Программа рэм-2015 1 июня, понедельник 10. 00 18. 30 Лекции Школы


Новая фундаментальная матричная поправка для количественного рентгеноспектрального



бет2/5
Дата28.06.2016
өлшемі448.5 Kb.
#164155
түріЛекции
1   2   3   4   5

Новая фундаментальная матричная поправка для количественного рентгеноспектрального

микроанализа

Н.Н. Михеев



Филиал ФГБУН Института кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук Научно-исследовательский центр «Космическое материаловедение», 248640, г. Калуга, ул. Академическая, д. 8, Россия
Определение диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда в нитриде галлия по зависимости интенсивности катодолюминесценции от энергии электронов пучка

Н.Н. Михеев1, Н.А. Никифорова2, М.А. Степович2,3, S. Bauer4, C. Grund4, J. Helbing4, M. Hocker4, K. Thonke4, I. Tischer4



1. Филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки –
Института кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН – Научно-исследовательский центр «Космическое материаловедение», 248640, г. Калуга, Академическая 8, Россия


2. Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, 248023, г. Калуга, Ст. Разина 26, Россия

3. Ивановский филиал Российского экономического университета им. Г.В. Плеханова, 153025, г. Иваново, Дзержинского 53, Россия

4. Institute of Quantum Matter, Semiconductor Physics Group, University Ulm, Albert-Einstein-Allee 45, D-89069, Ulm, Germany
Соотношение плазменных и одноэлектронных потерь энергии для быстрых электронов, прошедших тонкую пленку вещества

Н.Н. Михеев



Филиал ФГБУН Института кристаллографии им. А.В. Шубникова Российской академии наук Научно-исследовательский центр «Космическое материаловедение», 248640, г. Калуга, ул. Академическая, д. 8, Россия
Исследование влияния температурного отжига in-situ на микроструктуру ленты NbTi методами ПРЭМ

А.В. Овчаров1, И.А. Каратеев1, К.Г. Каратеева1, М.Ю. Пресняков1, В.В. Гурьев1, С.В. Шавкин1, В.С. Круглов1,

А.Л. Васильев1,2



1НИЦ «Курчатовский институт», 123182 Россия, Москва, пл. Академика Курчатова, д. 1.

2Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 119333 Россия, Москва, Ленинский пр., 59
Исследование введенных при деформации индентором дефектов упаковки в 4H-SiC

В.И. Орлов1,2, Е.Б. Якимов1



1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия
2 Институт физики твердого тела РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия

Тестирование полупроводниковых преобразователей бета-излучения с помощью РЭМ

М.А. Поликарпов1, В.Я. Панченко1, Е.Б. Якимов2



1 Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва, Россия
2 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия

Структура и состав многослойных пленок Fe/Si

Е.В. Пустовалов1, А.Л. Чувилин2,3, А.С.Гуральник4, Е.Б Модин1, А.В. Кириллов1, В.В. Ткачев1, В.С. Плотников1, С.В. Ваванова4, Н.Г. Галкин4, Ko-Wei Lin 5



1 Дальневосточный федеральный университет, 690950, г.Владивосток, Суханова 8
2 CIC NanoGUNE Consolider, Tolosa Hiribidea 76, Donostia-San Sebastian 20018, Spain
3 Ikerbasque, Basque Foundation for Science, Alameda Urquijo 36-5, 48011 Bilbao, Spain,
4 Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, 690041,
г. Владивосток, ул. Радио, 5
5 Electrical Engineering Dept., National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan

Использование моделей спектров вторичной рентгеновской флуоресценции для определения условий измерений в рентгеноспектральных методах анализа вещества

А.В. Романов1, 2, М.А. Степович1, М.Н. Филиппов3

1 КГУ им.К.Э. Циолковского, Калуга, Россия
2. МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
3 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, Россия

Моделирование прямоугольных углублений, формируемых фокусированным ионным пучком

А.В. Румянцев, Н.И. Боргардт

Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Зеленоград
Автоэмиссионные катоды на основе углеродных нанотрубок и металлических нанозондов

Русяев Н.Н. Галимзянов Д.А.



