти отношение пробега рентгеновских квантов (исходя из 100-кратного ослабления интенсивности рентгеновского излучения) к траекторному пробегу электронов.

4. Какова должна быть минимальная мощность, подводимая к прямонакальному катоду из W-проволоки диаметром 0.5 мм и длиной 1 см, чтобы обеспечить с него плотность тока электронной эмиссии 4 А/см2?

Вариант 21

1. Найти отношение интенсивностей ионов неона с энергией 100 кэВ, рассеянных на угол 10о от монослоя углерода.

2. Какова будет толщина пленки олова на коллекторе 2х2 мм, расположенном на расстоянии 100 мм от Sn-образца под углом 45о к нормали к поверхности при облучении этого образца ионами аргона с энергией 10 кэВ в течение 10 часов? Параметры ионного пучка: диаметр 1 мм; ток 10 мкА, облучение выполняется по нормали к поверхности образца; плотность олова – 5,76 г/см3, Es = 5,8 эВ.

3. На Mo2Si-образец нанесена пленка YBa2Cu3O7 (плотность 5,8 г/см3, Es = 5,8 эВ) толщиной 1000 А. Какова должна быть минимальная энергия электронов, облучающих такой образец, чтобы генерировалось излучение МоК?

4. Определить энергетические параметры пучка ионов гелия с энергией 200 кэВ после прохождения пленки меди (плотность 8,93 г/см3) толщиной 50 нм.

Вариант 22

1. Построить индикатрису рассеяния (зависимость d/d от угла рассеяния в полярных координатах) ионов неона с энергией 100 кэВ на атоме бериллия. Чему равно сечение при  = 5о.

2. Найти отношение скоростей травления GaAs (плотность 5,31 г/см3, Es = 2,8 эВ) ионами бора с энергиями 50 кэВ и 5 МэВ.

3. Образец из SiO2 (плотность 2,65 г/см3) облучается рентгеновским излучением CuK и электронами с той же энергией. Найти отношение пробега рентгеновских квантов (исходя из 100-кратного ослабления интенсивности рентгеновского излучения) к траекторному пробегу электронов.



4. Какова должна быть минимальная мощность, подводимая к прямонакальному катоду из W-проволоки диаметром 0.3 мм и длиной 1 см, чтобы обеспечить с него плотность тока электронной эмиссии 4,5 А/см2?


Достарыңызбен бөлісу:




©dereksiz.org 2020
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет