Регистрация ВНКИЧ при целительской деятельности

6.5.9. Регистрация ВНКИЧ при целительской деятельности

оператора-сенситива 174

ВНКИЧ 178

6.7.1. Наблюдения 2004 г 178

6.7.2 Мониторинг ВНКИЧ и ранняя диагностика патологий 184

Литература 186

Заключение 188

Часть 2. Полевая концепция механизма сознания 191

Глава 1. Функция полевого механизма сознания 193

1.1. Рефлекторный и полевой уровни обработки информации 193

1.2. Аппарат афферентного синтеза и Биокомпьютер сознания 196

1.3. Кора головного мозга как субстрат Процессора

Биокомпьютера сознания 200

1.4. Структуры БКС и их функции 201

1.5. Нервная клетка как структурная единица Процессора 202

1.6. О переносе информации с клеточного на полевой уровень

при участии одних только нервных клеток 204

Литература 206

Глава 2. Участие нейроглии в механизме сознания 207

2.1 Физиологические свойства, определяющие функцию

глиальных клеток в полевом механизме сознания 210

2.2 Распределение медленного отрицательного потенциала

в коре головного мозга 214

Литература 221

Глава 3. Функции нейроглии в механизме сознания 223

3.1. Функция нейроглии в режиме переноса информации

на полевой уровень 223

3.2 Перенос информации с клеточного уровня на полевой 224

Глава 4. Функционирование Биокомпьютера сознания 227

4.1. Возникновение «образов», «сложных образов» и «идей».

Перенос их на полевой уровень в архивы долговременной

памяти 228

4.2 Механизмы феноменов долговременной памяти

и подсознания 230

4.3. Перенос информации с полевого уровня на клеточный 231

4.4. Патология механизма сознания 240

Литература 243

Заключение 245

Рецензии и отзывы 250

Исследование множества проблем, связанных с необыкновенной сложностью самого объекта изучения – головного мозга человека, носило однонаправленный характер. Исторически сложилось так, что развитие исследований основывалось на представлении, согласно которому существующий механизм, реализующий многофункциональную интегративную деятельность головного мозга, основан исключительно на процессах межклеточной передачи информации. Такой механизм полностью обеспечивает реализацию функций центральной нервной системы, охватывающих контроль, координацию и регулирование систем и процессов жизнеобеспечения целого организма, сохранение и устойчивость биологического объекта в условиях окружающей среды. Именно поэтому и в настоящее время представление о существовании лишь одного – клеточного уровня обработки и передачи информации продолжает доминировать, а не находящие объяснения проявления несоответствия между реальными техническими параметрами этого механизма и многообразием психической деятельности индивида – его сознанием, творчеством, способностью предвидения и т.д. просто игнорируются. Так же опускаются и такие свойства памяти, как ее объем, огромные скорости выборки, анализа и отбора информации по заданному признаку, ее группировка по заданному алгоритму. И, наконец, игнорируется статистически достоверно установленное существование «пси-феноменов» телепатии и психокинеза (Дин Радин. Сознательная Вселенная, 1998), напрямую связанных со свойствами головного мозга преобразовывать и обрабатывать информацию, поступающую в него на полевом уровне, и целенаправленно, по адресу воздействовать на физические, физико-химические и биологические процессы, протекающие в объектах живой и неживой природы.

К «проколам» современной нейрофизиологии, оперирующей двенадцатью миллиардами нервных клеток, следует отнести и ее неспособность объяснить огромный перебор природы – существование ста двадцати миллиардов (!) глиальных клеток, занимающих до половины объема головного мозга. Большинству из этих миллиардов наука не находит функционального назначения. Однако как в современной научной, так и учебной литературе признается возможное, но совершенно неопределенное участие глии в процессах обмена информа-цией.

В литературе приводятся многочисленные доводы, свидетельствующие против нейробиологической концепции механизма психической деятельности человека. Ей противопоставляется концепция психофизики, утверждающая существование наряду с клеточными механизмами рефлекторных реакций независимого механизма мышления и памяти на полевом уровне – так называемого «Биокомпьютера сознания» (БКС).

Согласно нашим представлениям, функционирование БКС осушествляется как на клеточном, так и на полевом уровне, на котором оно реализуется «Процессором», входящим в состав БКС. Работа Процессора сопряжена с функционированием клеточных структур, реализующих обмен информацией на внутрикорковом уровне, а также между корой и нижними отделами головного мозга на основе прямых и обратных связей между областями коры и ее связей со стволовыми отделами, контролирующими функционирование головного мозга как целого. «Процессор» интегрирован в кору головного мозга. Клеточные структуры коры являются субстратом полевого механизма; нарушение этого единства, выключение полевого механизма проявляется в феноменах потери сознания и амнезии, при крайних их проявлениях – к разрушению Homo sapiens как личности, несмотря на полную сохранность и функционирование всех клеточных структур и систем жизнеобеспечения.

Несмотря на многочисленные свидетельства существования полевого уровня механизмов сознания и памяти, подавляющая часть исследователей и сегодня считает, что их раскрытие возможно путем изучения сложных путей и процессов переноса информации в объеме головного мозга при участии «традиционных» структур – нервных клеток, проводящих волокон и синапсов, например, путем обнаружения белковых молекул – субстрата памяти и т.д. Нам представляется полезным привести по этому поводу цитату из учебного пособия: «Сознание и другие психические феномены являются самым высоким уровнем деятельности мозга, но у биологов не должно быть сомнений в том, что в их основе лежат нейробиологические процессы мозга. Проблема состоит в детальном объяснении, как в этих случаях работает мозг. Возможно, в XXI столетии решение проблемы нейробиологии сознания станет самым важным открытием третьего тысячелетия. Вероятно, мы заблуждаемся, считая, что нейроны и синапсы являют-ся анатомическими единицами сознания» (Шульговский, В.В. Физио-логия высшей нервной деятельности с основами нейробиологии.

Таким образом, судя по современным изданиям, особых надежд на скорое решение «зависших» проблем ортодоксальная наука не питает. Одним из главных аргументов противников полевой концепции механизмов сознания является отсутствие, на их взгляд, физического фактора – носителя информации. На протяжении почти всего ХХ столетия попытки физиков-теоретиков подвести теоретическую базу под существующие феномены (в том числе «пси» - феномены) не принесли успеха. Такой результат легко прогнозировался на самой ранней стадии исследований, поскольку полевая концепция создавалась из предположения электромагнитной (ЭМ) природы носителя информации - единственного для того времени возможного решения задачи. Но, во-первых, ЭМ волны естественного происхождения не способны нести тонкую информацию о психических процессах. Во-вторых, в силу известных физических свойств, в пространстве, занимаемом головным мозгом, возможна регистрация только результата суперпозиции всех источников ЭМ излучения, модулированных «психической» информацией. Ясно, что если бы существовал источник, модулированный «психической» информацией, его «вклад» в существующий сегодня «электромагнитный хаос» был бы исчезающе мал, и интеллект человека был бы сравним с интеллектом дождевого червя.

Вопреки основному аргументу противников полевой концепции механизмов сознания и памяти, физическим фактором, обладающим рядом уникальных свойств, необходимых и достаточных для реализации функций механизмов сознания и памяти, являются поля кручения физического вакуума (ФВ) – торсионные поля (ТП), возникающие при его поляризации. Однако ортодоксальная наука отрицает существование ТП, мотивируя это отсутствием технических средств их регистрации и, следовательно, отсутствием экспериментальных доказательств их существования. Между тем, технические средства для экаспериментального изучения свойств ВНКИЧ были созданы еще в 80-х годах прошлого столетия, а в начале 90-х годов была показана возможность регистрации с их участием ТП, индуцированных генераторами, созданными в Межотраслевом Научно-техническом Центре Венчурных Технологий.

Из сказанного следует, что приоритетным направлением исследований и начальным этапом обоснования полевой концепции механизмов сознания и памяти являлось экспериментальное подтверждение самой торсионной концепции, определение реальных свойств этого излучения и их соответствие представлениям автора концепции. Сведения о техническом обеспечении исследований, использованных методах и результатах выполненной, по-существу, самостоятельной задачи изложены в первой части настоящей работы под названием «Экспериментальное исследование торсионной концепции».

Во второй части монографии рассмотрена модель полевого механизма сознания. Ее содержание посвящено обоснованию участия глиальных клеток в качестве основной структуры полевого уровня механизма сознания и памяти на основе существующего представления о глиа-нейронном взаимодействии как о едином функционально-структурном комплексе коры головного мозга. Рассмотрены модели возможных механизмов переноса информации с клеточного уровня на полевой и с полевого на клеточный; изложена гипотеза о механизме патологического состояния механизма сознания, возникающего при сотрясении мозга.

Весь экспериментальный материал, изложенный в I части монографии, является результатом более чем тридцатилетнего продвижения к пониманию природы таинственного, но реально существующего фактора, обладающего специфическими свойствами. В разные этапы указанного периода этот феномен, подобно отброшенной коже полинявшей змеи, менял свое название – от совершенно вульгарного «Биополя» на «Высокопроникающий неэлектромагнитный компонент излучения человека» (ВНКИЧ) а затем, освободившись от ограничивающих его рамок принадлежности к живой материи, он перешел в категорию физических явлений под именем «Торсионное поле».

Смена названий отражала развитие методов исследования, технической базы и, в конечном счете, представлений об объекте исследований. Ретроспективно такое развитие можно было бы разбить на два периода:

А – анализ и отбор «рабочей» гипотезы из существовавших гипотетических представлений о природе фактора, лежавшего в основе многообразных наблюдавшихся феноменов;

Б – начало (1991 г.) многостороннего изучения свойств индуцированного техническими источниками физического фактора и сравнения их с известными по литературным публикациям свойствами торсионного поля

Именно с появлением торсионных генераторов, созданных

Как характеристические поля объектов живой и неживой природы, так и торсионные поля (ТП), индуцируемые торсионными генераторами (ТГ), обладают одними и теми же свойствами и относятся к информационным полям физического вакуума, а потому наиболее общим названием, объединяющим все рассматриваемые в настоящей монографии феномены, является «Феномен полевых информационных взаимодействий». Имея в виду сказанное, при дальнейшем изложении экспериментальных результатов, полученных с применени-

Согласно представлениям А.Е. Акимова – создателя EGS концепции поляризации физического вакуума, все информационные поля обладают рядом свойств, которые могут служить отличительными признаками информационной природы воздействующего фактора:

- неограниченная дальность распространения в Мировом прост-ранстве;

- распространение (перенос) со скоростью, многократно превышающей скорость света;

- высокая проникающая способность;

- нелокальность;

- способность находить объект воздействия (это свойство ТП лежит в основе известного феномена «адресного воздействия»);

- способность информационных характеристических и торсион-ных полей взаимодействовать между собой (явления спин-спиновых и спин-торсионных взаимодействий).

Наличие перечисленных выше свойств, выделенных курсивом, является необходимым и достаточным условием для обеспечения работы полевого механизма сознания.

Об информационной природе воздействующего фактора можно судить и по индуцирующему его источнику. Такая возможность обусловлена специфическими свойствами естественных источников ТП и технических средств – генераторов, индуцирующих ТП. К ним относятся:

- свойство источников электрических и магнитных зарядов (в том числе распространяющейся ЭМ волны) индуцировать ТП;

- наличие у полей, индуцируемых ТГ, осевой симметрии;

- свойство торсионных генераторов индуцировать одновременно вдоль оси симметрии «левые» и «правые» поля, соответственно, ингибирующие и стимулирующие жизнедеятельность биологических объектов.

Глава 1 части I настоящей работы посвящена ознакомлению читателя с методами регистрации воздействующего фактора, использованными в разное время для проведения экспериментов. Описаны типы преобразователей (детекторов) ТП, с применением которых проводилась регистрация полей неэлектромагнитной природы, приведены их тактико-технические характеристики и дана сравнительная оценка их применимости в различных исследованиях.

В главах 2-6 помещены результаты экспериментальных исследований, целью которых являлось сличение перечисленных выше существующих представлений с реально существующими свойствами, обнаруженными у факторов, индуцируемых квантовыми генераторами – лазерными и светодиодными излучателями. Введено понятие «активной» информации и приведена попытка объяснить механизм ее воздействия на процессы материального мира.