1 Казанский Национально-Исследовательский Университет имени А.Н. Туполева, 420111, Россия, Казань, ул. Карла Маркса 31/7
О возможности использования модифицированного метода наименьших квадратов для расчета пространственного распределения неосновных носителей заряда, генерированных электронным зондом в полупроводнике

Е.В. Серегина1, М.А. Степович2, А.М. Макаренков1

1 Калужский филиал ФГБОУ ВПО Московского государственного технического университета им. Н.Э. Баумана,

ул. Баженова, д.4, г. Калуга, 248600, Россия
2 ФГБОУ ВПО Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, ул. Степана Разина, д.26, г. Калуга, 248023, Россия

Исследования InAlAs/InGaAs/InAlAs HEMT-гетероструктур на подложках InP методами просвечивающей растровой электронной микроскопии

И. Н. Трунькин1, М. Ю. Пресняков1, Г. Б. Галиев3, Е. А. Климов3, П. П. Мальцев3, С. С. Пушкарёв3,

А. Л. Васильев1, 2

1 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, Москва

2 Институт кристаллографии РАН, Москва

3 Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, Москва E-mail: a.vasiliev56@gmail.com
Структурные изменения аморфных сплавов системы Fe-Cu-Nb-Si-B (FINEMET) при изотермическом отжиге

А.Н. Федорец1, Е.Б. Модин1, А.В. Дубинец1, Е.В. Пустовалов1, В.С. Плотников1



1 ФГАОУ ВПО «Дальневосточный федеральный университет», 690950, г. Владивосток, ул. Суханова 8, Россия
К вопросу об определении диффузионной длины и рекомбинационной активности границ зерен в кремнии с помощью LBIC и EBIC методов

Я.Л. Шабельникова1, Е.Б. Якимов1

1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия
Дисперсионный магнитный анализатор для спектроскопии энергии электронов

А.Д. Шабрин1, А.В. Ляликов1, Б.Н. Васичев2, В.П. Бегучев3, И.Д. Бурлаков3

1 ОАО «НПО «Орион», 111123, г. Москва, Шоссе Энтузиастов, 46/2, Россия

2 РЭУ им. Г.В. Плеханова, 117997, г. Москва, Стремянный переулок, 36, Россия

3 МГТУ МИРЭА, 119454, г. Москва, Проспект Вернадского, 78, Россия
Влияние облучения в РЭМ на дефекты упаковки в 4H-SiC

Е.Б. Якимов



Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, г. Черноголовка, Московская обл., Россия

2 июня, вторник 17.30 – 19.00

Секция III. Сканирующая зондовая микроскопия и зондовая нанолитография

Исследование фазового состава и доменной структуры керамик BixFe1-xO3 методами микроскопии пьезоэлектрического отклика и дифракции обратно-рассеянных электронов

Д.О. Аликин1, А.П. Турыгин1, Д.С. Чезганов1, J.B. Walker2, T. Rojac2, В.Я. Шур1, А.Л. Холкин1,3

1 Институт естественных наук УрФУ, г. Екатеринбург, Россия
2 Electronic Ceramic Department, Jožef Stefan Institute, Ljubljana, Slovenia


3 Dept. Materials and Ceramics Eng.&CICECO, University of Aveiro, Aveiro, Portugal
Исследование морфологии рельефа нанопокрытия серебра на слюде и измерение вольт-амперных характеристик

А.С. Антонов, Н.Ю. Сдобняков, Е.А. Воронова, Н.В. Новожилов, О.В. Михайлова

Тверской государственный университет, 17002, г. Тверь, Садовый пер. 35, Россия
Зарядовые состояния поверхности сегнетомягких материалов

Е.В. Барабанова1, О.В. Малышкина1, Г.М. Акбаева2

1 Тверской государственный университет, 170002, г. Тверь, Садовый пер. 35, Россия
2 Южный федеральный университет, 344006, г. Ростов-на-Дону, ул. Б. Садовая, 105/42, Россия

Атомно-силовая микроскопия пленок фуллерит-алюминий, подвергнутых термическому воздействию

Л.В. Баран



Белорусский государственный университет, пр. Независимости 4, Минск, Беларусь
Исследование пористой структуры материалов на основе кремния и диоксида кремния

А.О. Белорус1, Е.В. Мараева1, С.С. Налимова1, Ю.М. Спивак1



1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ», 197022,
г. Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова 5, Россия

АСМ-исследование движения стенок сегнетоэлектрических доменов под воздействием

температурных и электрических полей

Н.В. Белугина, Р.В. Гайнутдинов, К.Л. Сорокина, А.Л. Толстихина

Институт кристаллографии им.А.В. Шубникова РАН, Москва, 119333, Россия
Исследование 1D и 2D- доменных структур на неполярной поверхности ниобата бария – стронция при записи в поле атомно-силового микроскопа

Я.В. Боднарчук, Р.В. Гайнутдинов, Т.Р. Волк

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, 119333 Москва
Определение проводимости и положения уровня Ферми в индивидуальных углеродных нанотрубках методом электростатической силовой микроскопии

В.В. Болотов, Н.А. Давлеткильдеев, Д.В. Стецько, Ю.А. Стенькин



Омский научный центр СО РАН, 644040, г. Омск, ул. Нефтезаводская, 54



Структурообразование в ЛБ пленках преполимера полиимида

Р.В. Гайнутдинов1, А.Л. Толстихина1, Н.Д. Степина1, В.П. Склизкова2, В.В. Кудрявцев2



1.Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук, 119333, Москва, Ленинский пр., 59

2.Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, 199004, Санкт-Петербург, Большой пр., 31
Эффект интерференции излучения полупроводникового ИК-лазера при взаимодействии с зондом атомно-силового микроскопа

М.С.Дунаевский1, П.А.Алексеев1, А.А.Донцов1, А.М.Монахов1, A.Baranov2

1 Физико-Технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, ул.Политехническая, 28, 194021, Россия
2 Institut d’Electronique du Sud, Université Montpellier 2, Place Eugène Bataillon, Montpellier, 34095, France

Фотовольтаический эффект в наноразмерных пленках BaTiO3

А.В. Зенкевич1,2, Ю.А. Матвеев1,2, К.Ю. Максимова3, Р.В. Гайнутдинов4, А.Л. Толстихина4, В.М. Фридкин4



1 Московский физико-технический институт, , 141700,г. Долгопрудный, Институтский пер., 9, Россия

2. Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 115409, г. Москва, Каширское шоссе, 31, Россия

3. Deutsches Electronen Synchrotron, 85 Notkestraße, Hamburg D-22607, Germany
4. Институт кристаллографии им.А.В. Шубникова РАН, 119333, Москва, Ленинский просп. 59, Россия

Атомно-силовая микроскопия перспективных полимерных материалов

Д.Д. Карамов1, В.М. Корнилов1, А.Н. Лачинов1,2



1ФГБОУ ВПО «Башкирский государственный педагогический университет им. Акмуллы», 450000, Уфа, Россия
2ФГБУН Уфимский научный центр РАН, 450054, Уфа, Россия

Формирование наноразмерных структур для зондовой нанодиагностики методом фокусированных ионных пучков

А.С. Коломийцев1, А.Л. Громов1, А.А. Шемерянкин1

1 Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения Южного федерального университета, 347928, г Таганрог, ул. Шевченко 2,корп. Е, Россия



Синтез и исследование морфологии, структуры и спектральных свойств тонкопленочных полимерных нанокомпозитов ППК+S

Е.П. Криничная1, О.П. Иванова1, С.А. Озерин2, С.А. Завьялов3, Т.С. Журавлева1

1 ФГБУН Институт биохимической физики им. Н.М. Эмануэля РАН,119334, г. Москва, ул. Косыгина, 4, Россия

2ФГБУН Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН, 117393, Москва, ул. Профсоюзная, 70, Россия
3ФГБУН Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», 123182, Москва, пл. Академика Курчатова, 1, Россия

Определение износа методом атомно-силовой микроскопии

Т.А. Кузнецова, С.А. Чижик, Т.И. Ширяева

Институт тепло и массообмена им. А.В. Лыкова НАН Беларуси, ул. П. Бровки 15,220072, г. Минск, Беларусь
Периодические изменения латеральных размеров элементарных ячеек на СТМ-изображениях пиролитического графита

Р.В. Лапшин1, 2

1НИИ Физических проблем им. Ф. В. Лукина, 124460, г. Зеленоград, Россия

2Московский институт электронной техники, 124498, г. Зеленоград, Россия
Улучшенная аппроксимирующая модель петли гистерезиса для линеаризации пьезосканера зондового микроскопа

Р.В. Лапшин1, 2

1НИИ Физических проблем им. Ф. В. Лукина, 124460, г. Зеленоград, Россия

2Московский институт электронной техники, 124498, г. Зеленоград, Россия
Исследование морфологии поверхности эластомеров методами электронной и зондовой микроскопии

Т.И. Муравьёва1, О.О. Столярова1, А.В. Морозов1, Р.В. Гайнутдинов2, Д.Л .Загорский1.2

1Институт проблем механики им. А.Ю.Ишлинского РАН, 119526, г. Москва, пр. Вернадского 101, к.1, Россия

2 Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова РАН,119333.г.Москва,Ленинский пр-т,59
Оценка влияния размеров зонда на параметры морфологии пленок кремния с полусферическими зернами (HSG-Si), получаемые методом атомно-силовой микроскопии

