Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»



жүктеу/скачать 1.1 Mb.
бет5/16
Дата25.06.2016
өлшемі1.1 Mb.
#157200
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   16




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Mathematical description of epitaxial silicon growth. VI. Calculation of rotation of pyramide. Moscow. 1981. 5 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3078.




  1. E.P.Prokop'ev. About masstransfer in processes of growth of semiconductor layers. Teoreticheskie osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1983. V.17. No 5. P.599-603.




  1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Investigation of mass transfer in condition microgravitation in stationary bound layer for process of epitaxial growth of semiconductor layers. Progr. and rep. thes. "11 Gagarinskie chteniya". Moscow. MAI Publ.1981. P.5.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of process of growth of epitaxial silicon layers in dichlorsilane process. Zhurnal prikladnoi khimii.. 1983. V.56. No 2. P.410-412.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiCl4-H2. II. Calculation of gas phase decomposition of monosilane. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1981. No 6. P.42-45.




  1. E.P.Prokop'ev. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiCl4-H2. III. The theory of general case of transition regime of process. Ibidem. 1981. No 7. P.51-52.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers. IV. Optimization of process. Ibidem. 1981. No 8. P.38-40.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of stability of processes of growth and doping of epitaxial silicon layers in hydride process. Moscow. 1982. P.41. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3534.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Modern state of technology of production of semiconductor materials and perspectives her development in space conditions. Progr. and rep. thes. on science and technical seminar "Problems of space industry and technology". Kaliningrad, Moscow region, 18-20 April 1977. P.10.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of growth of epitaxial silicon layers from dichlorsilane process. Coll. work of All-union seminare "Application of epitaxial technology in industry of semiconductor power devices". Ellaste. Publ. AN Est.SSR. 1981. P.6-10.




  1. E.P.Prokop'ev,two co-authors. Analysis of mass transfer in conditions microgravitation in stationary boundary layer for processes of epitaxial growth of semiconductor layers. Elektronnaya tehknika. Ser.6. Materialy. 1982. No. 1. P.29-31.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About calculation of contribution of natural convection in growth process of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1982. No 6. P.86-87.




  1. E.P.Prokop'ev. Role of diffusion processes in space material science and technology. In book: Nauchnye chteniya po aviatsii i kosmonavtike. Moscow. Nauka. 1980. P.290.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of mathematical modeling of processes of growth and doping of monocrystals and epitaxial semiconductor layers from gas and vapour phase in conditions microgravitation. Progr. and rep. thes. "16 nauchnye chteniya po aviatsii i kosmonavtike". Kaluga. Publ. IET. 1981. P.24.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. To question of mathematical description of industrial vertical reactors for growth of epitaxial silicon layers. Elektronnaya tehknika. Ser.6. Materialy. 1982. No 1. P.41-43.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of process of industrial silicon epitaxy in vertical cylinder reactor. Ibidem. 1982. No. 2. P.6-10.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. The theory of surface processes determining growth rate of epitaxial silicon layers in system SiH4-H2 at low pressures. Moscow. 1982. P.44. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3534.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Analysis of surface reactions determinig growth rate of epitaxial silicon layers in systems SiH4-SiCl4-H2 and SiH4-SiH2Cl2-H2. Moscow. 1982. P.43. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3534.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About gas dynamics of growth of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiCl4-H2. V. Surface reactions determining growth rate. Moscow. 1982. 6 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3640.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Investigation of non-stationary growth processes of epitaxial silicon layers. Zhurnal prikladnoi khimii. 1983. V.55. No 5. P.1135-1136.




  1. E.P.Prokop'ev. The chemical hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1983. No. 7. P.70-71.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Analysis of hydrodynamics of diffusion regime of growth processes of epitaxial silicon layers. Zhurnal prikladnoi khimii. 1985. V.58. No 2. P.455-457.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of growth process of epitaxial silicon layers in vertical reactors. Teoreticheskie osnovy khimicheskoi tekhnologii. 1986. V.20. No 3. P.698-701.




  1. E.P.Prokop'ev. Peculiriaties of chemical hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers. Zhurnal prikladnoi khimii. 1983. V.56. No 7. P.1636-1638.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Application of Boreskov-Slin'ko reactor model for calculation of growth of epitaxial silicon layers in conditions microgravitation at low pressures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1982. No 8. P.21-24.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Application of non-stationary Frank-Kamenetskii diffusion model to investigation of growth processes of epitaxial silicon layers. Ibidem. 1982. No 9. P.33-35.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation in materials science region. Theory, methods of investigations, applications. Moscow. 1984. 52 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3870.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Investigation of surface reactions determining growth rate of epitaxial silicon layers in system SiH4-SiH2Cl2-H2. Zhurnal prikladnoi khimii. 1985. V.58. No. 5. P.1057-1061.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers. Moscow. 1985. P.22-25. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4164.




