172
11.7 -сурет.
Балқымалы транзистордың құрылымы
Балқыма технологиядан
дайындалған осындай р—
п—
р-типті кристалдың құрылымы 11.7-суретте
көрсетілген. Донор қоспасы бар n-типті жартылай
өткізгіштің пластикасы аз мөлшерде енгізіледі.
Оған екі жағынан да акцепторлық қоспалар
жіберіледі: германий үшін — индий, кремний үшін
- алюминий.
Термиялық өңдеу кезінде, акцепторлардың
қоспасының атомдары
р-аймағын құрып, кристалға енеді.
р-аймақтар мен n-типті жартылай өткізгіштер арасында
р—
п-
ауысулар пайда болады. Қоспаларды енгізу процесі бір р-аймақта
екінші жағынан жоғары концентрациясы бар етіп реттеледі. Ең
үлкен қоспалар концентрациясы
п-типтің
орташа аймағында
қалады.
Қоспаның ең үлкен концентрациясы бар сыртқы аймақ
эмиттер, екінші сыртқы аймақ —
коллектор, ал ішкі аймақ —
база
деп аталады. Эмитент пен база арасындағы электронды-кемітікті
ауысу
эмиттерлік ауысу,, ал коллектор мен база арасындағы —
коллекторлық ауысу деп аталады.
Электрлік тербелістерді күшейту үшін транзисторды пайдалану
басқарылатын құрылғы ретінде
оның жұмыс принципіне
негізделеді. Екі түрдегі транзисторлардың жұмыс принципі бірдей.
Олардың айырмашылығы мынада, олар үшін қорек көздерін қосу
полярлығы керісінше болып табылады. Осыған сəйкес
p—п—p-
типті транзисторда коллекторлық тоқ тесіктердің, ал
п—p—п-типті
транзисторда
—
электрондардың
қозғалысымен
түзіледі.
Аймақтардың əрқайсысына транзистор схемаға қосылатын
шығыстар дəнекерленген.
Биполярлық транзистордың əрекет
ету принципі электр
зарядтарының негізгі тасымалдаушыларын эмиттерлік аймағынан
база арқылы коллектор аймағына тасымалдау кезінде пайда
болатын физикалық үрдістерді пайдалануға негізделген.
Күшейту
режимінде
транзисторды
пайдаланған
кезде,
эмиттерлік ауысу тура бағытта, ал коллекторлық ауысу кері бағытта
жылжиды. Эмиттерлік ауысудың міндеті негізгі эмиттер
тасымалдағыштарын базалық аймаққа инжекция (шашу)
болып
табылады.
Транзисторда үш электрод бар, оның біреуі кіріс, екіншісі -
шығыс, ал үшіншісі - кіріс жəне шығыс тізбектері үшін ортақ.