При описании результатов всех проведенных экспериментальных исследований невозможно их полное размежевание по исследуемым признакам. В каждом эксперименте в большей или меньшей степени присутствовали аспекты, связанные с информационным и проникающим свойствами исследуемого фактора. Поэтому при подробном рассмотрении в отдельной главе определенной темы мы по необходимости ссылаемся на экспериментальный материал, размещенный вне этой главы. Рассмотрение различных аспектов, связанных с информационной функцией ТП, изложено в трех отдельных главах, но пронизывает, по существу, весь приведенный экспериментальный материал.


Глава 1. МЕТОДЫ РЕГИСТРАЦИИ ТП

Регистрацию и исследование торсионного излучения, торсионных полей (ТП) и ВНКИЧ осуществляют преобразователями на двойных электрических слоях (ДЭС), преобразователями на полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС), а также с применением биодатчиков: живых организмов – растений, микроорганизмов (например, дрожжей) и т. д.

ДЭС отвечают реакцией на воздействие ВНКИЧ [7], воздействие торсионного генератора Акимова [8] и на обнаруженный в 1997 г. неэлектромагнитный компонент излучения квантовых генераторов [9]. Реакция ДЭС проявляется в виде изменения величины электрического потенциала  (рис. 1.1) и объясняется изменением величины диэлектрической проницаемости в слое Гуи и его эффективной толщины. Описанные свойства позволили создать преобразователи («датчики») для регистрации перечисленных факторов.

Потенциал двойного электрического слоя определяется из выражения:
(1.1)

где  – толщина слоя Гельмгольца,

_ – граничный потенциал между слоями Гельмгольца и Гуи,

 – толщина слоя Гуи,

х – текущая координата с началом отсчета от поверхности элект-рода.


Рис. 1.1. Распределение потенциала

в двойном электрическом слое:

1 – адсорбционный слой (слой Гельмгольца),

2 – диффузный слой (слой Гуи), 3 – жидкая фаза

К электродным асимметричным системам (ЭАС) – преобразователям (датчикам) на двойных электрических слоях (ДЭС), предназначенным для регистрации слабых физических излучений, предъявляется ряд требований, из которых наиболее важными являются: высокая чувствительность к воздействующему фактору, высокое значение отношения сигнал/шум, стабильность во времени, быстродействие, защищенность от вредного воздействия посторонних физических факторов внешней среды естественного, техногенного и антропогенного характера [1]. Главным условием эффективной работы таких преобразователей является неравенство параметров приэлектродных ДЭС – их асимметрия.

Степень асимметрии определяет, прежде всего, чувствительность ЭАС. Другие ее характеристики в большой степени зависят от типа ЭАС – ее конструкции, материала электродов, состава жидкой фазы

Условие неравенства параметров приэлектродных ДЭС определяется следующим. В электродной системе на поверхности раздела жидкой и твердой фазы – на поверхности электродов – возникают ДЭС с потенциалами ₁ и ₂ относительно объема жидкой фазы, удаленного от электродов. В результате, между электродами устанавливается разность потенциалов:

Воздействие фактора внешней среды изменяет потенциалы ₁

где U и есть реакция ЭАС на воздействие внешнего фактора.

Как следует из выражения (1.3), необходимым условием для регистрации этой реакции является асимметрия ЭАС ₁₂, обеспечивающая неравенство нулю величины U.

В ЭАС, имеющей конечные размеры, внешний фактор воздействует одинаково на оба электрода. Поэтому условие (1.3) может быть выполнено только при несовпадении одного или нескольких параметров приэлектродных ДЭС.

1) вытягиванием столба жидкости под одним из электродов [1,

2) применением остеклованного электрода с сформированной геометрией приэлектродного ДЭС [3, 4];

3) формированием ионного состава приэлектродных ДЭС в «токовых датчиках» [5, 6].

Способ 1. Электродная система с вытянутым столбом жидкости. В сосуд с жидкостью на глубину 2-5 мм погружен металлический, например, платиновый электрод Эл.2 (рис. 1.2). На расстоянии 5-20 мм от него на поверхность жидкости опущен электрод Эл.1 из аналогичного материала. После установления контакта с жидкостью электрод Эл.1 приподнимается микрометрическим винтом на некоторую высоту h_кр- h, где h_кр – высота столба жидкости, при которой происходит ее отрыв от электрода.

С увеличением h в ДЭС, возникшем у поверхности электрода Эл1, в результате растяжения жидкости под воздействием собственного веса происходит изменение диэлектрической проницаемости среды, что является одной из двух причин, обуславливающих отличие емкости ДЭС под электродом Эл.1 от емкости ДЭС, возникшего у поверхности электрода Эл.2.

с вытянутым столбом жидкости в составе устройства

для регистрации торсионного излучения:

h – высота столба жидкости; h_кр – критическая высота

(высота отрыва водяного столба);

УПТ – усилитель постоянного тока

Другая причина заключается в различии их геометрии. По мере вытягивания столба жидкости влияние обоих факторов будет возрастать. При h = h_кр степень асимметрии приэлектродных ДЭС и чувствительность ЭС максимальны.

Способ 2. ЭС с остеклованным электродом. Асимметрия достигается путем изменения геометрии ДЭС [3, 4]. С этой целью один из электродов, за исключением его торцовой поверхности, покрывается изоляцией из стекла. Плоский проводящий торец электрода после зачистки погружается в жидкость или устанавливается на ее поверхность.

Способ 3. «Токовая» электродная система. В «токовой» ЭС асимметрия приэлектродных ДЭС достигается путем формирования их ионного состава. Электродная система (риc. 1.3) включается последовательно в замкнутую цепь с источником ЭДС Е_ист и нагрузочным резистором R_н. При прохождении по цепи тока I на концах резистора возникает падение напряжение U = I R_н, которое подается на входы усилителя постоянного тока. Силу тока в цепи контролирует микроамперметр А.

П
од воздействием разнополярных потенциалов, приложенных к электродам, к ним устремляются противоположные по знаку ионы с разными по величине зарядами, образовавшиеся в результате диссоциации воды, перехода в нее компонентов твердой фазы и т.д., формирующие приэлектродные ДЭС. Асимметрия этих ДЭС обусловлена различным по природе ионным составом, его количественными и зарядовыми характеристиками. Реакция такой ЭС на воздействие внешнего фактора выражается изменением средней величины протекающего в ней межэлектродного тока I на величину I, вследствие чего описанная ЭС названа «токовой».