  1. E.P.Prokop'ev. To question of mass transfer theory in processes of epitaxial silicon growth for the case of hydride process in conditions of disintegration of monosilane. Zhurnal prikladnoi khimii. 1986. V.59. No. 7. P.659.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Application of theory of boundary Landau layer for investigation of chemical hydrodynamics of growth of monocrystals and films in conditions of microgravitation. In book: "3 All-union seminar on problems of hydrodynamics and heat- and mass-transfer in conditions of microgravitation". Moscow. Publ. IPM AN USSR. 1984. P.67.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of chemical hydrodynamics in epitaxial reactors. Moscow. 1987. 6 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4321.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Mathematical models of growth processes of epitaxial silicon layers in industrial tetrachloride and hydride processes. In book: Rep. thes. 1 All-union conf. "Physical methods of investigations of surface and diagnostics of materials and elements of computer technique on base of silicon". Kishinev. Shtinitsa. 1986. P.61.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of mathematical modelling of growth and doping processes of epitaxial silicon layers from vapour gas phase in conditions of microgravitation. In book: K.E.Tsiolkovskii and problems of space industry. Moscow. Publ. IIET AN USSR. 1982. P.105-109.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Peculiriaties of growth process of epitaxial silicon layers in system SiH4-H2 at low pressures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1988. No 5. P.40-43.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About local chacteristics of chemical hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers in industrial reactors of vertical type. Ibidem. 1985. No 12. P.73-75.




  1. E.P.Prokop'ev. About possible fractal structure of whilrewind in epitaxial reactors of semiconductor growth. Ibidem. 1991. No. 1. P.60-61.




  1. E.P.Prokop'ev. About possibilities of process of vapour gas levitation in silicon epitaxy. Zhurnal prikladnoi khimii. 1990. V.63. No.6. P.1401-1403.




  1. E.P.Prokop'ev. About hydrodynamics of growth processes of epitaxial silicon layers in vertical reactor. Ibidem. 1992. V.65. No. 5. P.1811-1812.




  1. E.P.Prokop'ev. About processes of masstransfer and kinetics of deposition of silicon films by LICVD method. Moscow. 1992. P.64. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of masstransfer theory in processes of epitaxial semiconductor layer growth. Ibidem. P.65-74.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Peculiriaties of masstransfer in hydride and chloride processes of growth of silicon layers at speed impulse heating of wafers by noncoherent light sources. Moscow. 1992. 14 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5490.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Model of non-stationary diffusion kinetics of silicon layer growth in hydride and tetrachloride processes at speed impulse thermal heating.Vysokochistye veshechestva. 1993. No. 5. P.165-173.




  1. E.P.Prokop'ev. Catalysis of layer growth GexSi(1-x) by german in mixture hydride and dichlorsilane processes. Moscow. 1992. 9 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Modelling of process of silicon layer growth in hydride and tetrachloride processes at speed impulse heating by light. Vysokochistye veshechestva. 1994. No 1. P.39-47.




  1. E.P.Prokop'ev. About diffusion and recombination of point defects in silicon. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1990. No 4. P.39-47.




  1. E.P.Prokop'ev. About possibilities of growth of monocrystals and thin films of high temperature superconductor materials in conditions of microgravitation. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No.1. P.45-50.




  1. E.P.Prokop'ev. About possibility of receipt of information bit with help of modification of properties of artifical atoms in semiconductor superstructures. Moscow. 1994. P.178-183. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. Possibility of receipt of infomation bit with help of modification of properties of artifical atoms in semiconductor superstructures. Mikroelektronika. 1994. In press.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of laser photochemical deposition of silicon films in hydride process. Moscow. 1992. P.63. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. About applications of kinetical Chen theory to photochemical method of silicon deposition in hydride process. Moscow. 1992. 48 p. Deposited paper. VINITI. No 2462-B92.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical models of laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride process. Moscow. 1992. P.12-19. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of impulse laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride process. Moscow. 1992. P.20-27. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev. About calculation of growth rate of laser chemical method of silicon layer deposition in hydride process. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 3. P.105-108.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Novel investigations of some perspective technological processes of growth and doping of silicon layers. Moscow. 1994. 195 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. To question of modelling and optimization of production of epitaxial silicon layers in tetrachloride process. Ibidem. P.36-57.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Modelling of processes of growth and doping of silicon layers in tetrachloride process at speed impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.58-85.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analitical model of growth rate and doping level of epitaxial silicon layers in chloride and hydride processes. Ibidem. P.86-113.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About modelling of processes of silicon layer growth at speed impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.137-145.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Nonstationary diffusion kinetics of rapid thermal CVD process of silicon. P.146-147.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Theory of doping of silicon layers deposited at rapid heating of wafers by noncoherent radiation. Ibidem. P.148-158.




  1. E.P.Prokop'ev. A model of deposition of semiconductor layers in flowing epitaxial reactor. Ibidem. P.159-166.

DIAMOND FILMS




  1. E.P.Prokop'ev. A simple mathematical model of growth of diamond layers in gas mixture CH4+H2 at low pressure using heating filament. Moscow. 1992. P.28-34. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5482.




  1. E.P.Prokop'ev. Modelling of process of diamond layer growth in gas mixture CH4+H2 of low pressure using heating filament method. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 6. P.48-52.

a-SiH:H FILMS




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Some aspects of silane plasma chemistry. Moscow. 1988. 35 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-4676.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. In book: Rep. thes. "3 All-union conf. on physics and technology of thin semiconductor films". Ivanovo-Frankovsk. Publ. IFPI. 1990. P.77.




  1. E.P.Prokop'ev. Ibidem. P.14.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of silane rf glow discharge plasma. Moscow. 1990. 30 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5404.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary theory of growth of a-Si:H films. Moscow. 1990. P.36-41. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5413.




  1. E.P.Prokop'ev. About theory of growth of a-Si:H films. Ibidem. P.33.




  1. E.P.Prokop'ev. About theory of growth of a-Si:H films in conditions of rf glow discharge in gas mixtures SiH4-H2 and SiH4-He. Ibidem. P.53-60.




  1. E.P.Prokop'ev. About theory of growth process amorphous a-Si:H films in conditions of rf glow discharge in silane gas mixtures. Ibidem. P.40-52.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Elementary theory of a-Si:H film deposition in glow-discharge conditions. Moscow. 1990. P.1-33. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5413.




  1. Boundary layer model of a-Si:H film deposition process in rf glow-discharge conditions. Ibidem. P.42-51.




  1. E.P.Prokop'ev. Application of nuclear Fliorov filters in the technology of a-Si:H film production. Ibidem. P.30-31.




  1. E.P.Prokop'ev. The a-Si:H film deposition in rf glow-discharge process in SiH4-H2 mixture. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No. 3. P.9-11.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Study of a-Si:H film deposition rf glow-discharge in SiH4-H2 mixture. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No 4. P.14-17.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge in silane mixtures. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1990. No 5. P.68-72.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation and optimization of a-Si:H film deposition in silane gas mixtures at low pressure. Moscow. 1991. P.2-29. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5436.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary analytical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 gas mixtures. Ibidem P.48-57.




  1. E.P.Prokop'ev. Boundary layer model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 gas mixtures. Vysokochistye veshechestva. 1991. No 2. P.180-184.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Optimization of a-Si:H film deposition in silane rf glow-discharge. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1991. No 2. P.71-73.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. The a-Si:H film deposition in silane glow discharge at low pressure. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1991. No 2. P.51-54.




  1. E.P.Prokop'ev. Model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 and SiH4-He gas mixture. Izvestiya vuzov. Ser. khimiya i khimicheskaya tekhnologiya. 1991. V.34. No.10. P.109-115.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary theory of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge. Khimiya vysokikh energii. 1992. V.26. No 2. P.169-172.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of the mathematical model of a-Si:H film deposition rate in silane plasma miztures at low pressure. Moscow. 1992. P.2-39. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. Elementary analytical model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge conditions in SiH4-H2 gas mixture. Vysokochistye veshechestva. 1992. No 3. P.67-71.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Hybrid model of a-Si:H film deposition in rf glow-discharge in SiH4-H2 gas mixture. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1993. No 2. P.85-90.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma mixtures at low pressure. Moscow. 1994. P.85-95. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of amorphous silicon deposition conditions in plasma silane mixtures at low pressure. Nuovo Cimento. D. 1997. Vol.19. №6. P.817-826.




  1. E.P.Prokop'ev. A model of deposition of semiconductor layers in flowing epitaxial reactor. Zhurnal tekhnicheskoi fiziki. 1995. Т.68. Вып.2. С.22-29.




  1. E.P.Prokop'ev. Mathematical model of impulse laser chemical method of deposition of silicon layers in hydride process. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1994. №4-5. С.121-125.




  1. E.P.Prokop'ev. Analysis of regimes of growth process of diamond layers in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Moscow. 1992. P.73-84. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. Analysis of diffusion-controlled reaction I + VO in silicon in regimes of excitement and extenguishment. Moscow. 1992. P.85-95. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5476.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth layer diamond process in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1994. №6. С.48-52.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigation of impulse laser chemical method of silicon layer deposition. Electronnaya promyshlennost’. 1994. №6. З.58,59.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of silicon layer growth at rapid impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Zhurnal prikladnoi khimii. 1994.Т.67. №3, С.503,504.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth layer diamond process in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. . Electronnaya promyshlennost’. 1994. №6. С.60.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Simulation of growth and doping processes of silicon layers in tetrachloride and hydride processes at rapid impulse heating of wafers by noncoherent radiation. Vysokochistye veshechestva. 1994. №6. С.63-76.




  1. E.P.Prokop'ev. To question of simulation and optimization of epitaxial silicon layer growth in tetrachloride process. Moscow. 1994. P.38-57. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. A simple analytical model of diamond layer growth in gas mixture CH4+H2 at low pressure using a heating filament. Izvestiya vuzov. Ser. khimiya i khimicheskaya tekhnologiya. 1995. V.38. Вып.4-5. С.45-51.




  1. E.P.Prokop'ev. Novel analytical model of growth rate and doping level of epitaxial silicon layers in chloride and hydride processes. Fizika i khimiya obrabotki materialov. 1996. №1. С.76-87.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Investigation a-Si:H film growth process in gas mixture SiH4-H2. I,II. Moscow. 1994. P.1-35. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth silicon process in flowing systems. I. Silane process. Vysokochistye veshechestva. 1995. №3. С.57-65.




  1. E.P.Prokop'ev. Simulation of semiconductor growth process in flowing systems. II. Dichlorsilane, german and mixtture german-dichlorsilane processes. Vysokochistye veshechestva. 1994. №3. С.66-77.

KINETICS AND CATALYSIS




  1. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Авторское свидетельство «Способ получения кобальт- молибденового катализатора для окисления метанола в формальдегид». № 147581 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, 1962.

  2. Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Кинетика и механизм окисления метанола в формальдегид на окисных катализаторах. Сборник «Труды II конференции молодых ученых СО АН СССР». Новосибирск, 1960. С.12.

  3. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Усовершенствование катализатора в производстве формальдегида из метанола. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН СССР, 1960. 21 с.

  4. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Исследование окисных катализаторов в производстве формальдегида на основе молибдена. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН СССР, 1960. 9 с.

  5. Б.И.Попов, Е.П.Прокопьев, Л.Н.Шкуратова. Исследование окисления метанола в формальдегид на окисных катализаторах. 0-881. Отчет Института Катализа СО АН СССР, 1960. 30 с.

  6. E.P.Prokop'ev, one co-author. Kinetics and mechanism of methanol oxidation in formaldegid on oxide catalysts. In book: Reports II conf. jung scientists of SO AN USSR. Novosibirsk. 1960. P.6.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Patent USSR. 1962. No 147581.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 21 p.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 9 p.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Rep. IC SO AN USSR. 1960. No. O-881. 30 p.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Diffusion calculation of reaction rate of the first order on granules of various form. Kinetika i Kataliz. 1968. V.9. P.404.




  1. E.P.Prokop'ev. Calculation of diffusion influence in porous catalysts in case of arbitrary kinetics. Ibidem. 1968. V.9. P.707.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Rep. NIFKHI im. Karpova. No 635. 1968. 50 p.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About kinetics of chemical reaction... Zhurnal fizicheskoi khimii. 1968. V.41. P.2313.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Rep. IMBP. Moscow. 1967. No. 582. 40 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Rep. IMBP. 1968. No. 280. 80 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1968. No. 635. 100 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Report NIIMV. Moscow. 1973. No.756. 100 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1973. No 1823. 125 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1973. No 2079. 157 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1974. No 2772. 300 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1974. No 832. 200 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1977. No 3338. 150 p.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. Ibidem. 1977. No 1200. 250 p.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Ibidem. 1982. No 2528. 7 p.




  1. E.P.Prokop'ev. Study of equation of isoterm reaction of the first order at porous catalysts. Zhurnal prikladnoi khimii. 1969. V.42. P.354.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Study of mathematical model of conversion of CO with vapour H2O. Khimicheskaya promyshlennost'. 1967. No 4. P.302.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Joint influence of external and internal diffusion on rate of the first order reaction. Zhurnal prikladnoi khimii. 1973. V.46. P.565.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Study of oxide Fe-Mo catalysts of oxidation of methanol in formaldegide. III. Mossbauer spectrums. Kinetika i Kataliz. 1972. V.13. P.240.




  1. E.P.Prokop'ev, six co-authors. Study of ferrogel formation process at heating by mossbauer spectroscopy method. Kolloidnyi zhurnal. 1974. V.35. P.133.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. About theory of dynamical C-V characterictics of MOS structures. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1974. No 1. P.62.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of surface polish etching of silicon wafers by HCl. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1977. No 3. P.45.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. About theory of Al2O3 film deposition on silicon wafers by pyrolise of Al-isopropilate in N2 medium. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52. P.282.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Investigation of Al2O3 film deposition on silicon wafers by pyrolise of Al-isopropilate in N2 medium. Zhurnal prikladnoi khimii. 1979. V.52. P.277.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigation of surface properties of mechanically processed silicon wafers. In book: Rep. thes. 3 All-union conf. "Structure defects in semiconductors". Novosibirsk. Publ. IFP SO AN USSR. 1978. P.265.




  1. E.P.Prokop'ev, co-authors. NIIMV Report. Moscow. 1980. No. 3576. 150 p.

SPACE TECHNOLOGY AND MATERIAL SCIENCE




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. About possibilities of carring out vacuum silicon epitaxy in space. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No 1. P.53.




  1. E.P.Prokop'ev. To theory of growth and doping of epitaxial semiconductor layers from gas vapour phase in conditions microgravitation. Progr. and rep. thes. "Conf. of State-particip. "Interkosmos" on questions of space technology". Publ. IKI AN USSR. Moscow. 1978. P.3.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Modelling investigations of crystals PbTe on apparatus "Kristall". Ibidem. P.4.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. To question of conduction of vacuum epitaxy of elementary semiconductors in space. In book: The production and behaviour of materials in space. Moscow. Nauka. 1978. P.8.




