Ақылбеков Ә. Т. Кривобоков В. П. Даулетбекова А. К. Радиациялық және плазмалық технологиялар Орысша-қазақша терминология анықтамалығы астана-2012 +544 (038) ббк 24. 5 Я 2 а 38



жүктеу 9.53 Mb.
бет30/54
Дата09.06.2016
өлшемі9.53 Mb.
1   ...   26   27   28   29   30   31   32   33   ...   54

Распыле́ние твёрдых тел

Spraying, sputtering, dispersion, atomization

Удаление атомов (молекул) с поверхности твёрдых тел путём бомбардировки её ускоренными частицами (атомами, ионами и т.д.). В результате существенно изменяются состав и морфологическая структура облучаемой поверхности.

См. также травление.




Қатты денелерді тозаңдау

Spraying, sputtering, dispersion, atomization

Қатты дене бетінен оны үдетілген бөл-шектермен (атомдармен, иондармен және т.б.) атқылаудың көмегімен атомдардан (молекулалардан) тазарту. Нәтижесінде сәу-леленуші беттің құрамы және морфо-логиялық құрылымы айтарлықтай өзгереді.

Сон. қ. қараңыз:тазалау



распыление высокочастотное / high-frequency sputtering — удаление атомов с поверхности твёрдого тела под действием плазмы высокочастотного разряда. Несмотря на то, что данный термин применяется на практике, он не вполне точен, так как частицы в плазме высокочастотного разряда не являются ускоренными.

См. также травление высокочастотное.



жоғары жиілікті тозаңдау / high-frequency sputteringжоғары жиілікті разряд плазмасы әсерінен қатты дененің бетін атомдардан тазарту. Берілген терминнің тәжірибеде қолданылуына қарамастан, ол нақты емес, себебі, жоғары жиілікті разрядтағы плазмада бөлшектер үдетілген болмайды.

Сон. қ. қараңыз:жоғары жиілікті травление.



распыление ионное / ion(-beam) sputtering — удаление атомов с поверхности твёрдого тела с помощью бомбардировки ускорен-ными ионами. В более широком смысле — разрушение твёрдого вещества при его бомбардировке заряженными или нейтральными частицами.

См. также распыление катодное.



ионды тозаңдау / ion(-beam) sputtering - үдетілген иондармен атқылау нәтижесінде қатты дене бетін атомдардан тазарту. Кең мағынада – зарядталған немесе бейтарап бөлшектермен атқылау кезінде қатты заттың қирауы.

Сон. қ. қараңыз: катодты тозаңдау.




распыление ионно-магнетронное / ion-magnetron sputtering — метод нанесения покрытий с помощью низкочастотного переменного электромагнитного перемен-ного поля в диапазоне 103 -105 Гц. Принцип основывается на ионном распылении исходных материалов для покрытий.

Термин определён не строго, используется в основном в плазменных технологиях и почти не применяется в физике плазмы.



ионды-магнетронды тозаңдау / ion-magnetron sputtering 103 -105 Гц диапазонындағы төменгі жиілікті айнымалы электромагнитті айнымалы өрістің көмегімен сылау әдісі. Әдіс жабыуларға арналған бастапқы материалдарды ионды тозаңдандыруға негізделген.

Термин нақты анықталмаған, негізінен плазмалық технологияда қолданылады және плазма физикасында мүлдем қолданылмайды деуге болады.



распыление ионно-плазменное / ion-plasma sputtering — процесс плазменной очистки или плазменного травления поверхности, при которых высокоэнергетические ионы из плазмы падают на поверхность материала и удаляют атомы с поверхности. В качестве технологического газа используется аргон. Он также служит в тонкопленочных технологиях в качестве метода создания паровой фазы определенного состава, которая получаются путем бомбардировки пробы необходимого материала (мишени), для последующего осаждения на подложку.

ионды-плазмалық тозаңдау/ ion-plasma sputtering — плазмадағы жоғары энергиялы иондардың материал бетіне түсіп, оны атомдардан тазартуға негізделген, бетті плазмалық тазалау процесі. Техникалық газ ретінде аргон қолданылады. Бұл сонымен қатар, жұқа пленкалық технологияда материалды (нысанды) атқылау арқылы алынатын және соңынан бетке жұқтыратын қандай да бір құрамның булық фазасын түзу әдісі ретінде де қолданылады.

распыление ионно-плазменное высокочастотное / ion plasma frequency sputtering — то же самое, что и распыление ионно-плазменное, только с использо-ванием плазмы высокочастотного разряда.

жоғары жиілікті ионды-плазмалық тозаңдау / ion plasma frequency sputteringжоғары жиілікті разряд плазмасы қолданылатын ионды-плазмалық тозаңдау.

распыление катодное / cathode spraying, cathode sputtering — то же самое, что и распыление ионное, разрушение отрицательного электрода (катода) в газовом разряде под действием ударов положительных ионов. В более широком смысле — разрушение твёрдого вещества при его бомбардировке заряженными или нейтральными частицами.

Следует отметить, что термин несколько устарел и в последнее время в литературе практически вытеснен термином распыление ионное.

См. также распыление ионное.


катодты тозаңдау / cathode spraying, cathode sputteringиондық тозаңдану, газ разрядында оң иондардың соққылауынан теріс электродтың (катодтың) қирауы. Кең мағынада – зарядталған немесе бейтарап бөлшектермен атқылау кезінде қатты заттың қирауы.

Бұл термин біраз ескіріп қалғанын ескерте кеткен жөн. Соңғы кездері оның орнына ионды тозаңдандыру термині кеңінен қолданысқа ие.

Сон. қ. қараңыз: ионды тозаңдау.



распыление магнетронное / magnetron sputtering — метод нанесения тонкослойных покрытий на поверхность твёрдого тела. Является разновидностью группы техно-логий на основе тлеющего разряда. Магне-тронные распылительные системы относ-ятся к устройствам диодного типа, в котор-ых атомы распыляемого материала удал-яются с поверхности мишени при ее бом-бардировке ионами рабочего газа, образу-ющимися в плазме аномального тлеющего разряда. Катод (мишень) помещается в скрещенные электрическое (между катодом и анодом) и магнитное поля. Магнитное поле позволяет локализовать плазму раз-ряда непосредственно у мишени. На диод подается постоянное напряжение (300 – 800 В), которое приводит к возникновению между мишенью (отрицательный потен-циал) и анодом (положительный или нулевой потенциал) неоднородного элек-трического поля, и возбуждению аномаль-ного тлеющего разряда. Электроны, как выбитые из катода ионной бомбардировкой, так и родившиеся в результате ионизации молекул рабочего газа, подвергаются воздействию магнитного поля, возвращаю-щего их на катод, с одной стороны, с другой – поверхностью мишени, отталкивающей электроны. Это приводит к тому, что они совершают сложное циклическое движение у поверхности катода. При движении элек-троны многократно сталкиваются с моле-кулами (атомами) рабочего газа, обеспе-чивая высокую степень ионизации, что при-водит к возрастанию интенсивности ионной бомбардировки мишени, а следовательно, и к возрастанию скорости распыления.

Преимущества метода: высокая скорость распыления при низких рабочих напряжениях (600-800 В) и при небольших давлениях рабочего газа (510-1 - 10 Па); отсутствие перегрева подложки; малая степень загрязнения пленок; возможность получения равномерных по толщине пленок на большей площади подложек.



магнетрондық тозаңдау / magnetron sputtering қатты дененің бетіне жұқа қабаттық жұқтыру әдісі. Солғын разрядқа негізделген технологияның бір түрі болып есептеледі. Магнетронды тозаңдатқыш жүйелер нысан бетінен тозаңдатылатын материалдардың атомдарын аномальды солған разрядты плазмада пайда болатын жұмыс газымен атқылау арқылы жоғалтуға негізделген диодты типті қондырғылар жүйесіне жатады. Катодты (нысана) қиылысқан электр және магнит өрістерінің (катод пен анод арасында) орналастырады. Магнит өрісі разряд плазмасын катодтың төңірегінде жинақтайды. Диодқа тұрақты (300-800 В) кернеу беріледі, ол катод (теріс потенциал) пен анод (оң не нөлдік потенциал) арасында біртекті емес электр өрісін тудырып, аномальды солғын разрядты қоздыруына әкеліп соқтырады. Катодтан иондық атқылау кезінде, сондай-ақ жұмыс газының иондалуынан пайда болатын электрондар, бір жағынан катодқа қайтаратын магнит өрісінің әсеріне, екінші жағынан өзінен кері итеретін нысана (катод) бетінің әсеріне ұшырайды. Бұл электрондардың катод бетінде күрделі циклдік қозғалыс жасауына әкеліп соқтырады. Қозғалыс кезінде электрондар жұмыс газының молекулаларымен (атомдарымен) бірнеше рет соқтығысып, ионданудың жоғары дәрежесін қамтамасыз етеді. Ал ол нысананың ионмен атқылау интенсивтілігін арттырады, яғни, тозаңдану жылдамдығын өсіреді.

Әдістің артықшылықтары: төменгі жұмыс кернеуінде (600-800В) және жұмыс газының төмен қысымында (510-1 - 10 Па) тозаңданудың жоғары жылдамдығы; төсеніштің қызып кетуінің болмауы; пленканың ластану дәрежесінің төмен болуы; төсеніштің үлкен ауданында қалыңдығы біртекті пленка алу мүмкіндігі.




распыление низкочастотное ионное — короткая форма названия распыление низкочастотное ионно-магнетронное.

төменгі жиілікті ионды тозаңдау - төменгі жиілікті ионды-магнетронды тозаңдаудың қысқа түрде аталуы.

распыление  низкочастотное ионно-магнетронное — метод нанесения покрытий с помощью низкочастотного электромагнитного переменного поля в диапазоне кГц. Принцип основывается на ионном распылении исходных материалов для покрытий.

төменгі жиілікті ионды-магнетронды тозаңдау – төменгі кГц диапазонында электромагнитті айнымалы өріс көмегімен сылау әдісі. Бұл әдіс сылауға арналған бастапқы материалдарды ионды тозаңдауға негізделген.

распыление плазменное / plasma spraying — процесс теплового распыления, при котором материал покрытия расплавлен энергией плазменной горелки, которая генерирует неперемещаемую дугу; расплавленный материал наносится на подложку горячим ионизированым газом из горелки.

плазмалық тозаңдау / plasma spraying қозғалмайтын доғада пайда болатын плазмалық қыздырғыш энергиясы арқылы сылау материалы балқытылған күйде болатын жылулық тозаңдау процесі; балқытылған материал төсенішке қыздырғыштың иондалған ыстық газымен жағылады.

распыление реактивное / reactive sputtering — распыление проводится в присутствии химических реагентов (в газовой фазе). В этом случае на поверх-ностисти изделия образуются легко возгоняемые продукты их взаимодействия с распыляемым веществом (например, фториды, хлориды), которые затем улетучиваются.

реактивті тозаңдану / reactive sputtering химиялық реагенттердің (газдық фазада) қатысуымен болатын тозаңдану. Бұл жағдайда олардың бұйым бетіне жұқтырылатын затпен (мысалы, фторидтер, хлоридтер) әсерлесуінен жеңіл ендірілетін өнімдер түзіліп, соңынан олар ұшып кетеді.

распыление столкновительное / collisional sputtering — имеет место при передаче кинетической энергии бомбардирующих частиц атомам мишени.

соқтығысу тозаңдауы / collisional sputtering катод атомына атқылаушы бөлшектердің кинетикалық энергиясының берілуі нәтижесінде жүзеге асады.

распыление тепловое / thermal spraying — группа методов формирования покрытия, в которых дисперсные металлические или неметаллические материалы наносятся в расплавленном или полурасплавленном состоянии. Материал покрытий может быть в форме порошка, керамических стержней или расплавленных материалов.

жылулық тозаңдану / thermal spraying ерітілген немесе жартылай ерітілген күйде ұнтақталған металл немесе бейметалл материалдарды сылауды қалыптастыру әдістерінің тобы. Сылау материалы ұнтақ түрінде, керамикалық өзекше немесе балқытылған материалдар түрінде болуы мүмкін.

распыление химическое (ионно-химическое, плазмохимическое) / chemical (plasma chemical, ion chemical) sputtering — особый вид распыления твёрдого тела химически активными ионами (атомати, молекулами, радикалами), при котором эмиссия вещества с поверхности осуществ-ляется не только в результате физических процессов, но и вследствие образования летучих химических соединений, которые затем покидают поверхность.

химиялық тозаңдау (ионды-химиялық, плазмохимиялық) / chemical (plasma chemical, ion chemical) sputtering химиялық белсенді иондармен (атомдармен, молекулалармен, радикалдармен) қатты денені тозаңдаудың ерекше түрі. Бұл жағдайда беттен заттың ұшып шығуы тек қана физикалық процесс нәтижесінде ғана емес, сонымен қоса, соңынан бетті тастап кететін ұшқыш химиялық байланыстардың пайда болуымен жүзеге асады.

распыление электродуговое / electric arc spraying — тепловой процесс распыления сжатым газом, использующий в качестве источника высокой температуры электри-ческую дугу между двумя плавящимися электродами материала покрытия.

электрлі доғалық тозаңдау / electric arc spraying жұқтыру материалын жоғары температура көзі ретінде екі еритін электродтарының арасындағы электрлік доға қолданылатын сығылған газбен тозаңдаудың жылулық процесі.


Рассе́яние

Dispersion, diffusion scattering

Процесс столкновения частиц, в результате которого меняются их импульсы или наряду с изменением импульсов меняются также внутренние состояния частиц, или образуются другие частицы.



Шашырау

Dispersion, diffusion scattering

Нәтижесінде импульстары өзгеретін немесе импульстерінің өзгеруімен қатар бөлшектердің ішкі күйлері де өзгеретін, немесе басқа бөлшектер пайда болатын бөлшектердің соқтығысу процесі.


рассеяние квазиупругое / quasielastic scattering — столкновение частиц, при котором их импульсы и энергии остаются практически такими же, как и при упругом рассеянии.

квазисерпімді шашырау / quasielastic scattering нәтижесінде импульстары мен энергиялары, серпімді шашырауы кезіндегідей, өзгеріссіз болып қалатын бөлшектердің соқтығысуы.

рассеяние малоугловое — упругое рассеяние электромагнитного излучения или пучка частиц на неоднородностях вещества, размеры которых существенно превышают длину волны излучения (или дебройлевсую длину волны)частиц. Направления рассеянных лучей при этом лишь незначительно отклоняются от направления падающего луча.

аз бұрышты шашырау - бөлшектер шоғының немесе электромагниттік сәуленің өлшемдері бөлшектер сәулесінің толқын ұзындығынан анағұрлым үлкен заттың біртекті емес аймақтарында серпімді шашырауы. Бұл кезде шашыраған сәуленің бағыты түскен сәуленің бағытынан аз ғана бұрышқа ауытқиды.

рассеяние неупругое / inelastic scattering — столкновение частиц, сопровождающееся изменением их внутреннего состояния, превращением в другие частицы или дополнительным рождением новых частиц.

серпімсіз шашырау / inelastic scattering ішкі күйінің өзгеруімен, басқа бөлшектерге айналуымен немесе қосымша жаңа бөлшектердің тууымен бірге жүретін бөлшектердің соқтығысуы.

рассеяние носителей заряда в кристаллах / charge carrier scattering — процесс взаимодействия электрона проводимости (дырки) с нарушениями идеальной периодичности кристалла, сопровож-дающийся изменением импульса.

кристалдардағы заряд тасымалдау-шылардың шашыруы / charge carrier scattering импульстің өзгеруімен қатар жүретін, кристаллдың нақты периодтылы-ғының бұзылуын тудыратын өткізгіштік электронының (кемтіктің) әсерлесу процесі.

рассеяние упругое / elastic scattering — взаимодействие двух частиц, в результате которого их внутреннее состояние не меняется. Применительно к свету при упругом рассеянии длина волны остаётся неизменной.

См. также сечение упругого рассеяния.



серпімді шашырау / elastic scattering нәтижесінде олардың ішкі күйлері өзгермейтін екі бөлшектің өзара әсерлесуі. Жарықтың серпімді шашырауы кезінде оның толқын ұзындығы өзгеріссіз қалады.

Сон. қ. қараңыз: серпімді шашыру қимасы.




Растворение отработавшего топлива

Процесс выщелачивания ядерного топлива из измельченных тепловыделяющих сборок. Выполняется на специальных аппаратах периодического и непрерывного действия. В качестве основного растворителя используется азотная кислота.




Өңделген отынның еруі

Ұсақталған жылу бөлгіш қорытпалардан ядролық отын алу процесі. Периодты және үздіксіз әсер ететін арнайы аппараттарда орындалады. Негізгі еріткіш ретінде азот қышқылы қолданылады.




Растрескивание покрытия

Cracking of coating

Дефект покрытия (например, плазменного) в виде совокупности трещин, возникающих под действием внутренних напряжений или внешних нагрузок.



Жабынның шытынауы

Cracking of coating

Ішкі кернеудің немесе сыртқы жүктеменің әсерінен пайда болатын сызаттар жиыны түріндегі жабын ақауы (мысалы плазмалық).



Расходи́мость пучка́ ио́нов

Beam divergence

Отклонение ориентации ионного пучка от точного направления, параллельного атомным рядам в кристалле.



Иондар шоғының таралуы

Beam divergence

Кристалдағы атом қатарына параллель ион шоқтары бағдарының нақты бағытынан ауытқуы.



Рафинирование

Refining (от франц. raffiner - очищать)

Окончательная очистка продукта от прмесей.



Рафинадтау

Refining (от франц. raffiner - тазарту)

Өнімнің қоспалардан ең соңғы тазартылуы.


рафинирование металлов / metal refining – процесс очистки первичных (черновых) металлов от нежелательных примесей или примесей, представляющих самостоя-тельную ценность.

металдарды рафинадтау / metal refining – бастапқы (қара) металдардың жағымсыз қоспалар немесе өзіндік бағасы бар қоспалардан тазарту процесі.

рафинирование металлов плазменное / plasma metal refining – освобождение металлов от примесей путем их местного перегрева плазменной дугой или струей плазмы плазмотрона. Температура перегрева подбирается так, чтобы она превышала точку кипения примесей, но была ниже точки кипения рафинируемого металла. Примеси либо испаряются, либо окисляются.

металдарды плазмалық рафинадтау / plasma metal refining – плазмалық доға немесе плазматрон плазмасы ағынының жергілікті аса қызу жолымен металдардың қоспалардан босатылуы. Аса қызу температурасы қоспалардың қайнау нүктесінен асатындай, бірақ тазарушы металдың қайнау нүктесінен төмен болатындай етіп таңдалады. Қоспалар буланады немесе тотығады.

рафинирование центробежное / centrifugal refining – очистка жидких металлов и сплавов от твердофазных включений под дейтвием центробежных сил. Осуществ-ляется в центрифугах.

орталықта жүгіруші рафинадтау / centrifugal refining – орталықта жүгіруші күштердің әсерінен сұйық металдар мен қорытпаларды қатты фазалық қосылыстардан тазарту. Центрифугаларда жүзеге асады.

рафинирование электролитическое / electrolytic refining – электролиз водных растворов или солевых расплавов, применяемый для гоубокой очистки большинства цветных металлов (Al, Cu, Ni, Ti, Au, Ag и др.).

электрлі рафинадтау / electrolytic refining – көптеген түсті металдарды терең (Al, Cu, Ni, Ti, Au, Ag и др.) тазартуда қолданушы сулы ерітінділер немесе тұзды балқымалардың электролизі.


Реакти́вность

Reactivity

Мера отклонения коэффициента размно-жения нейтронов в активной зоне ядерного реактора от единицы. Положительная реак-тивность соответствует разгону реактора, отрицательная – спаду его мощности.



Реактивтілік

Reactivity

Ядролық реактордың белсенді аймағында нейтрондардың көбею коэффициентінің бірліктен ауытқуының өлшемі. Оң реактивтілік реактор қуатының артуына, ал теріс реактивтілік – кемуіне сәйкес келеді.



Реактор

Reaction vessel, (nucl.)reactor, (elec.) reactor, reactance coil

Устройство для осуществления каких-либо реакций (химических, ядерных и т.д.).



Реактор

Reaction vessel, (nucl.)reactor, (elec.) reactor, reactance coil



Қандай да бір реакцияны (химиялық, ядролық және т.б.) жүзеге асыруға арналған қондырғы

реактор баррельный / barrel reactor — цилиндрическая плазменная установка в форме бочки. В начальный период создания плазменных установок были очень распространены, сегодня – в меньшей степени. Название изредка встречается в иностранной литературе, его можно считать устаревшим.

баррельді реактор – бөшке пішінді цилиндрлік плазмалық қондырғы. Цилиндрлік плазмалық қондырғылар алғашқы кезде кеңінен таралған болатын, ал қазір олар сирек жасалады. Ол шетел әдебиеттерінде сирек кездеседі, бұл атауды ескірген деп есептеуге де болады.

