Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»



жүктеу/скачать 1.1 Mb.
бет4/16
Дата25.06.2016
өлшемі1.1 Mb.
#157200
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   16

  • Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов, связанных с отрицательными ионами в диэлектрической среде // Физика твердого тела. 1992. Т.34. №6. С.1671-1675.

  • Прокопьев Е.П. Позитроний в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. 1992. Т.26. Вып.10. С.1681-1687.

  • Прокопьев Е.П. О взаимодействии вещества и антивещества. Системы -Н, р- и Н-. Приложения в электронике // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1992. Вып.4. С.65-68.

  • Прокопьев Е.П. Поляронные свойства позитрония при локализации в квантовых ямах // Химия высоких энергий. 1992. Т.26. №5. С.395-397.

  • Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на F- центрах в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. 1994. Т.28. №4. С.366-368.

  • Прокопьев Е.П. О позитронной метрике дефектов структуры твердого тела // Поверхность. 1993. №10. С.91-94.

  • Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция и суператомы в полупроводниковых сверхрешетках // Химия высоких энергий. 1994. Т.28. №3. С.286-288.

  • Прокопьев Е.П. Позитронная астрофизика и позитронные состояния в галактической среде с низкой плотностью // Астрономический журнал. 1994. Т.70. №3. С.906-908.

  • Прокопьев Е.П., Шантарович В.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Кобрин Б.В. Механизм аннигиляции при облучении позитронами полярных веществ // Химия высоких энергий. 1995. Т.29. №1. С.66-69.

  • Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1993. Т.27. Вып.9. С.1569-1572.

  • Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов и комплексы Уилера в полупроводниках // Химия высоких энергий. 1995. Т.29. №5. С.394-396.

  • Прокопьев Е.П. О влиянии внешнего магнитного поля на свойства позитрония в полупроводниках // Поверхность. 1994. №4. С.117-120.

  • Прокопьев Е.П. Термализация позитронов и атома позитрония в молекулярных веществах // Поверхность. 1994. №5. С.5-7.

  • Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в новой физике полупроводников. М., 1993. С.15. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5490.

  • Прокопьев Е.П. Новые представления об аннигиляции позитронов и позитронных состояниях в полупроводниках // Химия высоких энергий. 1994. Т.28. №5. С.426-428.

  • Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на примесях с глубокими уровнями в полупроводниках. М., 1994. С.184-191. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5497.

  • Прокопьев Е.П. Исследования позитронных состояний и позитронной аннигиляции в новой физике полупроводников. М., 1994. С.192-194. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5497.

  • Prokop’ev E.P. Positron annihilation in a new Semiconductor Physics // Abstracts of 10 th International Conference on Positron Annihilation. Beijing, China, May 23-29, 1994. P2-10.

  • Prokop’ev E.P. Positron annihilation and positron states in galactic medium with low density // Abstracts of 10 th International Conference on positron annihilation. Beijing, China, May 23-29, 1994. C24-2.

  • Прокопьев Е.П. Позитроний в квантовой яме и сильном магнитном поле в полупроводниковых сверхструктурах // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 44 Международного совещания. Санкт-Петербург: Наука, 1994. С.367.

  • Прокопьев Е.П. Исследования в области технологии получения слоев кремния и сложных систем. М., 1994. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.

  • Прокопьев Е.П. Исследования в области электронного материаловедения и физических методов исследования материалов электронной техники. М., 1994. 196 с. - Отчет НИИМВ. №2858 инф.

  • Прокопьев Е.П. Позитроний в резко анизотропных слоях полупроводников и сильном магнитном поле // Поверхность. 1994. №12. С.54-59.

  • Прокопьев Е.П. О локализованных позитронных и позитрониевых состояниях на дефектах структуры кристаллов // В кн.: Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра. Тезисы докладов 45 Международного совещания. Санкт-Петербург: Изд-во ПИЯФ, 1995. С.407.

