Синергетика
Synergetics (от греч. sinergeia – совместное действие)
Междисциплинарное научное направление, задачей которого является познание принципов самоорганизации различных систем, в частности совместного влияния факторов на процесс самоорганизации. Синергетика вводит понятие динамического хаоса как некой сверхсложной упорядоченности.
Синергетика
Synergetics (от греч. sinergeia – совместное действие)
Негізгі мәселесі әртүрлі жүйелердің өзін-өзі ұйымдастыру принциптерін тану, соның ішінде өзін-өзі ұйымдастыру процесіне факторлардың бірлескен ықпалы болып табылатын пәнаралық ғылыми бағыт. Синэнергетика динамикалық хаос түсінігін тым күрделі реттілік ретінде енгізеді.
|
Синтез
Synthesis (греч. synthesis — соединение, сочетание, составление)
Применительно к радиационным и плазменным технологиям – это получение нового вещества путём соединения исход-ных элементов (веществ) в единое целое.
|
Синтез
Synthesis (гр. synthesis — қоспа)
Бастапқы элементтерді (заттарды) бір бүтінге біріктіру арқылы жаңа затты алу, бұл әдісті радиациялық және плазмалық техноло-гияларда қолдануға болады.
|
синтез плазмохимический / plasmochemical synthesis — получение вещества путём соединения исходных элементов (веществ) в результате химических реакций в низкотемпературной плазме.
|
плазмалы химиялық синтез / plasmochemical synthesis — бастапқы элементтерді (заттарды) төмен температуралы плазмадағы реакция нәтижесінде біріктіру арқылы жаңа затты алу.
|
Си́нтез те́рмоядерный
Nuclear fusion
Реакции слияния легких ядер в более тяжелые; происходят при высоких температурах и сопровождаются выделением энергии.
|
Термоядролық синтез
Nuclear fusion
Жеңіл ядролардың бірігуі нәтижесінде ауыр ядролардың түзілу реакциясы; жоғары температураларда және энергияның бөлінуімен бірге жүзеге асады.
|
синтез термоядерный инерциальный / inertial thermonuclear fusion —процесс возбуждения реакции термоядерного синтеза в дейтерий-тритиевой (DT) мишени путем разогрева и сжатия её бомбардировкой пучками ускоренных ионов (электронов) с помощью драйвера.
|
термоядролы инерциалы синтез / inertial thermonuclear fusion — дейтерий-тритийлі нысанада оны драйвердің көмегімен үдетілген иондар(электрондар) шоғымен атқылап қыздыру және сығу арқылы термоядролы реакцияны қоздыру процесі.
|
синтез термоядерный лазерный/ thermonuclear laser fusion — одно из направлений в исследованиях по управляемому термоядерному синтезу, основанное на способности лазеров концентрировать энергию в малых объемах (< см ) за короткие промежутки времени (<10 — 10 с) и использующее инерциальное удержание плазмы.
|
термоядролы лазерлі синтез / thermonuclear laser fusion — лазерлердің қысқа уақыт аралығында(<10 — 10с) энергияны аз көлемге жинақтай алу қасиетіне негізделген және плазманы инерциялы ұстап тұруды қолданатын, басқарылатын термоядролы синтез бойынша зерттеулердің бір бағыты.
|
синтез термоядерный управляемый/ controlled fusion — процесс слияния легких атомных ядер, проходящий с выделением энергии при высоких температурах в регулируемых условиях.
См. также реактор термоядерный.
|
басқарылатын термоядролы синтез / controlled fusion — басқарылатын жағдайларда жоғары температураларда энергия бөле отырып жүзеге асатын жеңіл атомдардың бірігу процесі.
Сон. қ. қараңыз термоядролық реактор.
|
Синхротро́н
Synchrotron.
В широком смысле слова — кольцевой резонансный ускоритель заряженных частиц с изменяющимся в процессе ускорительного цикла магнитным полем и неизменным радиусом равновесной орбиты.
См. также излучение синхротронное.
|
Синхротро́н
Synchrotron.
Үдету циклі процесінде айнымалы магнит өрісіне ие және тепе теңдік орбитасының радиусы тұрақты болатын зарядталған бөлшектерді сақиналы резонанстық үдеткіш.