В 1992 г. был создан компьютеризованный комплекс, включающий четыре датчика на ДЭС. Предусматривались компьютерная обработка и просмотр поступающей от них информации, корреляционных кривых и кривых усреднения этой информации в масштабе реального времени. Применение компьютерной техники значительно расширило возможность использования датчиков на ДЭС и повысило эффективность их работы при исследовании реакции на воздействие сверхслабых факторов.

На рис. 1.4 показаны результаты использования в комплексе токовых датчиков, работающих в режимах регистрации изменения средней величины межэлектродного тока и регистрации изменения
АК-процесса на воздействие этого же фактора.




Рис. 1.4. Реакция датчиков на воздействие неактивированной (А)

и активированной (Б) воды.

А: 1 – приход экспериментатора в ЭП; 2 и 3 – начало и окончание воздействия.

Б: 1 – начало, 2 – окончание воздействия

О наличии реакции на сверхслабое воздействие характеристического поля неактивированной воды можно судить по изменению параметров АК-процесса в «частотном» датчике, тогда как реакция «аналогового» датчика представляет собой лишь незначительные по величине флуктуации средней величины межэлектродного тока.

Повышение интенсивности воздействующего фактора (характеристического поля активированной воды) вызвало четкий ответ обоих токовых датчиков (рис. 1.4Б).

На рис. 1.5 показана реакция электродной системы, введенной в АК-режим, на воздействие человека, связанное с изменением его внутреннего состояния. Оператор находился на расстоянии 10 м от датчика в смежном помещении, за железобетонной стеной толщиной 40 см (гл. 6, рис. 6.14). Реакция четко выражена вторым компонентом: в результате воздействия с экспозицией 5 минут период AK возрос втрое, а амплитуда – более чем в два раза.


Рис. 1.5. Изменение параметров АК- процесса в результате
волевого воздействия оператора с экспозицией 5 минут

На рис. 1.6 приведен пример зарегистрированной реакции трех токовых датчиков на воздействие левого и правого ТП, индуцированных генератором Акимова. Совпадение реакций трех датчиков подтверждается приведенным на кривой К результатом корреляционной обработки сигналов на выходах первого и второго датчиков, Отношение сигнал/шум для корреляционной кривой в десятки раз превыша-ет это отношение для сигналов на выходах токовых датчиков (кри-вые 1-3).

и левым (L) ТП. К – корреляционная кривая для датчиков 1 и 2.

Стрелкой, обращенной к кривой, обозначено начало воздействия;
от кривой – его окончание. Прямой линией обозначена смена
воздействия правого ТП на воздействие левым

1.2. Преобразователи на полупроводниковых интегральных

микросхемах
Обнаружено, что при определенных условиях операционные усилители (ОУ) на полупроводниковых интегральных микросхемах (ИМС) реагируют изменением выходного потенциала как при тепловом воздействии, так и на дистантное воздействие человека. Это изменение обусловлено реакцией р-n (n-p) переходов, входящих в качестве функциональных структурных элементов в состав ИМС. Их индивидуальные вклады в суммарный ответ на воздействие не равновелики. Величина реакции каждого перехода обусловлена его функцией в составе ОУ, режимом работы (заданными вольтамперными параметрами, наличием обратных связей) и удаленностью от входного каскада усиления.

При штатном использовании ОУ напряжение на его выходе определяется выражением:

где К₁ и К₂ – коэффициенты усиления инвертирующего и неинвертирующего плеч, соответственно;

U_вх.1 и U_вх.2 – величины напряжений исследуемого сигнала на инвертирующем и неинвертирующем входах;

U_сф. – синфазное напряжение помехи на входах ОУ;

К_у.сф.– коэффициент усиления синфазной помехи, поступающей на входы ИМС.

Третий член в выражении (1.4) – сигнал помехи на выходе ОУ.

Между коэффициентом усиления синфазной помехи К_у.сф. и коэффициентом ее ослабления К_ос.сф. существует зависимость:
К_у.сф. = К_у./ К_ос.сф. , (1.5)

где К_у. – коэффициент усиления ОУ с учетом вводимой обратной связи, а величина коэффициента подавления синфазной помехи К_ос.сф., приводимая в справочной литературе, обычно составляет 60-80 дБ.

При использовании ОУ в штатном режиме, в случае U_вх.1 = U_вх.2 = 0, U_вых. = U_сф.·К_у.сф. представляет собой напряжение синфазной помехи.

В общем случае оно может возникать не только за счет подведения напряжения такой помехи ко входу ОУ, но и за счет факторов, воздействующих на полупроводниковую ИМС в целом или на отдельные ее элементы. Таким фактором является, например, тепловой – инфракрасное электромагнитное излучение. Если принять, что все каскады ОУ одинаково восприимчивы к тепловому воздействию, то учитывая равное распределение воздействующего теплово­го фактора на все р-n (n-p) переходы в объеме ИМС, изменение напряже-

Реакция ОУ на дистантное воздействие человека так же, как и на тепловое воздействие, выражается изменением его выходного потенциала U_вых.Σ на величину ΔU_вых.Σ. Таким образом, ОУ на ИМС при закороченных входах можно рассматривать как чувствитель­ный элемент – датчик, реагирующий на воздействие инфракрасного излучения и ВНКИЧ. В этом случае величину ΔU_вых.Σ следует рассматривать не как напряжение помехи, а как полезный сигнал на выходе датчика.

При использовании ОУ в качестве датчика излучения исследуемый фактор воздействует непосредственно на р-n (n-p) структуры неинвертируемого и инвертируемого каналов. Неинвертируемый и инвертируемый входы ОУ заземляются, при этом первые два члена в выражении (1.4) исчезают, а величина ΔU_вых.Σ на выходе ОУ определяется только интенсивностью исследуемого фактора, воздействующего на ОУ.

Из (1.5) видно, что значение К_у.сф. возрастает с увеличением коэффициента усиления ОУ и при снижении К_ос.сф. Увеличение коэффициента усиления ОУ лимитируется условием стабильности его работы. Поэтому основной задачей, возникающей при использовании ОУ в качестве датчика, становится снижение заданного паспортного значения К_ос.сф. Эта задача, обратная подавлению синфазной помехи, достигается установлением неравенства величин К₁ и К₂, например, путем установления асимметрии (неравенства) величин ЭДС разнополярных источников питания ИМС.

