Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»
жүктеу/скачать 1.1 Mb.
|
Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Ильясов А.З., Кузнецов Ю.Н., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном атомами переходных элементов // Физика и техника полупроводников. 1979. Т.13. С.1810-1815. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в соединениях A2B6 // Физика твердого тела. 1979. Т.21. С.2452-2454. Прокопьев Е.П. Об аннигиляции позитронов и атома позитрония в разупорядоченных областях и других макродефектах в полупроводниках. М., 1979. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2648. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №19. 1979. Сер.”ЭР”. Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование методом аннигиляции позитронов полупроводниковых соединений // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1979. Вып.5. С.62-66. Прокопьев Е.П. Аннигиляционный распад связанных позитронных и позитрониевых состояний на донорно-акцепторных парах в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.555. Прокопьев Е.П., Батавин В.В., Хашимов Ф.Р. О механизме захвата позитронов 600 дислокациями в полупроводниках п- и р-типа // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.145. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Мокрушин А.Д., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Трехквантовая аннигиляция позитронов в полупроводниковых соединениях фосфиде и арсениде галлия // Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.143-144. Дружков А.П., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в автоэпитаксиальных структурах (АЭС) кремния // В кн.: Тезисы докладов “Cимпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела, посвященного памяти академика АН УзССР У.А.Арифова”. Ташкент: ФАН, 1979. С.122-123. Прокопьев Е.П. Введение в теорию позитронных процессов в полупроводниках и ионных кристаллах. М., 1979. 384 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-2837. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №27. 1980. Сер.”ЭР”. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в алмазоподобных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.553. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Влияние Оже-процессов на аннигиляционный распад комплексов Уилера в полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.556. Прокопьев Е.П. Об аннигиляционном распаде позитронных и позитрониевых состояний в сильно компенсированных полупроводниках // Тезисы докладов “30 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1980. С.554. Батавин В.В., Дружков А.П., Гарнак А.Е., Мокрушин А.Д,, Прокопьев Е.П., Хашимов Ф.Р. Исследование дефектов в эпитаксиальных структурах кремния, возникающих в процессе термообработки, методом аннигиляции позитронов // Микроэлектроника. 1980. Т.9. С.120-122. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Бадру Киссека, Куприянова Р.М. Аннигиляция позитронов в халькогенидных полупроводниковых материалах // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.7. С.1271-1275. Прокопьев Е.П. Особенности позитронной спектроскопии полупроводников // В кн.: “Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. 2-е Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам. Ленинград, 1979”. Л.: ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 1979. С.265-269. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Разумовская И.В., Григорович С.М. Аннигиляция позитронов в кристаллах со структурой граната // Физика твердого тела. Т.22. Вып.4. С.1252-1253. Varisov A.Z., Prokopiev E.P. Positron- and positronium atom-phonon scatterring in ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan 8-11 april. 1979. NL-21. P.208. Varisov A.Z., Prokopiev E.P., Kuznetsov Yu.N. The foundations of positronics of real ionic crystals and semiconductors // In book: Abstracts of the Fifth International Conference on Positron Annihilation. Lake Yamanaka. Japan. 8-11 april. 1979. NL-22. P.208. Варисов А.З., Кузнецов Ю.Н., Прокопьев Е.П., Филипьев А.И. Физика и химия превращений позитронов и позитрония в полимерах // Успехи химии. 1980. Т.50. Вып.4. С.1892-1922. Антуфьев Ю.П., Мищенко В.М., Иванютин Л.А., Попов А.И., Прокопьев Е.П., Сторижко В.Е. Исследование трехквантовой аннигиляции позитронов в полупроводниках GaP и GaAs // Украинский физический журнал. 1980. Т.25. С.1396-1398. Варисов А.З., Прокопьев Е.П. Особенности магнитного тушения позитрония в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1980. №11. С.75-78. Прокопьев Е.П. Исследование механизма захвата 60-градусными дислокациями в полупроводникапх п- и р-типов атомов пара-Ps. Определение параметров 60-градусных дислокаций // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1980. Вып.1. С.71-74. Захарянц А.Г., Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в области р-п перехода в кремнии // Известия АН Армянской ССР. Физика. 1980. Т.14. С.1414-1418. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.569. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О рассеянии позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитрона при низких температурах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.568. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Минаев В.С., Семенов Ю.С., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных материалах тройных систем Tl-Ge-Te и Tl-Si-Te // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. С.1904-1907. Арефьев К.П., Боев О.В., Прокопьев Е.П. Влияние экранирования свободными носителями на свойства атома позитрония в реальных полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.2089. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3135. М., 1981. 6 с. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Нурмагамбетов С.Б. Комплексы Уилера в кристаллах // Известия вузов. Физика. 1981. №4. С.16-17. Халваши Х.Т., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов // Известия вузов. Физика. 1981. №4 . С.16-17. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П. Позитронная аннигиляция - новый неразрушающий метод контроля качества материалов // Электронная промышленность. 1980. №11-12. С.20-22. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузнецов Ю.Н., Хашимов Ф.Р., Гарнак А.Е., Дементьев Ю.С. Анализ дефектности стандартных пластин кремния методом аннигиляции позитронов // Журнал технической физики. 1981. Т.51. С.1938-1941. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П., Хвостов Д.В., Кузьмин А.А. Исследование эпитаксиальных структур КНС и подложек сапфира методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.2. С.32-34. Арефьев К.П., Воробьев С.А., Прокопьев Е.П. Позитроника в радиационном материаловедении ионных структур и полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1983. 88 с. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений, возникающих при облучении протонами GaAs п-типа, методом позитронной аннигиляции // Физика твердого тела. 1981. Т.23. Вып.1. С.211-214. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т., Арефьев К.П. К вопросу теории термализации позитронов в твердых телах // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.556. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А. Исследование примесных атомов в полупроводниковых кристаллах методом аннигиляции позитронов // Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.552. Мокрушин А.Д., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в реальных полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. М.: Энергоатомиздат, 1982. Т.11. С.236-238. Бочкарев С.Э., Иванютин Л.А., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Исследование радиационных нарушений в полупроводниковых соединениях A3B5, облученных гамма-квантами и протонами, методом позитронной аннигиляции. Препринт ИТЭФ-133. М.: Изд-во ОНТИ ИТЭФ, 1980. 18 с. Арефьев К.П., Блецкан Н.И., Кузнецов П.В., Прокопьев Е.П. Захват позитронов радиационными дефектами в Si п- и р-типа // Физика твердого тела. 1981. Т.23. С.1542-1545. Батавин В.В., Прокопьев Е.П., Салманов А.Р., Фунтиков Ю.В. К вопросу определения зарядовых состояний атомов кислорода в кремнии методом аннигиляции позитронов // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника. 1981. Вып.3. С.95-97. Прокопьев Е.П. О природе позитронных состояний в кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.9. С.47-48. Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Прокопьев Е.П. Исследование дефектной структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “31 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1981. С.601. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Образование и распад позитронных состояний в полупроводниках // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.87-89. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Рассеяние позитронов на точечных и линейных дефектах в полупроводниках. Время термализации позитронов при низких температурах // В сб.: Прикладная ядерная спектроскопия. Л.: Энергоатомиздат, 1984. Т.13. С.82-84. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Цой А.А., Дерябин А.Н., Хряпов В.Т. Исследование примесных атомов в полупроводниковых соединениях A3B5 методом позитронной аннигиляции // Физика и техника полупроводников. 1982. Т.16. Вып.1. С.147-149. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном медью // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. Вып.11. С.27-28. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов в фосфиде галлия, легированном марганцем // Физика и техника полупроводников. 1981. Т.15. С.708-711. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. К теории термализации позитронов в веществах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1980. Т.7. С.141-146. Прокопьев Е.П. О влиянии дефектов структуры тригонального селена на степень локализации позитрония и анализ его дефектности // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1981. Вып.11. С.48-50. Прокопьев Е.П. Исследование процессов физической адсорбции и хемосорбции с помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.314-315. Прокопьев Е.П. Исследование поверхности полупроводниковых материалов с помощью медленных позитронов // В кн.: Краткие сообщения “18 Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике”. М.: Наука, 1981. С.313. Арефьев К.П., Минаев В.С., Прокопьев Е.П. Цой А.А. К вопросу исследования стеклообразного состояния методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “7 Совещание по стеклообразному состоянию”. Л.: Изд-во АН СССР, 1981. С.46. Арифов П.У., Прокопьев Е.П., Арутюнов Н.Ю. К вопросу исследования дефектов структуры материалов первой стенки разрядной камеры термоядерных реакторов методом позитронной аннигиляции // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Самарканд: Наука, 1981. С.601. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Особенности аннигиляции медленных позитронов в металлах и образование атома позитрония // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.63-64. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Аннигиляция позитрония в ионных кристаллах // Труды педагогических институтов Грузинской ССР. 1981. Т.9. С.65-68. Варисов А.З., Прокопьев Е.П., Арефьев К.П. Природа магнитного тушения позитрония в полупроводниках // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.515. Арефьев К.П., Стародубов В.Г., Цой А.А., Этин Г.И., Прокопьев Е.П., Минаев В.С., Куприянова Р.М., Хряпов В.Т. Аннигиляция позитронов в кристаллических и стеклообразных As2S3 и As2Se3 // Физика и техника полупроводников. 1980. Т.14. Вып.11. С.2163-2166. Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А., Арефьев К.П. Применение позитронной аннигиляции в качестве неразрушающего метода контроля качества материалов // Известия вузов. Физика. 1982. №5. С.40-43. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. Позитроны и атом позитрония в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1982. С.514. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Исследование свойств атома позитрония в полупроводниках по методу Фока // Межвузовский сборник научных работ. Тбилиси: Изд-во ТГПИ им. А.С.Пушкина. 1982. С.50-54. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Крупышев Р.С., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Исследование подложек фосфида галлия, легированных медью, методом аннигиляции позитронов // В кн.: Тезисы докладов “6 Конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок”. Новосибирск: ИНХ СО АН СССР, 1982. С.67-68. Прокопьев Е.П. Термализация позитронов в германии и кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.75-76. Прокопьев Е.П. Исследование позитронсодержащих атомов и ионов методом Хартри-Фока. М., 1982. 32 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3413. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №17. 1982. Сер.”О”. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in Ge-Te semiconductors by the positron annihilation technique // Phys. status solidi (a). 1982. V.73. №2. P.321-324. Прокопьев Е.П. Позитронная томография - новый метод неразрушающего контроля качества материалов // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1982. С.36-37. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Study of imperfections in semiconductors by positron annihilation technique // Proc. of the internat. conf. “Amorphous Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.189-191. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Influence of Tl small admixtures on the structure of glassy As-S-Se semiconductors (Positron annihilation technique) // Proc. of the internat. conf. “Amorphous Semiconductors” - 82. Bucharest. 30 august - 4 semtember, 1982. P.191-193. Прокопьев Е.П. О новых методах исследования материалов электронной техники с помощью позитронной аннигиляции // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.1. С.72-73. Абагян С.А., Арифов П.У., Арутюнов Н.Ю., Иванов Г.А., Прокопьев Е.П., Тращаков В.Ю. Аннигиляция позитронов в GaP, легированном атомами Mn и Cu // В кн.: Тезисы докладов “32 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука. С.591. Прокопьев Е.П. Позитроны и позитроний в кристаллах. М., 1982. 138 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3475. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. №8. 1983. Сер.”ЭР”. Прокопьев Е.П. О динамике позитрония и позитронов в кристаллах // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1983. Вып.8. С.29-30. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // В кн.: “Радиационные дефекты в металлах. Материалы 2 Всесоюзного совещания. Алма-Ата. 1980”. Алма-Ата: Наука, 1981. С.59-62. Прокопьев Е.П. Исследование технически важных материалов с помощью медленных позитронов. М., 1982. 64 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3534. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №16. Сер.”ЭР”. Прокопьев Е.П. Ps-поляроны в ионных кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “33 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука. 1983. С.557. Малоян А.Г., Прокопьев Е.П. О модели Фрелиха поляронного состояния позитрона в кристалле // В кн.: Тезисы докладов “33 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Л.: Наука. 1983. С.543. Прокопьев Е.П. Исследования позитронных процессов в кристаллах. М., 1982. 60 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3556. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. Сер.”ЭР”. Арефьев К.П., Прилипко В.И., Прокопьев Е.П., Федоров В.А. Применение метода аннигиляции позитронов для определения параметров точечных дефектов в полупроводниках // Известия вузов. Физика. 1983. №8. С.117-118. Прокопьев Е.П. Ps, локализованный в кристалле. М., 1983. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3634. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1983. №9. Сер.”О”. Kobrin B.V., Kuprijanova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantarovich V.P. Microstructure and Imperfections of Glassy and Glass-Ceramic Telluride Semiconductors on the Bases of Positron Annihilation // Phys. status solidi (a). 1983. V.78. №2. P.385-389. Прокопьев Е.П. Позитроний в кристаллах // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.529. Прокопьев Е.П., Тарасов В.Д., Фокина Л.А., Шантарович В.П. Исследование квазиатомных систем позитрон-анион в полярных веществах. М., 1984. 23 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3845. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №9. Сер.”О”. Прокопьев Е.П. О механизмах переноса позитрония в кристалле // В кн.: Тезисы докладов “34 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1984. С.530. Прокопьев Е.П. Некоторые проблемы позитронной аннигиляции в веществах. М., 1984. 15 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3870. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №11. Сер.”О”. Прокопьев Е.П. Исследование свойств позитрония в кристаллах. М., 1984. 30 с. - Деп. в ЦНИИ”Электроника”. Р-3826. 30 с. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №8. Сер.”О”. З.Р.Абдурасулев, П.У.Арифов, Н.Ю.Арутюнов, С.Н.Вассерман, А.Р.Группер, Н.Н.Емелин, Г.И.Журавлева, П.А.Кебель, Ю.П.Кочерга, М.В.Кремков, Ф.Ли, В.М.Мальян, А.А.Пайзиев, В.А.Пикут, Е.П.Прокопьев, С.А.Скопинов, С.А.Тишин, С.В.Шевелев, А.В.Шевченко. Методы позитронной диагностики и расшифровки спектров аннигиляции позитронов. Ташкент: Изд-во «ФАН», 1985. 312 с. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на нейтральных атомах. М., 1984. 13 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3973. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №4. Сер.”МФ”. Прокопьев Е.