Сон. қ. қараңыз синхротронды сәулелену.
|
Синхрофазотро́н
Synchrophasotron.
Выходящее из употребления название протонного синхротрона со слабой фокусировкой.
|
Синхрофазотро́н
Synchrophasotron.
Фокусталуы әлсіз протонды синхротронның қолданыстан шығып қалып бара жатқан аты.
|
Систе́ма гетероге́нная
Heterogeneous system (от греч. Heterogenes —разнородный)
Термодинамическая система, состоящая из различных по физическим и химическим свойствам частей (фаз), которые отделены друг от друга резкими поверхностями раздела.
|
Гетероге́нді жүйе
Heterogeneous system (гр. Heterogenes —әр текті)
Бір-бірінен күрт бөліну беттері арқылы бөлінген, әр түрлі физикалық және химиялық қасиеттері бойынша ерекшеленетін бөліктерден(фазалардан) тұратын термодинамикалық жүйе.
|
Систе́ма гомоге́нная
Homogeneous system (от греч. Gomogenes — однородный)
Термодинамическая система, все равновесные параметры которой (напр., химический состав, плотность, давление) непрерывно изменяются в пространстве.
См.также гомогенность.
|
Гомоге́нді жүйе
Homogeneous system (гр. Gomogenes — біртекті)
Барлық тепе-теңдік параметрлері(мысалы, химиялық құрамы, тығыздығы, қысымы) кеңістік бойынша үздіксіз өзгеріп отыратын термодинамикалық жүйе.
Сон. қ. қараңыз гомогендік.
|
Система открытая
Open system
Термодинамическая система, которая обменивается с окружающей средой веществом, энергией и импульсом. К наиболее важному типу открытых систем относятся химические системы, в которых непрерывно протекают химические реакции (извне поступают реагирующие вещества и отводятся продукты реакций).
|
Ашық жүйе
Open system
Қоршаған ортамен зат, энергия және импульспен алмасатын термодинамикалық жүйе. Ашық жүйелердің анағұрлым маңызды типіне химиялық реакциялар үздіксіз жүріп отыратын (тыстан әсер етуші заттар түседі де реакция өнімдері шығады) химиялық реакциялар жатады.
|
Cистема плазменная
Установка для генерации или технологического применения плазмы.
|
Плазмалы жүйе
Плазманы өндіруге немесе оны технологияда қолдануға арналған қондырғы.
|
Система равновесная
Equilibrium system
Термодинамическая система, находящаяся в стационарном состоянии, которое не обусловлено внешними процессами.
|
Тепе-теңді жүйе
Equilibrium system
Сыртқы процесстерден оқшауланған стационар күйдегі термодинамикалық жүйе.
|
Ситаллы
Glassceramics, pyroceramics
Стеклокерамические материалы, получаемые путем термообработки (кристаллизации) стекла.
|
Ситалдар
Glassceramics, pyroceramics
Шыныны термоөңдеу (кристалдау) жолымен алынатын шыны керамикалық материалдар.
|
Скол покрытия
Дефект покрытия (например, плазменного), образующийся при местном разрушении в виде отделения его элементов под действием касательных напряжений.
|
Жабын қабаты
Жанама кернеулердің әсерінен кейбір элементтерінің ажырап кетуі түріндегі жергілікті қираулар нәтижесінде түзілетін беттік ақаулар(мысалы плазмалық).
|
Скорость химической реакции
Reaction rate
Величина, характеризующая интенсивность химической реакции. Скоростью образования продукта реакции называют количество этого продукта в результате реакции за единицу времени в единице объема (если реакция гомогенная) или на единицу площади поверхности (если реакция гетерогенная).
|
Химиялық реакция жылдамдығы
Reaction rate
Химиялық реакция қарқындылығын сипаттаушы шама. Реакция өнімінің түзілу жылдамдығы деп бірлік көлемде бірлік уақытта (егер реакция гомогенді болса) немесе беттің бірлік ауданында (егер реакция гетерогенді болса) болған реакция нәтижесінде алынған осы өнім мөлшерін атайды.
|
Скребок плазменный
Установка для удаления поверхностных слоев, в частности, фотолаков (резистов), с помощью плазмы.