Функция ИМС как сенсорного элемента не изменится, если на один из двух ее входов подать выходное напряжение с аналогичного сенсорного элемента. При этом оконечный сенсорный элемент может одновременно выполнять функцию усилителя постоянного тока (УПТ). С увеличением количества сенсорных элементов величина отношения полезного сигнала к шуму возрастает.

Показано, что с помощью детектора, составленного из двух последовательно включенных ОУ и, по существу, представляющего собой усилитель постоянного тока (УПТ) с закрытым входом, можно проводить биофизические исследования, связанные с дистантным воздействием человека. Нормальная работа такого детектора возможна только при изотермическом режиме.

Эксперименты показали, что при снижении величины ЭДС разнополярных источников питания (в 3 – 4 раза относительно номинала, но при сохранении равенства их значений) не менее 20% ИМС ти-
па К553УД1А приобретают способность реагировать на дистантное воздействие человека.

На рис. 1.7А приведены результаты двух волевых воздействий (ВВ) человека на ИМС типа К553УД1А, а на рис. 1.7Б – блок-схема установки.

На выходе ИМС включена интегрирующая цепочка RC. Питание ОУ осуществлялось от двух батарей типа 3336 («Планета»).

Рис. 1.7. А – реакция МС на волевые воздействия

Б – схема включения операционного усилителя

ИМС с источниками питания находились в изготовленной из стального листа толщиной 1мм металлической камере разме-
ром 400·480·500мм, экранирующей объект от внешних статических и низкочастотных электрических полей, аэроионов, конвекционных потоков воздуха и светового (за исключением инфракрасного) излучения. Постоянная времени интегрирующей RC–цепи, включенной на выходе ИМС, составляла 3,75 ceк.

На рис. 1.7Б показана схема датчика на ИМС в составе установки для регистрации реакции на воздействие внешних факторов. На выходе ИМС включена интегрирующая цепочка RC.

Напряжение с выхода ИМС с помощью экранированного кабе­ля подавалось на вход УПТ, о котором заранее было известно, что он не отвечает на дистантное воздействие человека. После усиления это напряжение поступало на один из входов двухканального регистратора ТZ-4221 (ЧССР). Экранирующая камера, электронная схема внутри нее, УПТ и регистратор были заземлены. Калибровка осуществля-
лась путем подачи калибровочного напряжения на неинвертирующий
вход ИМС.

После выхода всей аппаратуры на режим, в отсутствии людей производилась регистрация фонового уровня выходного потенциала ИМС. Спустя некоторое время оператор входил в помещение и, расположившись в 0,5 метра от экра­нирующей камеры, начинал волевое воздействие. Начало волевого воздействия ВВ отмечено стрелкой, обращенной к кривой; окончание – от кривой.

На рис. 1.7A, величина ЭР на волевое воздействие оператора в два раза превосходила уровень шумов ИМС: она превышала 12 - 14 мкВ при напряжении шума порядка 6 -7 мкВ. Изменения потенциала совпадают по времени с началом и окончанием первого ВВ и с началом второго ВВ, однако реакция на окончание второго воздействия отсутствует.

На рис. 1.8 приведены результаты двух экспериментов с двумя последовательно включенными ИМС типа К553УД1А, предварительно отобранными по признаку чувствительности к волевому воздействию человека. ЭДС источников питания составляла ± 4,5 В. Входы первого ОУ были закорочены. На выходе второй ИМС включена интегрирующая RC-цепь с постоянной времени 3,75 сек. Для синхронной регистрации реакции обоих ОУ, сигнал с выхода первой ИМС (кри-

В первом эксперименте (рис. 1.8А) величина шумов на выходе первой ИМС составила 6-8 мкВ, в то время как величина реакции на волевое воздействие составляет 5-6 мкВ (рис. 1.8A-1) и соизмерима с величиной шума, а на выходе второй ИМС она составляет порядка 25—30 мкВ и превышает величину шума в 2 - 3 раза (рис. 1.8А-2).

Во втором эксперименте (рис. 1.8) также четко видна реакция
на ВВ: на выходе второй ИМС ее величина составляет порядка 25-
30 мкВ и превышает величину шума в 2 - 3 раза (рис. 1.8Б-2).

Рис. 1.8. Реакция на волевое воздействие

на выходе детектора на ИМС с двумя

последовательно включенными микросхемами

Реакцию на выходе ИМС, возникающую в ответ на дистантное воздействие человека при равных значениях ЭДС разнополярных источников питания, можно повысить путем подбора их величины.

Детекторы на ИМС использовались в экспериментах, проводившихся при исследовании свойств ВНКИЧ (гл. 6).


1.3 Биологические детекторы
Мы рассмотрели два типа преобразователей, которые можно использовать для регистрации ТП. При соблюдении определенных условий для каждой из этих систем их реакция может быть адекватной внешнему воздействию. Это значит, что при определенных параметрах самих систем и определенных внешних условиях (например, при соблюдении температурного режима) указанные системы могут быть использованы в качестве датчиков. Одним из таких (пока невыполнимых) условий, общим для обоих типов систем, является наличие необходимой для калибровки единицы измерения. Что касается биологических детекторов, в качестве которых могут быть использованы растения или микроорганизмы, их реакция на воздействие внешних факторов сопряжена с изменением жизнедеятельности и имеет сложный (для микроорганизмов необратимый) характер.

При использовании растений в качестве биологического детектора

реакция, возникающая в ответ на воздействие излучения исходящего от человека, может быть выражена изменением величины электрического потенциала, возникновением или изменением направления тренда потенциала, изменением электрической активности (изменением спектрального состава флуктуаций электрического потенциала, возникновением автоколебаний и изменением их параметров – частоты или амплитуды), возникновением импульсной активности и т.д). Реакция может содержать один, несколько или все перечисленные компоненты. Возможны любые их сочетания.

Во всех случаях реакция может носить следовый характер: каждый из перечисленных элементов, возникнув в результате воздействия, может сохраняться на протяжении длительного периода после прекращения воздействия. Часты случаи возникновения «отложенной» реакции, возникающей сразу после прекращения воздействия или спустя некоторое время после него. Очень часто реакция на прекращение воздействия по величине превышает реакцию на его начало.

Рассмотрим эту возможность на примере результата эксперимента с инактивированным кактусом (рис. 1.9). Кактус, лишенный освещения и полива на протяжении 12 суток, находился в экранирующей камере. К началу эксперимента электрическая активность на поверх-ности кактуса проявлялась в виде коротких и редких всплесков потенциала – импульсов с амплитудой около 100 мкВ и частотой следования порядка 1 имп/минуту.