А.В. Новак1,2, В.Р.Новак3

1 Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Зеленоград, Россия

2 ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград, Россия

3 ФГУП «НИИ Физических проблем им. Ф.В.Лукина», г. Зеленоград, Россия
Изучение эволюции морфологии поверхности при росте пленок плазмохимического нитрида кремния посредством атомно-силовой микроскопии

А.В. Новак1,2, В.Р.Новак3

1 Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Зеленоград, Россия

2 ОАО «Ангстрем», г. Зеленоград, Россия

3 ФГУП «НИИ Физических проблем им. Ф.В.Лукина», г. Зеленоград, Россия
АСМ- и диэлектрические исследования предпереходной динамики доменной структуры

Г.И. Овчинникова1, И.Ю. Полякова1, А.П. Еремеев2, Е.С. Иванова2, Н.В. Белугина2, Р.В. Гайнутдинов2,

А.Л. Толстихина2

1 Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 119991, г. Москва, ГСП-1, Ленинские горы, Россия
2 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 119333, г. Москва, Ленинский просп. 59, Россия

Tуннельная микроскопия слоистых кристаллов GaSe

А.М. Пашаев, Б.Г. Тагиев, Р.А.Ибрагимов, А.А. Сафарзаде



Национальная Академия Авиации Азербайджана, НИИ ТАКП, Бина 25 км. Баку
Исследование мемристорной структуры на основе вертикально ориентированных углеродных

нанотрубок с использованием сканирующей зондовой микроскопии

М.В. Рубашкина, Ю.Ф. Блинов, В.А. Смирнов, О.А. Агеев, В.В. Полякова

Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Южный федеральный университет, 347922, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2, корп «Е», Россия
Влияние нанодисперсной фазы на морфологию поверхности полимерных мембран

Т.С. Сазанова, О.Н. Шарыгина, И.В. Воротынцев

Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, г. Н. Новгород, Россия
Особенности изменения рельефа поверхности холестерических пленок циклосилоксановых олигомеров при нагревании

О.В. Синицына1, Г.Б. Мешков2, А.Ю. Бобровский1, И.В. Яминский1,2, В.П. Шибаев1

1 Химический факультет, Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, 119991, г. Москва, Ленинские горы, 1-3
2 Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова, 119991, г. Москва, Ленинские горы, 1-2

АСМ-исследование доменной структуры водородосодержащих сегнетоэлектрических кристаллов с профильным распределением примеси

А.Л. Толстихина1, Н.В. Белугина1, Р.В. Гайнутдинов1, А.К. Лашкова1, И.Ф. Кашевич2, В.Н. Шут,3,

С.Е. Мозжаров,3



1. Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, 119333, г. Москва, Ленинский пр-кт, 59, Россия
2. ВГУ им.П.М. Машерова, 210032, Витебск, Московский проспект, 33, Беларусь


3. Институт технической акустики НАН Беларуси, 210027, Витебск, ,пр-кт Людникова, 13, Витебск, Беларусь
Применение атомно-силовой микроскопии к изучению строения поверхности пленок оксидов тантала и ниобия

А. М. Шульга, К.В. Степанова, А.Н. Кокатев, Н.М. Яковлева

Петрозаводский государственный университет, г. Петрозаводск, Россия, 185910
2 июня, вторник 17.30 – 19.00

Секция V Применение сканирующей электронной и зондовой микроскопии в химии и геологии
Изучение механизма импульсных энергетических воздействий на породообразующие минералы кимберлитов (РЭМ-РСМА, РФЭС и ИКФС)

Н.Е. Анашкина, И.Ж. Бунин, Е.В. Копорулина, М.В. Рязанцева

Институт проблем комплексного освоения недр РАН, г. Москва, Россия
Использование SEM-EDX анализа для интерпретации эффективных коэффициентов поглощения природных минералов, полученных методом рентгеновской микротомографии

И.А. Варфоломеев1,2, О.А. Ковалёва1,2, И.В. Якимчук2, Д.А. Коробков2

1 Московский физико-технический институт, 141707, Московская обл., г. Долгопрудный, Институтский пер, 9, Россия
2 ООО Технологическая компания Шлюмберже, Московский научно-исследовательский центр, г. Москва, 119285, г. Москва, ул. Пудовкина, д. 13, Россия

Применение электронной микроскопии и лазерной спектрометрии для изучения субмикронных частиц при разрушении горных пород

C.Д. Викторов, А.Н. Кочанов, Е.В. Копорулина



ФГБУН Институт проблем комплексного освоения недр РАН, 111020, г. Москва, Крюковский тупик, д.4
Строение поверхности силоксан-уретан-этиленоксидных блок-сополимеров

И.О. Волков, Л.В. Филимонова, Л.И. Макарова, О.В. Синицына, А.А. Бурмистров, А.А. Анисимов,

О.А. Белякова, Г.Г. Никифорова, Е.М. Белавцева



ФГБУН Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН, 119991, г. Москва, ул. Вавилова, 28,
АСМ природных стекол – о природе наблюдаемой шероховатости

Е.А. Голубев



Институт геологии Коми НЦ УрО РАН, 167982 Сыктывкар, Первомайская 54, Россия
Влияние подложки на химические свойства наночастиц золота

М.В. Гришин, А.А. Кирсанкин, А.К. Гатин, Б.Р. Шуб



Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН, г. Черноголовка, Москква, Россия
Физико-химические свойства борорганических наночастиц, нанесенных на различные подложки

М.В. Гришин, В.А. Харитонов, А.К. Гатин, В.Г. Слуцкий, Б.Р. Шуб



Институт химической физики им. Н.Н. Семенова РАН, ул.Косыгина, 4, Москва, Россия
РЭМ и РСМА исследование модификации поверхности базальтового стекловолокна различного состава посредством кислотного гидролиза в широком интервале pH

А.В. Кнотько1, А.В. Ситанская1, Д.Д. Паньшина1, В.К. Иванов1,2



1 Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991, г. Москва, Россия
2 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, г. Москва, Россия

Применение растровой электронной микроскопии для типизации пород коллекторов нефти и газа

В.А. Кузьмин, Н.А. Скибицкая

Институт проблем нефти и газа РАН (ИПНГ РАН), г. Москва, ул. Губкина 3
Сопоставление показателей формы треков, созданных α-частицами в полимерном детекторе и измеренных с применением оптического и растрового электронного микроскопов

М.В. Ломакин, В.А. Стебельков

НП «Лаборатория анализа микрочастиц», 117218, г. Москва, Большая Черёмушкинская, 25, Россия
Экспериментальная фоссилизация мягких тканей животных в глинистых минералах

Е.Б. Наймарк, Л.В. Зайцева



Палеонтологический институт им. Борисяка РАН, Москва, Профсоюзная ул.,12,; E-mail: naimark@paleo.ru
Применение сканирующей электронной и зондовой микроскопии для изучения продуктов современной вулканической деятельности

В.М. Округин1,2, Н.А. Малик1, С.В. Москалева1, В.В. Козлов3, Е.Ю. Плутахина1,2, Т.М. Философова1, В.М. Чубаров1, М.В. Чубаров1, Д.А. Яблокова1,2, О.А. Зобенько1,2, Ш.С. Кудаева1,2



1 Институт вулканологии и сейсмологии ДВО РАН, 683006, г. Петропавловск-Камчатский, Камчатский край, Россия

2 Камчатский государственный университет имени Витуса Беринга, 683032, г. Петропавловск-Камчатский, Камчатский край, Россия

3 Oxford Instruments OM - Moscow Office, 105005, Москва, Россия
Возможности сканирующей электронной и зондовой микроскопии при изучении форм нахождения меди в продуктах извержения Толбачинской зоны ареального вулканизма (Камчатка)

В.М. Округин1,2, В.В. Козлов3, Н.А. Малик1, С.В. Москалева1, Т.М. Философова1, М.В. Чубаров1,

Ш.С. Кудаева1,2

1 Институт вулканологии и сейсмологии ДВО РАН, 683006, г. Петропавловск-Камчатский, Камчатский край, Россия

2 Камчатский государственный университет имени Витуса Беринга, 683032, г. Петропавловск-Камчатский, Камчатский край, Россия
3 Oxford Instruments OM - Moscow Office, 105005, Москва, Россия

Новые данные о составе и структуре минералов современных и палеогидротермальных рудообразующих систем Камчатки (по данным SEM и EMPA)

В.М. Округин1,2, Д.А. Яблокова1,2, Е.Д. Скильская1, К.О. Шишканова1, Т.М. Философова1, С.В. Москалева1, И.И. Чернев3, М.В. Чубаров1



1 Институт вулканологии и сейсмологии ДВО РАН, 683006, г. Петропавловск-Камчатский, Камчатский край, Россия

2 Камчатский государственный университет имени Витуса Беринга, 683032, г. Петропавловск-Камчатский, Камчатский край, Россия
3 ОАО «Геотерм», 683000, г. Петропавловск-Камчатский, Камчатский край, Россия


Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4   5




©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет