|
Силовые модули на базе igbt и frd 2М435А,Б,в км435А,Б,В
|
| Дата | 07.04.2016 | | өлшемі | 35.06 Kb. | | #70078 |
|
Силовые модули
на базе IGBT и FRD
|
2М435А,Б,В
КМ435А,Б,В
| |
Силовые модули 2М435А-В, КМ435А-В изготавливаются
на базе транзисторов IGBT ( БТИЗ – биполярных транзисторов
с изолированным затвором), диодов FRD (БВД – быстровосста-
навливающихся диодов) в стандартном корпусе размером
61х106х30 мм с изолированным основанием.
Основные характеристики:
- малая мощность управления
- малые коммутационные потери
- высокие скорости коммутации
- стойкость к перегрузкам
- низкое падение напряжения
|
Umax=1200В
Ic max=200,300,400А
|
 1
3
 2
4
|
Предельные параметры
|
Наименование параметра,
единица измерения
|
Буквенное
обозначение
|
Норма
|
А
|
Б
|
В
|
Максимально допустимое напряжение изоляции, В
|
Uизол
|
2500
|
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, В
|
Uкэ мах
|
1200
|
Максимально допустимое напряжение затвор-коллектор, В
|
Uзк мах
|
1200
|
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер, В
|
Uзэ мах
|
± 20
|
Максимально допустимый ток коллектора, А
|
Iк мах
|
200
|
300
|
400
|
Электрические параметры при Т=+ 25°С
Наименование параметра,
(режим измерения),
единица измерения
|
Буквенное
обозначение
|
Норма
|
А
|
Б
|
В
|
Ток утечки коллектора, мА
(Uзэ =0В) Uкэ = 1200В
Uкэ = 960В
|
Iкэ ут
|
4
2
|
6
3
|
8
4
|
Ток утечки затвора, нА
(Uзэ = ± 20В, Uкэ =0)
|
Iзэ ут
|
± 500
|
Пороговое напряжение, В при
Iкэ = 8 мА 2М435А, КМ435А
Iкэ = 12 мА 2М435Б, КМ435Б
Iкэ = 16 мА 2М435В, КМ435В
|
Uзэ пор
|
2,5 – 6,5
|
2,5 – 6,5
|
2,5 – 6,5
|
Напряжение насыщения коллектор – эмиттер, В при Uзэ = 15В
Iк = 200А 2М435А, КМ435А
Iк = 300А 2М435Б, КМ435Б
Iк = 400А 2М435В, КМ435В
|
Uкэнас
|
< 3
|
< 3
|
< 3
|
Прямое падение напряжения на
обратном диоде, В при Uзэ = 0В
Iпр = 200А 2М435А, КМ435А
Iпр = 300А 2М435Б, КМ435Б
Iпр = 400А 2М435В, КМ435В
|
Uпр
|
< 2,8
|
< 2,8
|
< 2,8
|
Габаритные размеры
Расположение выводов
1- коллектор
2,4 - эмиттер
3 - затвор
|
Достарыңызбен бөлісу: |
|
|