Воздействия первого рода производились на кактус без нару-шения темнового режима, при закрытой крышке камеры путем подведения к нему с помощью штока стальной пластины площа-

возникавшие в результате подведения к его поверхности стальной

пластины и воздействия светом. Цифрами в кружках (позиция 5)

обозначена длительность светового воздействия

Девятиминутное воздействие на кактус путем подведения стальной пластины (позиции 1-2) вызвало изменение величины потенциала (сдвиг потенциала) на поверхности кактуса на 1 мВ и привело к прекращению электрической активности. Спустя 2-3 минуты после окончания воздействия началось восстановление межэлектродной разности потенциалов, за которым последовало возникновение длительного тренда потенциала величиной порядка 3,5 мВ/час.

Восстановление электрической активности после окончания первого воздействия происходило на протяжении получаса. Реакция, возникавшая в результате трех следующих подобных воздействий, была слабее, и восстановление импульсной активности проходило быстрее, что особенно наглядно выразилось при последних воздействиях (позиции 6-7 и 8-9), проводившихся после серии коротких световых воздействий длительностью от 16 до 45 с.

В результате световых воздействий электрическая активность, напротив, резко возросла, что выразилось (примерно через 5 минут после окончания последнего светового воздействия) значительным скачкообразным увеличением частоты следования импульсов.

По характеру реакций на воздействия можно заключить, что все они приводили к изменению физико-химических процессов на тканевом (возможно, организменном) уровне. Незначительная энергетическая накачка путем светового воздействия привела к включению фотосинтеза и резкому ускорению ферментативных процессов.

На основании приведенных экспериментальных результатов можно заключить, что биологические сенсорные системы (преобразователи) не могут быть откалиброваны и не могут выполнять функцию датчика. Их можно использовать в качестве индикатора ТП (ВНКИЧ), а для количественной оценки «интенсивности» воздействующего фактора (точнее, его биологической активности) необходимо воспользоваться методом сравнения состояния исследуемого образца с состоянием контрольного образца, не подвергшегося воздействию исследуемого фактора. Применение этой методики с участием микроорганизмов, например дрожжевых клеток, исключительно удобно вследствие быстрого протекания процессов, и использовалась нами на протяжении нескольких лет в основном при исследовании проблем, связанных с внедрением ТП в прикладных областях – в медицину, в биотехнологии и производство продуктов питания.

Литература

2. Музалевская Н.И., Бобров А.В., Шрайбман Ф.О. Двойной электрический слой в первичном звене механизма действия слабых сверхнизкочастотных магнитных полей на биологические объекты // Информационные взаимодействия в биологии. Изд. ТГУ, Тбилиси, 1990, с. 165-172.

3. Бобров А.В. Сенсорные свойства двойных электрических слоев в биологии и в технике регистрации слабых и сверхслабых излучений. МНТЦ ВЕНТ, препринт N 54, 1995, с. 3-14.

4. Бобров А.В. Моделирование реакции живых систем на внешние воздействия. Современные проблемы изучения и сохранения биосферы. Гидрометеоиздат С.-Пб 1992, с. 227-244.

5. Бобров А.В. Сенсорные свойства ДЭС и возможный механизм реакции на воздействие факторов внешней среды. Сб. тезисов и
докладов на Международном конгрессе «Биоэнергоинформатика.» (БЭИ-98), Том 2, Барнаул, 1998, с. 11-16

6. Бобров А.В. Модельное изучение механизма рецепции // Информационные взаимодействия в биологии. Изд. ТГУ, Тбилиси , 1990, с. 151-162.

7. Бобров А.В. Инструментальное исследование природы и свойств высокопроникающего нетеплового компонента излучения человека. МНТЦ ВЕНТ, препринт N 55, 1995, с. 15-60.

8. Бобров А.В. Реакция двойных электрических слоев на воздействие торсионного поля. ВИНИТИ, деп. № 1055-В97, М., 97, 26 с.

9. Бобров А.В. Торсионный компонент электромагнитного излучения. Информационные торсионные поля в медицине и растениеводстве. ВИНИТИ, деп. № 635-В98, М., 1998, 41 с.

Глава 2. ТОРСИОННЫЙ КОМПОНЕНТ ИЗЛУЧЕНИЯ

КВАНТОВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ

Индуцирование торсионного излучения электромагнитными (ЭМ) источниками, в том числе распространяющейся ЭМ волной, было предсказано А.Е. Акимовым еще в начале 90-х годов в рамках развиваемых им представлений о EGS-поляризационных состояниях физического вакуума (ФВ). По Акимову, «внесение заряда в спинскомпенсированный физический вакуум приводит к спиновому пространственному расщеплению. В результате спины оказываются нескомпенсированными, что будет равносильно появлению торсионной компо-ненты в электромагнитном поле... Электромагнитные поля всегда содержат торсионную компоненту, что является важным фундамен-тальным фактом. Торсионное поле (ТП) будет наблюдаться как в электростатическом поле, так и в электромагнитном излучении» ([1], с. 21-22).

Развитие этого положения на уровне теоретической электродинамики было продолжено в работе [2]. Согласно Г.И. Шипову, «ускоренная частица, обладающая спином (например, электрон, переходящий с одной комптоновской орбиты на другую), излучает одновременно как электромагнитное, так и торсионное поля» ([2] с. 193). Была определена постоянная электроторсионного взаимодействия с ядром. Установлено, что сила электроторсионного взаимодействия электрона с ядром атома водорода слабее электростатического взаимодействия (4,8х10^-2 дин) и больше силы гравитационного взаимодействия (6х10^-43 дин) и равна 2,9х10^-4 дин ([2] с.194). Существование электроторсионного взаимодействия подтверждается наличием зависимости биологических свойств торсионного компонента КГ от энергии кванта ЭМ-излучения квантовых генераторов (см. ниже п. 2.4).

Торсионный компонент излучения квантовых генераторов (КГ) – лазеров и светодиодных излучателей, обнаруженный в 1997 г. [3], а также торсионный компонент распространяющейся электромагнитной волны [4] – яркие подтверждения торсионной концепции.

Использовался гелиевый лазер типа ЛГ-209.