|
Плазмалы ысқыш
Плазманың көмегімен беттік қабаттарды, атап айтқанда фотолактарды жоюға арналған құрылғы.
|
Слой
Layer
Образование на поверхности или внутри какого-либо тела, находящегося в любом агрегатном состоянии, отличающееся от окружающей среды своей структурой, составом, зарядовым состоянием или какими-либо другими свойствами.
|
Қабат
Layer
Кез келген агрегаттық күйдегі қандай да бір дененің бетінде немесе ішінде пайда болған, қоршаған ортадан өзінің құрылымы, құрамы, зарядтың күйі немесе басқа да қасиеттері бойынша ерекшеленетін түзілістер.
|
слой барьерный / barrier layer — слой, образующийся самопроизвольно или наносимый специально на поверхность твердых тел или частиц сыпучих материалов, предотвращающий их взаимодействие с находящимися в контакте материалами или средами.
|
тосқауылды қабат / barrier layer — қатты денелердің немесе сусымалы материалдардың бетінде өздігінен түзілетін немесе арнайы жағылатын, олармен жанасушы материалдармен немесе ортамен өзара әселесуін болдырмайтын қабат.
|
слой гетероэпитаксиальный / heteroepitaxial layer — эпитаксиальный слой на полупроводниковой подложке, при этом параметры кристаллической решетки и зонная структура слоя и подложки различны.
|
гетероэпитаксиалді қабат- жартылайөткізгіш тұғырдағы эпитаксиалді қабат, мұнда кристалл торының параметрлері және қабат пен тұғырдың зоналық құрылымы әртүрлі.
|
слой гидрофильный / hydrophilic layer — слой, который содержит полярные группы молекул и поэтому обладает гидрофильными свойствами. Гидрофильные слои можно создавать путем полимеризации в плазме, они находят применение в медико-биологической сфере, в качестве антиналётных слоев, промоторов адгезии и т.д.
|
гидрофилді қабат- молекулалардың полярлық топтарынан тұратын және осының салдарынан гидрофилді қасиеттерге ие қабат. Гидрофилді қабаттарды плазмада полимерлеу арқылы жасауға болады, олар қаққа қарсы қабаттар, адгезия промоторы ретінде медико-биологиялық салада қолданылады.
|
слой гидрофобный / hydrophobic layer — слой, который не содержит полярных групп и поэтому обладает водоотталкивающими свойствами. Гидрофобные слои можно создавать путем полимеризации в плазме, например с использованием HMDSO (гексаметилдисилоксана).
|
гидрофобты қабат- полярлық топтары жоқ, сондықтан су сіңірмейтін қасиеттерге ие қабат.Гидрофобты қабаттарды плазмада полимерлеу арқылы, мысалы HMDSO (гексаметилдисилоксан) қолданып жасауға болады.
|
слой дельта-легированный / delta doped layer — слой (обычно в полупроводниках), в котором легирующая примесь сконцентрирована в очень узкой области (шириной несколько межатомных расстояний). Пространственное распреде-ление её напоминает дельта-функцию.
|
дельта-қоспаланған қабат / delta doped layer — қоспалаушы қоспасы өте жіңішке облыстарда (ені бірнеше атомаралық қашықтыққа тең болатын) шоғырланған қабат (негізінен жартылай өткізгіштерде). Олардың кеңістіктік таралуы дельта функцияны еске түсіреді.
|
слой двойной электрический / electric double layer — совокупность электрических зарядов противоположных знаков, распределённых вдоль границы соприкосновения двух фаз.
|
қос электрлі қабат / electric double layer — екі фазаның жанасу шекарасы бойымен таралған қарама-қарсы таңбалы электрлік зарядтар жиыны.
|
слой демпферный ионнолегированный / damping ion-implanted layer — в системе «тонкая плёнка на поверхности – подложка» это как правило небольшой по толщине слой вещества на границе раздела фаз, получаемый методами ионной имплантации, который служит для предотвращения распространения механических напряжений, вызванных инородной по составу плёнкой, в подложку.
|
демпферлі иондықоспаланған қабат / damping ion-implanted layer — «бетіндегі жұқа пленка – төсеніш» жүйесінде, бұл негізінен фазалар арасындағы иондық имплантация әдістерімен жасалатын жұқа қабат. Ол құрамы бойынша өзге текті пленканың төсенішке әсер ететін механикалық кернеулердің алдын алу үшін жасалады.