  1. E.P.Prokop'ev. Peculiarities of liquid phase crystal growth in conditions of microgravitation. Ibidem. P.3.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Simulation of process of Ge, InSb, InAs monocrystal growth in conditions of microgravitation. See /579/. P.5.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Modelling of PbSe1-xTex crystal growth from gas phase on apparatus "Kristall". See /579/. P.6.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Peculiriaties of GaAs monocrystal growth in conditions of microgravitation. Ibidem. P.7.




  1. E.P.Prokop'ev, seven co-authors. About influence of accidental momentums on growth of monocrystals from liquid phase. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1978. No 2. P.51.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Computer simulation and selection of optimal algorithmes of temperature control in heating apparatus "Kristall". Progr. and rep. thes. "Gagarinskie chteniya". Moscow. Publ. MAI. 1979. P.10.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. One dimensional mathematical model of heat apparatus "Kristall". Ibidem. 1979. P.7.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Mathematical model of tecnological apparatus "Korund". Ibidem. 1980. P.7.




  1. E.P.Prokop'ev. One dimensional digital model of cylinder heat unit. Moscow. 1982. P.129-138. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3475.




  1. E.P.Prokop'ev. About concept of world mind. Moscow. 1982. P.116-117. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-3475.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Computer simulation and selection of optimal algorithmes of temperature control in heating apparatus "Kristall". In book: Nauchnye chteniya po aviatsii i kosmonavtikt. Moscow. Nauka. 1980. P.285.




  1. E.P.Prokop'ev, five co-authors. Investigations in area of technology of space electron material science on apparatus "Kristall". Pep. thes. "17 Chteniya of K.E. Tsiolkovskogo". Kaluga. 1982. P.10.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Application of Landau boundary layer theory for investigation of chemical hydrodynamics of monocrystal growth process in conditions of microgravitation. Rep. thes. "3 All-union seminar on problems of hydodynamics and heat- and mass-transfer in conditions microgravitation”. Moscow. Publ. IPM AN USSR. 1984. P.67.




  1. E.P.Prokop'ev. About possibilities of growth of monocrystals and thin films of high temperature superconductors in conditions of microgravitation. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1989. No. 1. P.45-50.

OTHER SCIENTIFIC WORKS




  1. E.P.Prokop'ev. Possible models of coherent behaviour of defect atmosphere in semiconductor crystals. Moscow. 1994. P.102-115. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.




  1. E.P.Prokop'ev. Non-equilibrium phase transitions in chemical reactions in ensembles of solid defects in process ion implantation. Moscow. 1994. P.116-122. Р-5500.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. About peculiriaties of determination of concentration of imperfection centres in semiconductors by C-V method. Rep. thes. "8 All-union conf. on microelectronics". Moscow. Publ. MIET. 1978. P.53.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Distribution of concentration of charge carries in sharp n-n+ transitions. Moscow. 1978. 4 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-2368.




  1. E.P.Prokop'ev. About influence of surface states on n-type semiconductors-metals interface on height of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1979. No 1. P.93.




  1. E.P.Prokop'ev, one co-author. Calculation of concentration imperfection profile in epitaxial structures by Garrett-Braittan method from experimental C-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1972. No.10. P.89.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Determination of concentration imperfection profile in thin semiconductor layers by C-V method. Elektronnaya tekhnika. Ser.6. Materialy. 1973. No 5. P.120.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Influence of deep imperfection levels on C-V characteristics of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No2. P.16.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigations in area of production of silicon layers and complex systems. Moscow. 1994. 138 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Determination of concentration imperfection profile in thin epitaxial layers by C-V and I-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No. 5. P.117.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Some peculiriaties of determination of concentration imperfection profile in semiconductor layers by C-V characteristics of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1976. №5. P.66.




  1. E.P.Prokop'ev. Investigations in area of production of silicon layers and complex systems. Moscow. 1994. 138 p. Deposited paper. TSNII "Elektronika". Р-5500.




  1. E.P.Prokop'ev, three co-authors. Determination of concentration imperfection profile in thin epitaxial layers by C-V and I-V characteristics. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1974. No. 5. P.117.




  1. E.P.Prokop'ev, four co-authors. Some peculiriaties of determination of concentration imperfection profile in semiconductor layers by C-V characteristics of Schottky barrier. Elektronnaya tekhnika. Ser.3. Mikroelektronika. 1976. Mo 5. P.67.




  1. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Моделирование процессов наращивания слоев кремния в гидридном и тетрахлоридном процессах при быстром импульсном нагреве светом. Высокочистые вещества. 1994. №1. С.39-47.




  1. Е.П.Прокопьев. Процесс роста аморфных пленок a-Si:Н в условиях высокочастотного разряда в силановых газовых смесях. Теоретические основы химической технологии. 1994. Т.28. №1. С.43-47.




  1. Е.П.Прокопьев. . Моделирование и оптимизация скорости роста и уровня легирования эпитаксиальных слоев кремния в гидридном и тетрахлоридном процессах. Высокочистые вещества. 1994. №6. С.63-76.




  1. Е.П.Прокопьев. Анализ режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH4+H2 пониженного давления в методе нагретой нити. Химическая физика. 1994. Т.13. №11. С.65-69.




  1. Е.П.Прокопьев. Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Журнал технической физики. 1995. Т.65. Вып.2. С.22-29.




  1. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Моделирование процессов роста и легирования слоев кремния в тетрахлоридном процессах при быстром импульсном нагреве подложек некогерентным излучением. Высокочистые вещества. 1995. №4. С.54-66.




  1. Е.П.Прокопьев. О процессах массопереноса и кинетике роста пленок кремния LICVD методом. Тез. докл. 5-ой Всероссийской конференции по лазерной химии (Лазаревское, 30 сентября – 5 октября 1992 г.). М.: ИХФ РАН. С.47.




  1. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Анализ режимов процесса роста аморфных пленок a-Si:Н в силановых плазменных смесях пониженного давления. М., 1995. С.1-11. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.




  1. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Нестационарная кинетика роста слоев кремния в тетрахлоридном процессе при быстром импульсном нагреве подложек некогерентным излучением. М., 1995. С.26-39. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.




  1. Е.П.Прокопьев. О возможности получения слоев кремния в тетрафторидном процессе. М., 1995. С.40 -48. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5501.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma mixtures at low pressure. I. Moscow. 1994. P.12-17. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5501.




  1. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Analysis of regimes of growth process of amorphous a-Si:H films in silane plasma mixtures at low pressure. Moscow. 1994. P.18-25. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5501.




  1. Е.П.Прокопьев. Простая аналитическая модель роста слоев алмаза в газовой смеси CH4+H2 пониженного давления с использованием метода нагретой нити. Известия вузов. Серия химия и химическая технология.. 1995. Т.38. №11. С.48-51.




  1. Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель скорости роста и уровня легирования эпитаксиальных слоев кремния в хлоридных и гидридном процессах. Физика и химия обработки материалов. 1996. №1. С.76-87.




  1. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, В.И.Белоусов. Опытно-промышленная эпитаксия кремния: новая аналитическая модель. Петербургский журнал электроники. 1996. №1. С.29-40.

  2. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров. Модель сращивания пластин кремния по данным газовыделения. М., 1996. С.103-112. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5502.

  3. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Слои кремния:в импульсном тетрахлоридном процессе. Петербургский журнал электроники. 1996. №4. С.30-34.




  1. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Анализ режимов процесса роста аморфных пленок a-Si:Н в силановых плазменных смесях пониженного давления. Физика и химия обработки материалов. 1997. №2. С.70-74.

  2. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Пленки a-Si:Н :в ВЧ тлеющем разряде газовой смеси SiH4-H2 . Петербургский журнал электроники. 1997. №2. С.14-19.

  3. Е.П.Прокопьев. Аналитическая модель роста эпитаксиальных слоев кремния в тетрахлоридном процессе. Теоретические основы химической технологии. 1997. Т.31. №5. С.505-509.

  4. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Зотов. Модель осаждения кремния в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Петербургский журнал электроники. 1998. №2. С.17-21.

  5. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, С.П.Тимошенков. Модель осаждения слоев кремния на стенках капилляров и пор из парогазовых смесей. Материаловедение. 1998 .№3. C.2-4.

  6. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Исследование плазменного высокочастотного осаждения частиц оксидов с целью получения многокомпонентных стекловидных диэлектрических слоев на подложках кремния. Химия высоких энергий. 1998. Т.32. №6. С.475-477.

  7. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. ВЧИ плазменный метод получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Техника машиностроения. 1999. №1. С.48-50.

  8. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния. Материаловедение. 1999. №5. С.43-45.

  9. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности термической обработки частиц BaO, SiO2, Al2O3 в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Материаловедение. 1999. № 1. С.54-56.

  10. В.З.Петрова, С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Эксперимент: синтез диэлектрических порошков SiO2 - Al2O3 - BaO в плазме. Петербургский журнал электроники. 1999. №1. С.17-23.

  11. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Дягилев. О движении и залечивании пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния. Известия вузов. Электроника. 1998. №5. С.39-44.

  12. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Осаждение материалов на стенках пор и капилляров из паро-газовых смесей. Теоретические основы химической технологии. 2001. Т.35. № 1. С.80-84.

  13. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.49-51.

  14. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследование плазменного процесса получения сплошных стекловидных диэлектрических слоев на поверхности подложек кремния. Химия высоких энергий. 1999. Т.33. №6. С.471-475.

  15. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Обработка твердых частиц оксидных материалов в воздушной и аргон-кислородной высокочастотной индукционной плазме. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №2. С.18-20.

  16. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с.

  17. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания. Материаловедение. 2000. №8. С.25-28.

  18. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания (обзор). Сб. “Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.45-49.

  19. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Некоторые вопросы теории сращивания стандартных пластин кремния. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.35-44.

  20. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков. Термическая обработка частиц SiO2, Al2O3, BaO в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Известия вузов. Электроника. 2000. №2. С.12-20.