Методика эксперимента основана на явлении высокой чувствительности к воздействию внешних факторов, описанного в п. 1.2 автоколебательного (АК) процесса, возникающего в токовой электродной системе.

Электродная система содержала два одинаковых платиновых электрода толщиной 0,1 мм, опущенных в дистиллированную воду. В качестве сосуда для жидкости использовался тонкостенный стеклянный стакан диаметром 80 мм. Расстояние между излучателем и электродной системой составляло 1,5 м.

АК-процесс возник в результате воздействия лазерного луча на один из двух электродов и продолжался более 5 часов (рис. 2.1).

Рис. 2.1. Результаты эксперимента с гелиевым лазером, в котором

впервые был обнаружен второй – неэлектромагнитный

компонент излучения квантовых генераторов

Прекращение светового воздействия при выключении лазера привело к срыву автоколебаний (позиция 1), а его повторное включение – к возобновлению АК (позиция 2). Автоколебания продолжились и при перекрытии светового луча светонепроницаемым экраном (пози-

Дальнейшие эксперименты с применением лазерного инфракрасного (λ=890 нм) и светодиодного (λ=630 нм) импульсных излучателей подтвердили существование неэлектромагнитного компонента.

На рис. 2.2 показаны изменения частоты колебаний на выходе полупроводниковой интегральной микросхемы, возникавшие при воздействии на нее лицевой и обратной стороной источника некогерентного излучения на светодиодах. Микросхема находилась внутри экранирующей камеры, выполненной из листового дюраля толщиной 1мм.

Позиция 1 на рис. 2.2А – начало воздействия лицевой стороной излучателя. С началом воздействия частота на выходе детектора резко возросла; позиция 2 (это окончание воздействия) – частота на выходе снизилась.

Позиция 1 на рис. 2.2Б – воздействие лицевой стороной излучателя; позиция 2 – воздействие обратной стороной (излучатель повернут на 180^о, световое излучение распространяется в направлении, противоположном направлению на детектор). Как и в опыте на рис. 2.2А, при воздействии лицевой стороной излучателя частота колебаний генератора возросла. При воздействии обратной стороной частота колебаний стала ниже исходной.

В опыте (рис. 2.2В) воздействие производилось в обратном порядке: позиция 1 – излучателем, повернутым на 180^о; позиция 2 – лицевой стороной излучателя. В первой позиции частота на выходе детектора упала ниже исходной; во второй – стала выше исходной.

Результаты экспериментов (рис. 2.1 и 2.2) свидетельствуют о том, что фактор, вызывающий реакцию детекторов, является неэлектромагнитным компонентом излучения источников светового и инфракрасного света и имеет торсионную природу, а использованные нами излучатели ЭМИ – это торсионные генераторы, подобные торсионному генератору с аксиальной симметрией, описанному в [1].

Доказательством торсионной природы обнаруженного неэлектромагнитного компонента, исходящего от этих источников, служит, во-первых, его высокая проникающая способность; во-вторых, – свойство этого компонента вызывать полярные (противоположные по знаку) реакции.

интегральной микросхемы, возникавшие при воздействии

на нее излучением, исходившим от прямой и обратной стороны

излучателя на светодиодах

В экспериментах (рис. 2.2) это свойство выражалось снижением и повышением частоты на выходе детектора относительно исходной, что согласно [1], свойственно торсионным полям левой и правой поляризации, возникающим симметрично относительно плоскости источника ТП. И, наконец, третьим и наиболее весомым доказательством является экспериментально обнаруженная способность этого компонента нести информацию о структуре спиновых систем молекул различных веществ (см. ниже, главу 3).

2.2 Распространение торсионного компонента излучения КГ
Исследование в 2001 г. распространения торсионного компонента излучения квантового генератора с применением биологического детектора – сухих дрожжей – позволило высказать предположение об индуцировании торсионного излучения как непосредственно источником, так и распространяющейся электромагнитной волной. В 2004-2005гг. было продолжено детальное изучение свойств торсионного компонента излучения, исходящего от излучателя на светодиодах, и его распространение в пространстве.
Методика

Эксперименты проводились с применением разработанного ранее метода исследования эффективности информационного воздействия на биологический объект – детектор торсионного излучения. Метод основан на одновременной регистрации и последующем сравнении показателя жизнедеятельности микро-организмов в группе популяций, подвергшихся воздействию, с показателем жизнедеятельности в группе контрольных популяций, на которые информационное воздействие не производилось. В качестве биологического детектора торсионного компонента использовались сухие дрожжи, заключенные в стальной контейнер с завинчивающейся крышкой, недоступные

О величине ПЗА в популяции судили по газовыделению.

Показатель жизнедеятельность клеток определялся из выражения:
(2.1)

где (ПЗА)_эксп. – средняя величина показателя зимазной активности в группе экспериментальных популяций;

(ПЗА)_контр. – средняя величина показателя зимазной активности в группе контрольных популяций.

О величине ПЗА в популяции судили по газовыделению.

В качестве источника торсионного компонента излучения испо-льзовался импульсный светодиодный излучатель желтого света,
содержащий 100 светодиодов типа КИПД40ж20-ж п6 (длина вол-
ны λ=590 нм, световое пятно 100х100 мм). Частота повторения импульсов – 3,2 кГц; длительность импульса возбуждения – 150 нс; продолжительность воздействия – 90 с.

В каждом эксперименте создавались две группы из 8-ми экспериментальных популяций и 8-ми контрольных, в которых информационное воздействие на дрожжи не производилось.

С целью повышения достоверности результатов проводились серии из 10 однотипных экспериментов. В каждой серии выборки для определения среднего значения показателя жизнедеятельности содержали 80 чисел.
Результаты экспериментов

Кривые распределения зависимости показателя жизнедеятель-ности дрожжевых клеток от расстояния между ними и квантовым

По оси ординат отложены значения показателя жизнедеятельности в процентах. Значения в области 0-15 м получены при воздействии на дрожжи фронтальной (излучающей свет) стороны излучателя. Влево от оси ординат (в области от 0 до -5 м) отложены значения показателя эффективности, полученные при воздействии обратной (тыльной) стороной излучателя (световое излучение отсутствует).

Эффективность торсионного воздействия на дрожжи фронтальной и тыльной сторонами излучателя различна (рис. 2.4). При воздействии фронтальной стороной наибольшее значение показателя эффективности получено при расположении излучателя на малом (0,1 м) расстоянии от контейнера с дрожжами.