  • Прокопьев Е.П. Применение метода функций Грина к исследованию позитронных процессов в кристаллах // Поверхность. 1995. №7-8. С.5-11.

  • Prokop’ev E.P. Investigations of defect parametres in a-Si:H by positron annihilation method // Abstracts of 8 Internat. Conf. on the Physics of Non-Crystalline Solids. Turku, Finland. 1995. P.92.

  • Prokop’ev E.P. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors // Abstracts of 8 Inernat. Conf. on the Physics of Non-Crystaline Solids. Turku, Finland. 1995. P.92.

  • Prokop’ev E.P. Structure defects in chalcogenide semiconductor glasses on date of positron annihilation // Proc. of “12 Internat. Congress on Glass”. 1995. Vol.7. P.174 (Beijing, 9-14 october 1995).

  • Прокопьев Е.П., Петров С.В., Соколов Е.М. Некоторые вопросы теории технологии получения аморфных и эпитаксиальных слоев кремния, физики медленных позитронов и сложных систем. М., 1995. 149 с. - Деп. в ЦННИ “Электроника”. Р-5501.

  • Прокопьев Е.П. Магнитопозитроний в полупроводниках // Химия высоких энергий. 1996. Т.30. №2. С.141-144.

  • Прокопьев Е.П. Особенности определения свободных объемов и их распределение по радиусам в технически важных материалах методом ПАВ спектроскопии // В кн.: Международное совещание по физике ядра (46 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Москва, 18-21 июня 1996 г.). Тезисы докладов. Санкт-Петербург: Изд-во ПИЯФ, 1996. С.377.

  • Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы теории позитроники полупроводников и ионных кристаллов. М., 1996. 128 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  • Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Квантовополевая теория позитронных состояний в твердых телах, содежащих электроны, позитроны, дырки, экситоны, атом позитрония и комплесы Уилера // Химия высоких энергий. 1996. Т.30. №4. С.300-303.

  • Prokop’ev E.P. Investigations in area of slow positron physics, complex systems and material science. М., 1995. С.49. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  • Prokop’ev E.P. Investigations of defect parametres in a-Si:H by positron annihilation method.М., 1995. С.130. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  • Prokop’ev E.P. Investigations by positron annihilation method of chalcogenide glassy semiconductors. М., 1995. С.131. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5501.

  • Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония в кристаллах. М., 1996. С.1-15. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  • Прокопьев Е.П. Теория атома позитрония в полупроводниках и ионных кристаллах. М., 1996. С.16-25. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  • Прокопьев Е.П. Теория позитронных F’+ - центров в ионных кристаллах. М., 1996. С.26-37. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  • Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Оптическая модель позитрона и эффективные заряды ионов кислорода в окислах металлов. М., 1996. С.39-56. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  • Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в средах ионного типа. М., 1996. С.57-77. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  • Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах структуры кристаллов. М., 1996. С.78-87. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  • Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в кремнии i-типа. М., 1996. С.88-100. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  • Прокопьев Е.П. Позитронные состояния в бездефектных кристаллах кремния. М., 1996. С.113-128. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  • Prokop’ev E.P., Shantarovich V.P., Minaev V.S. Structure defects in chalcogenide semiconductor glasses on data of positron annihilation. М., 1996. С.101-102. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5502.

  • Прокопьев Е.П. Позитронсодержащие системы Х-е+ и X=e+ : учет поляризации анионов // Химическая физика. 1997. Т.16. №5. С.65-71.

  • Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах структуры кварца и кремния // Химия высоких энергий. 1997. Т.31. №2. С.158-160.

  • Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах // Известия вузов. Физика. 1997. №2. С.23-29.

  • Прокопьев Е.П. О познании сложных систем. II. Самоорганизация в неравновесных твердых телах. М., 1991. С.35-47. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5436.

  • Прокопьев Е.П. О геттерировании и синергетическом подходе в проблеме кремния. М., 1991. 71 с. - Деп. в ВИНИТИ. №2886-В91.

