Мазмұны Кіріспе І – Тарау; Әдебиеттерге шолу
Кристалдар ығысуының практикалық және теориялық беріктілігі
жүктеу/скачать 5.67 Mb.
|
| 1.7 Кристалдар ығысуының практикалық және теориялық беріктілігі
Кристалдың пластикалық ағуының негізгі механизмі - ығысудың (сырғанаудың) пайда болуы. Көп уақытқа дейін бір мезгілде барлық сырғанау жазықтарда кристалдың бір бөлігі екінші бөлігінен ығысудың арқасында болады деп келген (2.5.-сурет). 2.5.-сурет Мұндай ығысу болуына қажетті тангенциалды кернеуді жобамен есептеп көрейік. Бұзылмаған тордың екі жағын бір-біріне параллель жазықтықтағы атомдар минимальды потенциал энергияға ие орындарында орналасқан болады. Олардың бір-бірімен әсерлесу күші нольге тең болады. Бір атом жазықтығының екінші атом жазықтығынан ығыса бастағанда ығысуға қарсы және тепе-теңдікті орнатуға жанама күш пайда болады. Бұл күштерге ығысуға тәуелді синусоидалы заңды қолданайық (2.6.-сурет), яғни ығысуға қарсы кернеуді мынадай түрде жазамыз: (2.3) мұндағы, х-тепе-теңдік орнынан атомның ығысқан шамасы, А-тұрақты. 2.6.-сурет Атомның ығысқан шамасы кіші, аса үлкен болмағанда болады, сондықтан (2.4) Екінші жағынан, ығысу аз болғанда Гук заңы орындалады, яғни (2.5) мұндағы, G-ығысу модулі, d – жазықтықтар ара қашықтығы. (2.5.) және (2.6) қатынастардан мынаны жазуға болады: (2.6) Онда (2.7) болғанда, максимал мәнге ие болады: (2.8) в=d деп есептесек, мынаны аламыз: (2.9) Сонымен кристалдың бір бөлігін екінші бөлігінен сырғанататын кернеу ығысу модулінің жобамен оннан біріне тең екен. Атомдар арасындағы байланысты дәлірек есептегенде, алынған нәтиже елеулі өзгеріс бермейді. -ның төменгі мәні G/30-ға тең. Бірнеше кристалдардың теориялық және нақты (эксперименттен анықталған) беріктілігі 2.3.-кестеде көрсетілген. 2.3-кесте
Бұл шамаларды салыстырғанда кристалдардың нақты ығысуға беріктілігі 3-4 қатарға теориялық есеппен алынған беріктіліктен төмен екендігін көруге болады. Бұл нақты беріктіліктің теориялық беріктілікке сәйкес келмеуінен кристалдағы барлық жазықтықтарда бір мезгілде атомдардың бірінен-бірі ығыспайтындығына алып келеді, әрбір ығысу мерзімінде кристалл бөліктерінің ығысуында барлық атомдар қатыспай, тек аз мөлшердегі атомдар қатысады деген механизмді ұсынған дұрыс деген ойды тудырады. Бұл ұсыныс, яғни атомдардың ығысу механизмі кристалдардың пластикалық ағуына дислокациялық теорияның дамуына алып келді. жүктеу/скачать 5.67 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
| ||||||||||||