Рис 2.4. Зависимость показателя жизнедеятельности дрожжевых клеток

от расстояния между излучателем и контейнером с дрожжами

С увеличением расстояния до 3 м показатель эффективности снижался с 3,7 % до 1,5%. При дальнейшем увеличении расстояния от
3 до 15 м показатель эффективности снизился на 0,5 %.

Полученная экспериментально зависимость показателя эффективности информационного воздействия от расстояния между биологическим детектором и светодиодным излучателем свидетельствует о наличии двух источников, воздействующих на биологический детектор. Поскольку наличие стального экрана толщиной 25 мм полностью исключало непосредственное воздействие на детектор светового излучения, остается считать, что реакция дрожжей обусловлена одним и тем же фактором неэлектромагнитной природы, индуцированным этими источниками электромагнитного излучения. Мы полагаем, что одним из таких источников, проявляющим себя на расстоянии от 0 до 3-х метров, является ближнее поле светодиодного излучателя. Вторым источником является распространяющаяся электромагнитная волна.

Распределение информационного воздействия в указанной области может быть обусловлено результатом суперпозиции двух торсионных компонентов, индуцированных излучателем ближнего поля и распространяющейся световой волной. С увеличением расстояния вклад первого из них снижается. На расстоянии более 3-х метров проявляется действие только торсионного компонента, индуцированного распространяющейся световой волной.

Медленное снижение величины показателя эффективности с 1,5% до 1% при увеличении расстояния от 3 до 15 м объясняется снижением интенсивности исходящего от излучателя интегрального светового компонента, обусловленного уменьшением интенсивности свечения каждого светодиода в пределах угла расходимости его диаграммы направленности.

Показатели жизнедеятельности дрожжей, подвергавшихся воздействию тыльной стороной излучателя на расстоянии до 1,5 м, выше этого же показателя в группе контрольных популяций, но значительно ниже показателя в группе популяций, подвергавшихся воздействию прямой стороной излучателя при аналогичных расстояниях. Положительная реакция дрожжей на воздействие тыльной стороной излучателя снижается до нуля с увеличением расстояния до 1,5 м. При большем расстоянии этот показатель инвертирует – становится ниже величины показателя жизнедеятельности микроорганизмов в контрольных популяциях.

По данным А.Е.Акимова, жизнедеятельность биологических объектов повышается в результате воздействия правого торсионного поля и подавляется левым ТП. Плоскость, разделяющая эти поля, совпадает с плоскостью излучателя; ось симметрии с расположенными на ней фокусами (максимумами в диаграмме направленности) перпендикулярна плоскости излучателя.

Описанное выше распределение торсионного компонента в пространстве по обе стороны от излучателя указывает на универсальность свойства аксиальной симметрии торсионных генераторов, присущее также и квантовым источникам торсионного излучения. Действительно, на рис. 2.4 в области справа от оси ординат на всем ее протяжении действует только фактор, стимулирующий жизнедеятель-ность микроорганизмов. В области, расположенной слева от оси ординат (результаты, полученные воздействием тыльной стороны излучателя), световое излучение отсутствует; проявляется действие фактора, ингибирующего жизнедеятельность микроорганизмов.

Изложенные результаты, несмотря на их кажущуюся простоту, не находят однозначной интерпретации. При детальном рассмотрении возникает проблема, суть которой заключается в следующем. В области, расположенной слева от оси ординат (результаты, полученные в результате воздействия тыльной стороной излучателя), «сосуществуют» и, по-видимому, взаимодействуют два фактора – стимулирующий (правое ТП) и ингибирующий (левое ТП). Можно предположить, что асимметричное распределение правого ТП (его «вторжение» в рассматриваемую область) обусловлено суперпозицией неравных по величине левого торсионного поля, индуцированного ближним полем излучателя и большего по величине правого торсионного поля, индуцированного одновременно излучателем и распространяющейся световой волной.

На рис. 2.5 представлены результаты исследования диаграммы направленности излучателя на светодиодах, расположенного на расстоянии 1 м от контейнера. На оси абсцисс отложены значения угла поворота плоскости излучателя относительно направления на контейнер с дрожжами; на оси ординат – значения показателя жизнедеятельности дрожжевых клеток.

Рис. 2.5. Зависимость эффективности информационного
воздействия на дрожжи, заключенные в контейнер, от угла поворота
плоскости излучателя относительно направления на контейнер:

А - воздействие фронтальной стороной излучателя; Б - обратной стороной

Всего было проведено 8 серий по 10 однотипных экспериментов. В каждой серии выборки для определения среднего значения показателя жизнедеятельности содержали 80 чисел.

При воздействии фронтальной стороной излучателя с расстояния 1 м (рис. 2.5А), изменение направления плоскости излучателя относительно направления на контейнер на 22,5^о приводит к быстрому снижению эффективности информационного воздействия с 3,1% до 1%. При дальнейшем повороте плоскости излучателя до 67^о снижение эффективности воздействия незначительно. Снижение эффективности до 0% наблюдается при увеличении угла поворота в области от 67^о

При воздействии тыльной стороной (рис. 2.5Б) происходит плавное снижение показателя эффективности информационного воздействия на величину от -0,6 % (поворот плоскости излучателя на 22,5^о) до 0,1% (поворот на 90^о).

В экспериментах, целью которых являлось исследование зави-симости затухания торсионного компонента излучения КГ от типа излучателя и энергии кванта электромагнитного компонента, в качестве источников излучения использовались:

- импульсный лазерный излучатель ЛИ (длина волны ЭМ компонента излучения λ=890 нм, мощность в импульсе – 5 Вт, средняя мощность – 5 мВт,

- импульсный излучатель СД-кр. на светодиодах типа АЛ336А (λ=680 нм), составленный из 15 светодиодов, диаметр светового пятна 20 мм;

- импульсный излучатель СД-зел. включавший 100 светодиодов типа АЛ336В (λ=530 нм), световое пятно 100х100 мм;

Для всех перечисленных излучателей частота следования импульсов возбуждения составляла 3,2 кГц; длительность импульсов - 120-150 нс.

В
А
4-х сериях из 10 экспериментов информационные воздействия на дрожжи производили через экран из нержавеющей стали толщиной 25 мм. С этой целью дрожжи перед облучением помещали в контейнер с завинчивающейся крышкой (рис. 2.6).