|
слой инверсный / inversion layer — область полупроводника у его поверхности, в которой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных.
|
инверсиялы қабат / inversion layer — негізгі емес заряд тасымалдаушыларының тепе-теңдік концентрациясы негізгі заряд тасымалдаушыларынікінен көп болып келетін жартылай өткізгіш бетіндегі облыс.
|
слой мономолекулярный (монослой) / monomolecular layer — слой вещества толщиной в одну молекулу на границе раздела фаз.
|
мономолекулалы қабат(моноқабат) / monomolecular layer — фазалардың бөліну шекарасындағы қалыңдығы бір молекула шамасындағы зат қабаты.
|
слой нейтральный / neutral layer — слой, волокна которого не изменяют своей длины при изгибе образца.
|
бейтарап қабат / neutral layer — нұсқаның майысуы кезінде өз ұзындығын өзгертпейтін талшық қабаты.
|
слой обедненный (слой запирающий) / barrier layer, blocking layer, depletion layer — область в полупроводнике вблизи границы с металлом или с полупроводником другого типа проводимости, обеднённая основными носителями заряд.
|
кемітілген қабат (жапқыш қабат) / barrier layer, blocking layer, depletion layer — жарты-лай өткізгіштің металлмен немесе өткізгіш-тігі өзгеше жартылай өткізгішпен жанасу шекарасы маңында пайда болатын, негізгі заряд тасымалдаушылары кемітілген облыс.
|
слой обогащенный (слой антизапорный) / accumulating layer, enriched layer — слой полупроводника с повышенной концентрацией основных носителей заряда; образуется у контакта с металлом, у гетероперехода или изотипного моноперехода у свободной поверхности.
|
слой обогащенный (слой антизапорный) / accumulating layer, enriched layer — жартылай өткізгіштің заряд тасымалдаушылар концентрациясы жоғары облысы; металлмен түйіскен жерінде, гетероауысуда немесе еркін беттің изотопты моноауысуында түзіледі.
|
слой поверхностный упрочненный / hardened surface case — в термообработке — область сплава на основе железа, распростран-яющаяся вглубь от поверхности, химичес-кий состав которой был изменен при поверхностном упрочнении. Слой изменен-ного состава имеет твердость поверхности значительно выше твердости сердцевины.
|
беттік бекемденген қабат / hardened surface case — температуралық өңдеуде- темір негізді қорытпа облысы, химиялық құрамы беттік бекемдеуде өзгерген беттен, дененің ішкі жағына қарай таралатын. Осы жағдайда құрамы өзгерген қабаттың қаттылығы өзекшенің қаттылығынан жоғары.
|
слой пространственного заряда / space discharge layer — область в плазме, диэлектрике и т.д., в которой по каким-либо причинам имеет место повышенная концентрация положительных или отрица-тельных зарядов.
|
слой пространственного заряда / space discharge layer — қандай да бір себептермен оң немесе теріс зарядтардың концентрациясы жоғары болып келетін плазмадағы, диэлектриктегі және т.б. облыс.
|
слой скрытый / buried layer — слой, границы которого не достигают поверхности.
|
слой скрытый / buried layer — шекарасы бетке жетпейтін қабат.
|
Cлой половинного ослабления (фотонов)
Half-value layer, half-thickness, half-value thickness (of photons)
Слой вещества, который способен в два раза ослабить поток моноэнергетических фотонов, нормально падающих на его поверхность. Толщина его является показателем поглощающих свойств этого вещества.
|
Жартылай әлсірету қабаты (фотондарды)
Half-value layer, half-thickness, half-value thickness (of photons)
Заттың бетіне тік бағытта түсіп жатқан моноэнергиялық фотондар ағынын екі есе әлсіретуге қабілетті зат қабаты. Оның қалыңдығы осы заттың жұту қасиеттерінің көрсеткіші болып табылады.