  • Прокопьев Е.П. Анализ математических моделей скорости роста аморфных пленок a-Si:H в силановых плазменных смесях пониженного давления и синергетические эффекты в проблеме окисления кремния. М., 1992. 74 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5476.

  • Прокопьев Е.П. О возможности синергетического подхода к эволюции свойств технически важных материалов. М., 1992. С.35-41. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.

  • Прокопьев Е.П. Модели Лоттки-Вольтерра, брюсселятора и орегонатора и научные основы синтеза и эксплуатации материалов электронной техники. М., 1992. С.42-52. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5482.

  • Прокопьев Е.П. Возможные химические реакции для случая неравновесных фазовых переходов в атмосфере дефектов кремния // Физика и химия обработки материалов. 1992. №4. С.107-111.

  • Прокопьев Е.П. О возможности синергетического подхода к эволюции свойств технически важных материалов // Письма в ЖТФ. 1992. Т.18. Вып.21. С.80-84.

  • Прокопьев Е.П. Феноменологическая модель эволюции свойств пленок SiO2 на поверхности кремния // Журнал прикладной химии. 1993. Т.66. №6. С.1242-1245.

  • Прокопьев Е.П. Возможность самоорганизации в атмосфере собственных дефектов кремния // Известия вузов. Химия и химическая технология. 1993. Т.36. №11. С.22-25.

  • Прокопьев Е.П. Исследования в области технологии получения слоев кремния и сложных систем. М., 1994. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-5500.

  • Прокопьев Е.П. Неравновесные фазовые переходы в квазихимических реакциях в ансамблях дефектов кремния в процессе ионной имплантации // Известия вузов. Химия и химическая технология. 1994. Т.37. №7-9. С.18-22.

  • Прокопьев Е.П. О возможности неравновесных фазовых переходов в атмосфере собственных дефектов кремния при протекании квазихимических реакций // Высокочистые вещества. 1995. №5. С.24-29.

  • Прокопьев Е.П. Модель неравновесных фазовых переходов в системе радиационных дефектов кремния и германия // Химическая физика. 1996. Т.15. №10. С.107-111.

  • Прокопьев Е.П. Позитронсодержащие системы Х-е+ и Х=е+: учет поляризации анионов // Химическая физика. 1997. Т.16. №5. С.65-71.

  • Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония, локализованные на дефектах структуры кварца и кремния // Химия высоких энергий. 1997. Т.31. №2. С.158-160.

  • Прокопьев Е.П. “Позитронные” эффективные заряды анионов в полярных веществах // Известия вузов. Физика. 1997. №2. С.23-29.

  • Прокопьев Е.П. Теория позитронных F+ - центров в ионных кристаллах // Химия высоких энергий. 1998. Т.32. №1. С.60-62.

  • Прокопьев Е.П., Шантарович В.П. Оптическая модель позитрона и эффективные заряды ионов кислорода в окислах металлов // Химическая физика. 1998. Т.17. №4. С.3-7.

  • Прокопьев Е.П. Об аномалиях аннигиляции атома позитрония в кристаллах // Химическая физика. 1998. Т.17. №7. С.122-124.

  • Прокопьев Е.П. Времена жизни магнитопозитрония в полупроводниковых квантовых ямах // Письма в ЖТФ. 1998. Т.24. №12. С.82-84.

  • Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин С.П.Тимошенков.О возможности использования атома позитрония в проблеме квантовой телепортации. В кн.: Международный научно-технический семинар “Проблемы передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций”. Материалы семинара. Рязань: Изд-во Рязанской государственной радиотехнической академии, 1999. С.138-140.

  • В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.П.Шантарович. Времена жизни магнитопозитрония в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур GaAs|Al0,3Ga0,7As. Химическая физика. 2001. Т.20. №3. С.27-30.