П. Исследование модели оптического позитрона. М., 1984. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3974. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №4. Сер.”МФ”. Прокопьев Е.П. Позитронные примесные центры в кристаллах. М., 1984. 31 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-3897. МРС ВИМИ “Техника, технология, экономика”. 1984. №30. Сер.”ЭР”. Прокопьев Е.П. О позитронных поляронах в ионных кристаллах. М., 1985. 8 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4071. “Сборник рефератов НИОКР, обзоров, переводов и депонированных рукописей”. 1985. №7. Сер.”МФ”. Прокопьев Е.П. Некоторые вопросы позитронной метрики полупроводников и наращивания полупроводниковых слоев. М., 1985. 30 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4164. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на атомах и отрицательных ионах // В кн.: Тезисы докладов “35 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1985. С.528. Прокопьев Е.П. Позитронные процессы в молекулярных веществах // В кн.: Тезисы докладов семинара “Позитронная аннигиляция в твердых телах”. Киев: Ин-т металлофизики АН УССР, 1985. С.5. Прокопьев Е.П. К вопросу аннигиляции позитронов и атома позитрония в анизотропных слоях полупроводников // В кн.: Тезисы докладов “36 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1986. С.562. Прокопьев Е.П., Халваши Х.Т. Фундаментальные проблемы физики атома позитрония и перспективы ее развития // В кн.: Межвузовский сборник научных трудов. Тбилиси: ТГПИ им. А.С. Пушкина, 1984. С.152-157. Прокопьев Е.П., Урбанович С.А. Позитроний в газе фононов // Весцi АН БССР. Серия физико-математических наук. 1987. №5. С.92-94. Прокопьев Е.П., Тимошенко В.И., Хашимов Ф.Р. Времена жизни фейнмановских позитронных поляронов в ионных кристаллах // Известия вузов . Физика. 1985. №8. С.92-94. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Френкелевская модель атома позитрония малого радиуса. М., 1988. 5 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника”. Р-4939. Прокопьев Е.П. Аннигиляция позитронов на А-центрах в кремнии // Тезисы докладов“37 Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра”. Л.: Наука, 1987. С.591. Гребинник В.Г., Гуревич И.И., Жуков В.А., Кузнецов Ю.Н., Маныч А.П., Марков Е.В., Никольский Б.А., Пирогов А.В., Пономарев А.Н., Прокопьев Е.П., Селиванов В.И., Суэтин В.А., Хашимов Ф.Р., Хряпов В.Т. Деполяризация мю-мезонов в полупроводниках CdS и ZnS // Препринт. ИАЭ-3019. Москва, 1978. 13 с. Прокопьев Е.П. Исследование механизма и динамики релаксации неустойчивых процессов в электронном материаловедении методом позитронной аннигиляции // Программа и тезисы докладов “Всесоюзная школа по физики-химическим основам электронного материаловедения”. Ашхабад: ТГУ. 1977. С.3. Прокопьев Е.П. Атом позитрония в РО полупроводников // В кн.: Тезисы докладов 37 Совещания “Ядерная спектроскопия и структура атомного ядра”. Л.: Наука, 1987. С.595. Арефьев К.П., Кузнецов Ю.Н., Комлев В.П., Прокопьев Е.П., Самойлов В.М., Фирсов В.Г., Фунтиков Ю.В. Применение метода аннигиляции позитронов для изучения радиационных нарушений быстрыми протонами в Si, GaAs n-типа // В кн.: Тезисы докладов “Широкозонные материалы для полупроводниковых детекторов ядерного излучения”. Новосибирск: ИЯФ СО АН СССР, 1980. С.3. Прокопьев Е.П. Простая модель связанного состояния позитрона на вакансиях металлов // В кн.: Тезисы докладов 2 Всесоюзного совещания “Радиационные дефекты в металлах”. Алма-Ата: ИЯИ АН КазССР, 1980. С.5. Арефьев К.П., Прокопьев Е.П. Исследование методом позитронной аннигиляции электронной структуры и дефектности монокристаллов полупроводниковых соединений A2B6 // Отчет ТПИ . № гос. регистрации 78048301. Томск: ТПИ. 1979. 1979. 60 с. Дружков А.П., Петров С.В., Прокопьев Е.П. Исследование эпитаксиальных и ионно-имплантированных структур кремния методом аннигиляции позитронов // Приложение к отчету НИИМВ. Инв. №3635. 1980. 70 с. Прокопьев Е.П. Об использовании энергии аннигиляции для передачи информации в космическом пространстве. М., 1980. 6 с. - Деп. в ЦНИИ “Электроника. Р-2993. Прокопьев Е.П. О роли исследования аннигиляции медленных позитронов и антипротонов в веществе в целях возможности создания аннигиляционных двигателей в космической технике будущего // Программа и доклад на 9 Гагаринских чтениях. М.: МАИ. 1979. жүктеу/скачать 1.1 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|