Тезисы доклада «Симпозиум по ядерной химии высоких энергий»
жүктеу/скачать 1.1 Mb.
|
Е.П.Прокопьев,С.П.Тимошенков. О процессе роста слоев GexSi1-x на изоляторе в смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе. КРЕМНИЙ-2003. 26 мая – 30 мая 2003. Тезисы докладов. Москва. МИСиС, 2003. C.256-259.Е.П.Прокопьев,В.И.Графутин, С.П.Тимошенков. О возможности разработки нового LI smart-cut процесса для производства структур кни. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе. КРЕМНИЙ-2003. 26 мая – 30 мая 2003. Тезисы докладов. Москва. МИСиС, 2003. C.344.Е.П.Прокопьев, Д.К.Григорьев. Исследования процессов окисления германия и структур ГНИ в атмосфере влажного воздуха и кислорода синергетическими методами. Петербургский журнал электроники. 2002. №4. С.21-26. Графутин В.И., Илюхина О.В., Мясищева Г.Г., Новиков Ю.А., Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Фунтиков Ю.В. Аннигиляции позитронов в кремнии, облученном протонами. Программа и доклад на Конференции по химической физике к 80-летию со дня рождения академика в.И.Гольданского. 17-19 июня 2003 года, Москва-Черноголовка, 2003.Е.П.Прокопьев. Особенности процесса окисления кремния в атмосфере влажного воздуха и кислорода. Материаловедение. 2002. №12. С.24-29. Е.П.Прокопьев. Исследование процесса окисления кремния в атмосфере влажного воздуха и кислорода синергетическими методами. Оборонный комплекс-научно техническому прогрессу России. 2002. №4. С.27-32. Е.П.Прокопьев. О синергетическом подходе к проблеме окисления кремния. Материалы докладов на 6-й Международной конференции «Молекулярная биология, химия и физика неравновесных систем» (МК МБХиФНС), Иваново-Плёс, ИГХТУ, 27 мая – 2 июня 2002, Иваново: Издательство ИвГУ,2002. С.301-304.Е.П.Прокопьев. О возможности анигиляционных источников энергии. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2003. №2. С.10-14. Е.П.Прокопьев. Получение интенсивных потоков позитронов и их применение. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2003. №2. С.17-19. Е.П.Прокопьев. О проблеме использования антиводорода в космической технике будущего. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2003. №2. С.15-16. Е.П.Прокопьев. Возможность получения энергии и антивещества при низких энергиях: вероятный физический механизм самоорганизации при ядерном синтезе, трансформации элементов и синтезе антивещества. Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. 2003. №3. С.39,40. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, В.В.Калугин. О процессе роста слоев GexSi1-x на изоляторе в смешанных гидридном и дихлорсилановом процессах. Оборонный комплекс - научно-техническомк прогрессу России. №3. С.25,26.Б.Ю.Богданович, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, А.В.Нестерович, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Ю.А.Чаплыгин. Технологии и методы исследования структур кремний на изоляторе. М.: МИЭТ, 2003. 288 с. Б.Ю.Богданович, А.В.Нестерович, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В.Алферов, В.В.Калугин, Ю.Я.Лапицкий. Возможности создания источников ионов водорода для технологических установок имплантации протонов в полупроводниковые пластины большого диаметра с целью создания многослойных структур. Материалы шестнадцатой Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью». ВИП-2003. (Ion-Surface Interactions. ISI-2003). 25 – 29 августа 2003 г. Звенигород..Россия. М.: МАИ, 2003. Том 2. С. 318-321. В.И.Графутин, О.В.Илюхина,Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов структуры облученных материалов методом позитронной аннигиляции. Материалы шестнадцатой Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью». ВИП-2003. (Ion-Surface Interactions. ISI-2003). 25 – 29 августа 2003 г. Звенигород..Россия. М.: МАИ, 2003. Том 2. С. 121-124. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Разработка методов химической обработки Si пластин, предназначенных для получения структур КНИ. I. Химические взаимодействия на поверхности при жидкостных обработках пластин кремния. Материаловедение. 2002. №8. С.10-16. С.П.Тимошенков, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев. Разработка методов химической обработки Si пластин, предназначенных для получения структур КНИ. II. Разработка процессов химической обработки Si пластин Материаловедение. 2003. №9. С.19-24. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Ю.А.Новиков, Е.П.Прокопьев, Ю..В.Фунтиков. Аннигиляция позитронов в многослойных структурах. Сборник докладов XШ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2003. С.382-384. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Ю.М.Литвинов, В.К.Мингазов, Г.Г.Мясищева, Ю.А.Новиков, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Применение ПАС для исследования протонированных пластин кремния, используемых в производстве структур КНИ. Сборник докладов XШ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2003. C.502-505.В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Ю.М.Литвинов, В.К.Мингазов, Г.Г.Мясищева, Ю.А.Новиков, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. изучение линейных и точечных дефектов и их агломератов, возникающих в процессе обработки пластин кремния, методом ПАС. Сборник докладов XШ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2003. C.498-501.С.А.Гаврилов, В.И.Графутин, О.В.Илюхина, В.К.Мингазов, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Ю.В.Фунтиков. Исследование природы и топологии нанопористых материалов методом ПАС Сборник докладов XШ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела». Севастополь, 30 июня-5 июля 2003 г. М.: МИЭМ (ТУ), 2003. C.385-387.жүктеу/скачать 1.1 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|