  • В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Особенности механизма аннигиляции позитронов в металлах. Физика твердого тела. 1999. Т.41. Вып.6. С.929-934.

    GETTERRING




    1. E.P.Prokop'ev. Problem of getterring in silicon. Moscow. 1991. P.1-34. Deposited paper. VINITI. 5.07.91. No 2886-B91.




    1. E.P.Prokop'ev, one co-author. A simple analytical model of getterring of gold in silicon. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No 8. P.78-80.




    1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of getterring of metal impurities in silicon based on intrinsic atom model. Vysokochistye veshchestva. 1992. No 4. P.47-53.

    EXPERIMENTAL AND INDUSTRIAL SILICON EPITAXY




    1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon growth. I. Total organization of problem of optimization of epitaxial growth reactors. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No 5. P.58-63.




    1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon growth. II. Analytical formula of growth rate function. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No 7. P.44-52.




    1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Mathematical description of process of epitaxial silicon growth. III. Non-stationary process of growth. Ibidem 1973. No 1. P.44-50.




    1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Mathematical description of silicon epitaxial growth process. IV. Calculation of longitudional diffusion. Ibidem. 1973. No 2. P.27-31.




    1. E.P.Prokop'ev, four co-author. Mathematical description of silicon epitaxial growth process in cylindrical circular canal of variable section. Ibidem. 1973. No 3. P.43-51.




    1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. A simple analytical model of silicon epitaxial growth in tetrachloride process. Ibidem. 1973. No 7. P.64-70.




    1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About regimes of silicon epitaxial growth from vapour gas phase. Teoreticheskie osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1975. V.9. No 8. P.448-452.




    1. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. Elementary theory of growth and doping of epitaxial silicon films. In book: Rep. thes. "V Symposium on processes of growth and synthesis of semiconductor crystals and wafers". Novosibirsk. Publ. INC SO AN USSR. P.29.




    1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Calculation of sensibilities of growth rate function G(x) and function of distribution of doping impurities N(x) for chloride and hydride processes in vertical reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1973.No 8. P.25-31.




    1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Optimization of growth and doping of silicon in hydride epitaxial process. Ibidem. 1974. No 1. P.34-41.




    1. E.P.Prokop'ev, one co-author. About possibility to carry out vacuum silicon epitaxy in space. Ibidem. 1974. No 1. P.53-61.




    1. E.P.Prokop'ev, one co-author. About phenomenological theory of growth processes of semiconductor materials. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No 2. P.43-47.




    1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Basis of growth and doping theory of epitaxial silicon films in tetrachloride process. Zhurnal fizicheskoi khimii. 1976. V.50. No 7. P.2941-2946.




    1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Growth and doping of epitaxial silicon layers in tetrachloride process for case of vertical reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1977. No 2. P.62-74.




    1. E.P.Prokop'ev. Regimes of growth and doping processes of epitaxial silicon films in tetrachloride process. In book: Rep. thes. "III All-union conf. on physical and chemical bases of doping of semiconductor materials. Moscow. Nauka. 1975. P.1.




    1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Anomalies of epitaxial silicon growth rate in vertical reactor. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1974. No 8. P.52-57.




    1. E.P.Prokop'ev. About processes of growth and doping of epitaxial silicon films in tetrachloride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1976. V.49. No 7. P.1924-1932.




    1. E.P.Prokop'ev. Connection between statistical and analytical methods of description of growth and doping processes of epitaxial silicon layers. Elektronnaya teknika. Ser.6. Materialy. 1977. No 8. P.122-125.




    1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. To theory of growth and doping of epitaxial semiconductor layers from vapour and gas phase in conditions of microgravitation. Progr. and rep. thes. "Conf. country-participation "Interkosmos" on questions of space technology". Moscow. Publ. IKI AN USSR. 1978. P.6.




    1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Gybride models of processes of growth and doping of epitaxial semiconductor layers. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1976. No 10. P.9-26.