  21. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин С.П.Тимошенков.О возможности использования атома позитрония в проблеме квантовой телепортации. В кн.: Международный научно-технический семинар “Проблемы передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций”. Материалы семинара. Рязань: Изд-во Рязанской государственной радиотехнической академии, 1999. С.138-140.

  22. Е.П.Прокопьев, С.В.Петров, Е.М.Соколов. Пленки a-Si:Н :в ВЧ тлеющем разряде газовой смеси SiH4-H2 . Экспериментальные данные. Петербургский журнал электроники. 1997. №3. С.31-38.

  23. Е.П.Прокоптев, В.В.Зотов. К модели осаждения материалов на стенках капилляров из парогазовых смесей при импульсном нагреве. Журнал технической физики. 1998. Т.68. Вып.8. С.141,142.

  24. Е.П.Прокопьев.Модели роста полупроводниковых и диэлектрических слоев в проточных изотермических реакторах. Теоретические основы химической технологии. 1998. Т.32. №5. С.558-562.

  25. Е.П.Прокопьев, В.М.Суворов. Особенности процесса роста эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4+H2 при пониженном давлении. Теоретические основы химической технологии. 1998. Т.32. №6. С.617-620.

  26. Е.П.Прокопьев. О возможном спектре позитронных состояний в бездефектных кристаллах кремния. Химическая физика. 1999. Т.18. №5. С.45-48.

  27. Е.П.Прокопьев. Возможные неравновесные фазовые переходы в полупроводниках и полупроводниковых сверхструктурах в скрещенных электрическом и магнитном полях. Письма в ЖТФ. 1999. Т.25. Вып.16. С.39-44.

  28. E.P.Prokop'ev, two co-authors. Investigation a-Si:H film growth process in gas mixture SiH4-H2. I,II. Moscow. 1994. P.1-35. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5497.

  29. E.P.Prokop'ev. Simulation of growth silicon process in flowing systems. I. Silane process. Moscow. 1994. P.2-18. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.

  30. E.P.Prokop'ev. Simulation of semiconductor growth process in flowing systems. II. Dichlorsilane, german and mixtture german-dichlorsilane processes. Moscow. 1994. P.19-45. Deposited paper. TSNII "Elektronika". P-5500.

  31. Е.П.Прокопьев. Модель осаждения полупроводниковых слоев в проточном газоэпитаксиальном реакторе. II. М., 1994. С.45-58. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  32. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Элементарная теория легирования слоев кремния, осаждаемых в гидридном и хлоридных процессах при скоростном нагреве подложек некогерентным излучением. М., 1994. С.59-72. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  33. Е.П.Прокопьев. Анализ режимов процесса роста слоев алмаза в газовой смеси CH4+H2 пониженного давления в методе нагретой нити. М., 1994. С.73-84. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  34. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, В.Н.Стаценко. Анализ режимов процессов роста аморфных пленок a-Si:H в силановых плазменных смесях пониженного давления. I. . М., 1994. С.85-95. Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5500.

  35. Е.П.Прокопьев. Сборник статей: исследования в области электронного материаловедения и физических методов изучения материалов электронной техники. М.: НИИМВ, 1994. 196 с. Отчет НИИМВ №2858 инф.

  36. .П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель прямого низкотемпературного соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания (обзор). Материаловедение. 2001. №1.С.44-52.

  37. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения фазовых переходов на поверхности пористого кремния методом позитронной аннигиляции. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.380.

  38. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Атом позитрония в пористом кремнии. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.381.

  39. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможный спектр позитронных состояний в пористом кремнии. Физика твердого тела. 2001. Т.43. Вып.8. С.1376-1380.

  40. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO2 - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.

  41. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в технологии получения КНИ структур. Тезисы докладов Всероссийской конференции с международным участием СЕНСОР-2000. Сенсоры и микросистемы 21-23 июня 2000. Санкт-Петербург.. Изд-во НИИ химии СПбГУ, 2000. С.208.

  42. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Технология КНИ структур. Петербургский журнал электроники. 2000. №1.С.8-25.

  43. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А. Дьячков. Исследование процесса синтеза мелкодисперсных порошков оксидов и диэлектрического стекловидного материала SiO2 - Al2O3 - BaO в высокочастотной воздушной и аргон-кислородной плазме.. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. С.57-68.

  44. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель фазовых переходов на поверхности пористого кремния по данным метода позитронной аннигиляции. Четвертая международная научная конференции по математическому моделированию. 27 июня - 1 июля 2000. Москва: Изд-во Станкин. 2000. С.37 (Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, управления. в конденсированных системах и других средах). Тезисы докладов.

  45. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков, В.В.Калугин. Очистка и активация поверхности в методе прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания с целью получения КНИ структур. Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. C.75-84.

  46. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин. Основы технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния и германия, полупроводников A3B5 и A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных ИС и приборов, микромеханических устройств, сенсоров и датчиков и солнечных элементов. Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете (http://www.mte.ru/conf). Журнал депонированных рукописей, №9 октябрь. Труды научно-технической конференции «Новые технологии и научно-технические достижения промышленности – человеку, обществу, государству - «ПРОМТЕХЭКСПО XXI». 2001. 60 с. (файл: D\Soi\Sci BondingUkr.doc).

