Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»
жүктеу/скачать 1.1 Mb.
|
А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О возможности синергетического подхода к рассмотрению эволюции свойств материалов, используемых в ядерном материаловедении. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2002. №1. С.8-11.А.Л.Суворов, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Синергетический подход к проблеме окисления технически важных материалов атомной техники. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2002. №1. С.40-42.В.З.Петрова, С.П.Тимошенков, Ю.А., Чаплыгин, Е.П.Прокопьев. Возможные синергетические подходы к исследованиям эволюции свойств структур кремний на изоляторе. Известия вузов. Электроника. 2002. № 2. С.44-50. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Получение КНИ структур с использованием методов химической сборки поверхности и газового скалывания. Электронная промышленность. 2002. №1. С.51-59. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин. Сращивание протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками для получения структур кремния на изоляторе. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 3. М.: МИФИ, 2002. С.39-41. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Получение тонких слоев кремния на изоляторе (КНИ) для солнечных элементов. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 3.. М.: МИФИ, 2002. С.64,65. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Получение структур кремния на изоляторе методом газового скалывания лдля создания интегральных схем с повышенной радиационной и термической стойкостью. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество»..Сборник научных трудов. Часть 3.. М.: МИФИ, 2002. С.37,38. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков. О синергетическом подходе в проблеме кремния и материалов на основе кремния. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 3.. М.: МИФИ, 2002. С.42,43. .И.Графутин, Е.П.Прокопьев, К.Н.Зайцев, А.А.Портнов, Ю.В.Фунтиков, В.Г.Фирсов. Изучение электронных свойств металлов методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Научная сессия МИФИ-2002. Научно-техническая конференция «Научно-инновационное сотрудничество». Сборник научных трудов. Часть 2.. М.: МИФИ, 2002. С.70,71. V.I.Grafutin, E.P.Prokop'ev Yu.A.Novikov, V.P.Shantarovich.. Application of positronic annihilation spectroscopy for study in solids. Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices, Related Topics. Zvenigorod, Moscow, Februari 5 - 16, 2001. Proceedings of the 4th Moscw International ITEP School of Physics Editors: A.L.Suvorov, Yu.G.Abov, V.G.Firsov. “Академпринт». 2002, c.207-227. (D\ТезДокл\RadPhys2002.doc).S.P.Timoshenkov, E.P.Prokop'ev, A.G.Zaluzhnyi, V.I.Grafutin, A.L,Suvorov, B.Yu.Sharkov. Peculiarities of silicon-on-insulator structures manufacturung. Report on 4-th Moscow International ITEP School of Physics (29-th ITEP Winter School of Physics). Modern Condensed Matter Physics: Experimental Methods and Devices, Related Topics. Zvenigorod, Moscow, Februari 5 - 16, 2001. Proceedings of the 4th Moscw International ITEP School of Physics Editors: A.L.Suvorov, Yu.G.Abov, V.G.Firsov. “Академпринт». 2002, c.274-280.Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности. I. Модель сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Материаловедение. 2002. №3. С.11-20. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, A.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Smart-cut технология получения структур КНИ во влажных условиях c использованием методов химической сборки поверхности. Материаловедение. II. Теория и экспериментальные результаты 2002. №4. С.10-20. А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, .Г.Залужный. Smart-cut технологии связывания (сращивания) протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения структур кремний на изоляторе, многослойных структур Ge/Si, (GexSi1-x)/Si и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников A3B5 И A2B6 для производства новой элементной базы опто-, нано- и микроэлектроники, создания современных суперкомпьютеров, специальных интегральных схем и приборов, микромеханических устройств, сенсоров, датчиков и солнечных элементов. Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып.1,2. С.217-219. А.Л.Суворов, В.П.Бабаев, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев О возиожности когерентного поведения атмосферы дефектов в материалах ядерной техники. Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып. 1,2. C.220-224. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков, О.В.Илюхина. Новые типы химической связи и ее особенности в галогенидах позитрония. Вопросы атомной науки и техники (ВАНиТ) (Саров). 2002. Вып.1,2. С.225-228. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Структуры КНИ и информационные технологии: перспективы, применения. Труды конференции. XXIX Международная конференция «Информационные технологии в науке, образовании, телекоммуникации и бизнесе». IT + SE’ 2002 Майская сессия. Украина, Крым, Ялта-Гурзуф с 20 по 30 мая 2002 г. 2002 г. Секция А. Высокопроизводительные вычислительные комплексы. Адрес в Интернет: http://webcenter.ru/~glorioz/procSE02.htm. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин. Исследование свойств металлов методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.20. E.P.Prokop’ev, V.I.Grafutin. Investigations of metal properties by method of positron annihilation spectroscopy. Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.21. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Применение ELTRAN процесса с целью получения тонких монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. . Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.298. V.I.Grafutin, A.G.Zaluzhnyi, E.P.Prokop’ev, A.L.Suvorov, S.P.Timoshenkov, Yu.A.Chaplygin. Application ELTRAN process with purpose of otaining thin monocrystalline silicon layers for solar cells processing. Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.299. А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, C.Н.Новиков, Е.П.Прокопьев, П.В.Крамер. Оптимизация процесса сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.60. A.L.Suvorov, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin, S.N.Novikov, E.P.Prokop’ev, P.V.Kramer. Optimazation of slitting silicon wafers process on datas of water vapour selections. Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.61. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. О перспективах и применениях структур КНИ. Оптимизация процесса сращивания пластин кремния по данным выделения паров воды. Физика электронных материалов. Материалы Международной конференции – ФИЭМ’02. 1-4 октября 2002 года, Калуга, Россия, 2002. С.358,359. A.L.Suvorov, Yu.A.Chaplygin, A.G.Zaluzhnyi, S.P.Timoshenkov, V.I.Grafutin, E.P.Prokop’ev. On perspectives and applications of SOI structures. Physics of Electronic materials. International Conference Proceedings. Kaluga, Russia, October 1-4, 2002. Kaluga: KSPU Press, 2002. P.359, 360. В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков. Физико-химические основы получения структур кремний на изоляторе с использованием метода газового скалывания. Перспективные материалы. 2002. №3. С.5-12. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Производство структур кремний на изоляторе и сенсоров на их основе. «ДАТЧИКИ И СИСТЕМЫ». Сборник докладов международной конференции. Том I. Санкт-Петербург: Издательство СПбГПУ, 2002. С.205-209. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность исследования эволюции свойств структур кремний на изоляторе синергетическими методами. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2002. №3. С.34-41. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Анализ процессов подготовки поверхности кремниевых пластин при изготовлении структур кремний на изоляторе. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2002. . №3. С.28-34. В.И.Графутин, А.Л.Суворов, Е.П.Прокопьев. Применение метода позитронной аннигиляции для исследования дефектов структуры материалов ядерной и термоядерной техники. Тезисы докладов 52 Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2002). 18-22 июня 2002. Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им Д.В.Скобельцына. 2002. С.335,336. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю..В.Фунтиков. Применение позитронной спектроскопии для определения оптимальных условий обработки пластин кремния, облученных протонами. Тезисы докладов 52 Международного Совещания по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра (ЯДРО-2002). 18-22 июня 2002. Россия, Москва. МГУ им. М.В.Ломоносова. НИИЯФ им Д.В.Скобельцына. 2002. С.334. А.Л.Суворов, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Перспективы и применения структур КНИ. Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния (с участием иностранных ученых). КРЕМНИЙ 2002. 9 – 12 июля 2002. Тезисы докладов. Новосибирск, Академгородок. ИФП СО РАН, 2002. C.75,76. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков.Возможность синергетического подхода к эволюции свойств аморфных пленок SiO2 в структурах КНИ. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Сборник трудов Ш Международной конференции. (2-4 июля 2002 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2002) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2002. С.87,88. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев. Структуры КНИ в микроэлектронике. «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». Сборник трудов Ш Международной конференции. (2-4 июля 2002 года. Санкт-Петербург: ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, 2002) Санкт-Петербург: Изд-во СПбГПУ, 2002. С.241,242. жүктеу/скачать 1.1 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|