|
Смачиваемость
Wettability
Свойство твердого материала допускать свое смачивание. Степень смачиваемости можно определять по краевому углу смачивания. В радиационных и плазменных технологиях она характеризует чистоту поверхности и Аяется показателем возможности получить высокую адгезию наносимого на подложку модифицирующего покрытия. Обработка поверхности твёрдого тела плазмой или пучком ускоренных заряженных частиц может существенно повысить смачиваемость.
|
Суланғыштық
Wettability
Қатты дененің сулану қасиеті. Сулану дәрежесін дымқылданудың шеттік бұрышы бойынша анықтауға болады. Радиациялық және плазмалық технологияларда беттің тазалығын сипаттайды және төсенішке жағылатын модификациялаушы жабудың жоғары адгезиясын алу мүмкіндігінің көрсеткіші болып табылады. Қатты дене бетін плазмамен немесе үдетілген зарядталған бөлшектермен өңдеу сулануды кәдімгідей жоғарылатуы мүмкін.
|
Сма́чивание
Wetting, damping, watering
Процессы, происходящие при взаимо-действии жидкости с поверхностью твердого тела или другой жидкости, и проявляющиеся в растекании жидкости и формировании площади так называемого адгезионного контакта, возникновение менисков в капиллярных каналах, вытес-нении одной жидкости другой, образовании капель жидкости на поверхности или пузырьков в жидкости, проникновении жидкости в капиллярно-пористые тела.
См. Также угол смачивания
|
Дымқылдану
Wetting, damping, watering
Сұйықтың қатты дене бетімен немесе басқа сұйықпен өзара әсерлесуі кезінде жүзеге асатын процесстер. Және олар сұйықтың жайылуынан және адгезиялық жанасу деп аталатын аудандардың түзілуінен, капилярлық түтікшелерде менискілердің пайда болуынан, бір сұйықтың екіншісін ығыстырып шығаруынан, беттерде тамшылардың немесе сұйықтарда көпіршіктердің түзілуінен, сұйықтардың капилярлы-қуыс денелерге енуінен көрінеді.
Сон. қ. қараңыз жұғу бұрышы.
|
Смеще́ние
Bias, displacement, drift, float, systematic error
Отклонение колеблющейся величины от её равновесного значения.
|
Ығысу
Bias, displacement, drift, float, systematic error
Тербелетін шаманың тепе-теңдік мәннен ауытқуы.
|
смещение гравитационное / gravitational shift — изменение частоты электромагнитного излучения при его распространении в гравитационном поле.
|
гравитациялық ығысу / gravitational shift — электромагниттік сәуленің гравитациялық өрісте тараған кезде жиілігінің өзгеруі.
|
смещение изотопическое / isotope shift — разность частот соответствующих спектральных линий в спектрах атомов, являющихся изотопами одного химического элемента.
|
изотоптық ығысу / isotope shift — бір химиялық элементтің изотобы болып табылатын атомдардың спектрлерінің спектрлік сызықтары жиіліктерінің айырымы.
|
смещение красное / red shift — увеличение длин волн в спектре электромагнитного излучения по сравнению с эталонным спектром, вызванное либо взаимным удалением источника и наблюдателя излучения, либо тем, что приёмник излу-чения находится в области более слабого гравитационного поля, чем его источник.
|
смещение красное / red shift — сәуле көзі мен бақылаушының өзара алыстауы, не сәуле қабылдағыштың көзге қарағанда әлсіздеу гравитациялық өрісте тұруы садарынан эталондық спектрмен салыстырғанда электромегниттік сәуле спектріндегі толқын ұзындығының ұлғаюы.
|
смещение фиолетовое / violet shift — уменьшение длин волн линий в спектре электромагнитного излучения по сравнению с эталонным спектром, вызванное взаимным сближением источника и наблюдателя излучения.
|
күлгін ығысу / violet shift — сәуле көзі мен бақылаушының өзара жақындауы салдарынан эталондық спектрмен салыстырғанда электромагниттік сәуле спектріндегі толқын ұзындығының кемуі.
|
смещение частиц колебательное / particle oscillation shift — смещение частиц среды по отношению к среде в целом, обуслов-ленное прохождением звуковой волны.
|
бөлшектердің тербелмелі ығысуы / particle oscillation shift — дыбыс толқынының өтуі салдарынан орта бөлшектерінің жалпы ортаға қатысты ығысуы.
|
|