    1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of carring out vacuum epitaxy of elementary semiconductors in space. In book: "Production and behaviour of materials in space". Moscow. Nauka. 1973. P.8-15.




    1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. To theory of processes of epitaxial growth and doping of silicon layers in hydride process in conditions of homogenic monosilane decomposition in volume of gas mixture in vertical reactor. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52. No 2. P.512-516.




    1. E.P.Prokop'ev, fife co-authors. Calculation of stability of growth rate function G(x) and doping level function N(x) of epitaxial silicon layers in hydride process. Moscow. 1978. 5 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2369.




    1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Peculiarities of processes of growth and doping of epitaxial silicon layers in hydride process. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 2. P.47-55.




    1. E.P.Prokop'ev, fife co-authors. Principal criterial dependences for processes of epitaxial silicon growth from vapour gas phase in condition of microgravitation. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 6. P.28-34.




    1. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. In coll.: Growth problems of semiconductor crystals and films. Moscow. VINITI. V.1, No 158-80; V.2, No. 159-80. 565 p.




    1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. The theory of LPCVD method of growth of polycrystaline silicon layers. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1979. No 2. P.34-38.




    1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Possibility of construction of hybride model of growth processes and doping of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. In book: Rep. thes. "VIII All-union conf. on microelectronics ". Moscow. MIET Publ. 1978. P.53.




    1. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. Growth and doping theory of epitaxial semiconductor layers from vapour gas phase in conditions of microgravitation. Fizika i tekhnika poluprovodnikov. 1979. V.13. No 7. P.2075.




    1. E.P.Prokop'ev, eight co-authors. Report of theory of growth and doping of epitaxial silicon layers from vapour gas phase in flowing systems. Moscow. 1979. 50 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2621.




    1. E.P.Prokop'ev. Peculiriaties of growth and doping of epitaxial semiconductor layers in flowing systems. In book: Rep. thes. "IV All-union conf. on physical and chemical bases of doping of semiconductor materials". Moscow. Nauka. 1979. P.121.




    1. E.P.Prokop'ev, one co-author. The theory of growth processes of semiconductor and dielectric films in diffusion furnaces at low pressure. I. Diffusion-kinetic regimes. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1980. No. 3. P.53-57.




    1. E.P.Prokop'ev. Theory of growth processes of semiconductor and dielectric films in diffusion furnaces at low pressure. II. Kinetic and diffusion regimes of processes. Ibidem. 1980. No 5. P.78-81.




    1. E.P.Prokop'ev. Theory of epitaxial silicon growth in tetrachloride process including molecular diffusion processes and thermodiffusion in stationary boundary layer. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 7. P.1468-1473.




    1. E.P.Prokop'ev. Calculation of thermodiffusion influence on growth of epitaxial silicon layers in hydride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 7. P.1599-1601.




    1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Investigation of growth of epitaxial silicon layers in hydride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No 9. P.1963-1966.




    1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of process of growth of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. Zhurnal prikladnoi khimii. 1981. V.54. No.9. P.2133-2137.




    1. E.P.Prokop'ev. Effussion and space electron material science and technology. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1981. No.1. P.3-5.




    1. E.P.Prokop'ev. Investigation of novel type convective flows in space materil science. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1981. No 1. P.6-8.




    1. E.P.Prokop'ev. Investigation of novel type convective flows in microgravitation conditions and their possible role in space electron material science. Moscow. 1981. 5 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3291.




    1. E.P.Prokop'ev. To question of epitaxial silicon growth theory. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1981. No 5. P.8-10.




    1. E.P.Prokop'ev. About calculation of influence of Stephan flow at silicon epitaxy in tetrachloride process. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 2. P.51-53.




    1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiCl4-H2. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 3. P.30-33.

      жүктеу/скачать 1.1 Mb.

      Достарыңызбен бөлісу:
    • 1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   16



    ©dereksiz.org 2024
    әкімшілігінің қараңыз
        Басты бет