  47. А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков. Возможные синергетические подходы к проблемам ядерного и электронного материаловедения (включая случаи облучения материалов протонами). Сайт журнала “Экономика и производство” в интернете (http://www.mte.ru/conf). Журнал депонированных рукописей, №9 октябрь. Труды научно-технической конференции «Новые технологии и научно-технические достижения промышленности – человеку, обществу, государству - «ПРОМТЕХЭКСПО XXI».. 2001. 45 с. (файл: D\Soi\ReportUkr.doc).

  48. S.P. Timoshenkov, E.P.Prokopiev. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). Ukraine. Kyiv (Sanatorium <
    >, October 2 - 5, 2000. C.23,24.

  49. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Труды международной научно-технической конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”. (ПЭМ-2000) Пос. Дивногорское, Россия. 2000. Ч.1. С.15.-17

  50. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. О возможности прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.

  51. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Использование химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в нанотехнологии и инженерии поверхности. Всероссийская научно-техническая конференция “НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ”. 24-25 октября 2000 г. г.Москва. ”МАТИ” - Российский государственный технологический университет им. К.Э.Циолковского. Тезисы докладов.М.: МАТИ, 2000. С.248.

  52. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Моделирование и оптимизация ВЧИ плазменного метода получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Всероссийская научная конференция “Математическое моделирование в научных исследованиях”. Тезисы докладов. 27-30 сентября 2000 г. Ставрополь. Ставропольский государственный университет. С.53.

  53. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А.Гаврилов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения позитронных состояний на поверхности пористого кремния. Украинский физический журнал. 2001. Т.46. № 8. С.870-877.

  54. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, Б.Ю.Шарков, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества // Препринт ИТЭФ 24 - 00. M., 2000. 20 с.

  55. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ. Препринт ИТЭФ 27 – 00. М., 2000. 51 с.

  56. Е.П.Прокопьев. Позитронные состояния в реальных кристаллах кремния. Украинский физический журнал. 2000. Т.45. №7. С.881-884.

  57. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы специального назначения. Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 71 с.

  58. S.P.Timoshenkov, A.L.Suvorov, V.F.Reutov, V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev. Production of thin plates, membranes and silicon on insulator structures by direct splicing of wafers of silicon by proton implantation. 7-я научная и деловая конференция по технологии кремния, фотогальванике и оптике ИК-диапазона. Рожнов-под-Радгостем, Чешская республика, 7-10 ноября 2000 г. С.12.

  59. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ с использованием методов химической сборки поверхности. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.22, 23.

  60. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Радиационные свойства smart-cut структур КНИ. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.24, 25.

  61. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, П.В.Крамер, С.А.Гаврилов, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитронные состояния и фазовые переходы в пористом кремнии. Химическая физика. 2004. Т.23. №5. С.22-28.

  62. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO2 - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.

  63. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев О возможности прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.

  64. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Ю.В.Фунтиков. Особенности процесса аннигиляции позитронов в водных растворах солей галогенидов щелочных металлов. Химия высоких энергий. 2000. Т.34. №6. С.460-466.

  65. В.И.Графутин, В.Л.Гришкин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Захват позитронов ионами галогенов: Эффективные заряды ионов. Химическая физика. 2000. Т.19. №4. С.36-40.

  66. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы военного назначения (Этап II). № гос. Регистрации 01200008756.Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 83 с.

  67. А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев Физико-химическая теория smart-cut технологий структур КНИ. Тезисы докладов XV Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью - 2001».(ВИП-2001) (27 – 31 августа) 2001 г. Звенигород..2000. М.: МАИ, 2001 Том. С.202-204.

  68. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного наслаивания. I. Технологический маршрут, физико-химические основы smart-cut технологий и особенности процессов сращивания.Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2001 №3. С.15-29.

  69. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного наслаивания. II. Технология процессов обработки структур КНИ. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2001 №3. С.29-37.

  70. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, П.В.Крамер,А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ. В кн.: ВОДОРОДНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ. ТРУДЫ Третьей Международной Конференции «ВОМ-2001». Украина. Донецк. 14 – 18 мая 2001 г. Ч.1,2. Донецк – 2001. С.262-264.

  71. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Соединение протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.157,158.

  72. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Возможность соединения протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. «МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ XXI ВЕКА». Сборник материалов Всероссийской научно-технической конференции.Ч.Ш. Пенза, 2001. C.54-56.

  73. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. Obtaining of thin single-crystal silicon layers for production of solar cells by the smart-cut technology. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.144,145.

  74. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков .Использование тонких монокристаллических слоев кремния, получаемых связыванием пластин, для производства полупроводниковых приборов, ИС, сенсоров и микромеханических устройств. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.146,147.

  75. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. The thin silicon single-crystalline layers fabricated by bonding of wafers for production of semiconductor devices, ULSI, sensors, micromecanical devices. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.133,134.

  76. жүктеу/скачать 1.1 Mb.

    Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   16



©dereksiz.org 2024
әкімшілігінің қараңыз
    Басты бет