реактор бридерный (реактор-размножитель) – то же, что и бридер.

бридерлі реактор (көбейткіш-реактор)- бридерді қараңыз

реактор гетерогенный / heterogeneous reactor — имеет активную зону в виде гетерогенной размножающей среды. В таком реакторе топливо в виде цилиндрических стержней (или пластин) выделено пространственно так, что создает основу решетки активной зоны – системы топливных и других материалов, расположенных в определенной периодической последовательности.

гетерогенді реактор / heterogeneous reactor - гетерогенді көбейтуші орта түріндегі белсенді аймаққа ие. Мұндай реакторда цилиндрлік стержень (немесе пластина) түріндегі отын кеңістікте белсенді аймақ торының негізін, белгілі периодты реттілікпен орналасқан отын немесе басқа да материалдар жүйесін, құрайтындай етіп орналастырылған.

реактор гомогенный / homogeneous reactor — реактор, активная зона которого представляет собой гомогенную размножающую среду (однородную смесь). В таком реакторе топливо и замедлитель (возможно, и другие компоненты активной зоны) находятся либо в растворе, либо в достаточно равномерной смеси, либо пространственно разделены, но так, что разница в потоках нейтронов любых энергий в них несущественна.

гомогенді реактор / homogeneous reactorбелсенді аймағы гомогенді көбею ортасы (біртекті қоспа) түріндегі реактор. Мұндай реакторда отын мен баяулатқыш (белсенді аймақтың басқа да компоненттері болуы мүмкін) не ерітіндіде, не жеткілікті дәрежедегі біртекті қоспада, не нейтрондар ағынындағы кез-келген энергиялар айырымы ескерілмейтіндей болып кеңістіктік бөлініп орналасуы мүмкін.

реактор дистанционно-плазменной обработки  — плазменный реактор, используемый чаще всего для процессов очистки и травления, в котором плазма и подложка пространственно разнесены. Образующиеся в плазме радикалы и ионы направляются быстрым потоком технологического газа над обрабатываемой поверхностью, которая находится вне зоны газового разряда.

қашықтықты–плазмалы өңдеу реакторы – плазма мен төсеніш кеңістікті таратылған тазалау мен өңдеу жұмыстарында жиі қолданылатын плазмалық реактор. Плазмада пайда болған радикалдар мен иондар технологиялық газдың жылдам ағынымен газ разрядының аймағынан тыс орналасқан өңделуші беттің үстіне бағытталады.

реактор импульсный / pulse reactor — ядерный реактор, генерирующий кратковременные (10-5 – 10-4 с) импульсы потока нейтронов с интегральным флюенсом 1012 – 1015 нейтрон/см2.

импульсті реактор / pulse reactorинтегралды флюенсі 1012 – 1015 нейтрон/см2 болатын нейтрондар ағынының қысқа уақытты (10-5 – 10-4 с) импульсін өндіруші ядролық реактор.

реактор канальный / pressure tube reactor; channel-type reactor — ядерный реактор, в активной зоне которого топливо и циркулирующий теплоноситель содержатся в отдельных герметичных технологических каналах, способных выдержать высокое давление теплоносителя.

арналы реактор / pressure tube reactor; channel-type reactor белсенді аймағында отын мен циркуляциялаушы жылутасымалдағыш олардың жоғары қысымына төзе алатын жеке герметикалық технологиялық арналарда орналасатын ядролық реактор.

реактор корпусной / tank reactor — ядерный реактор, активная зона которого находится в корпусе, способном выдержать давление теплоносителя и тепловые нагрузки. Высокое давление теплоносителя в легководных реакторах, которые по конструктивному исполнению являются корпусными, требует наличия прочного толстостенного стального корпуса.

корпусті реактор / tank reactor белсенді аймағы жылутасымалдағыш пен жылулық жүктеменің қысымына төзе алатын корпуста орналасатын ядролық реактор. Құрылымы бойынша корпустық болып табылатын жеңіл жүрісті реакторлардағы жылутасымалдағыштың жасайтын жоғары қысымы корпусының берік қалыңқабырғалы болаттан жасалуын қажет етеді.

реактор на быстрых нейтронах — энергетический реактор, работающий в отличие от реактора на тепловых нейтронах в основном на быстрых нейтронах, с энергиями более 1 МэВ. Способен преобразуя U238, производить плутоний в количествах, больших чем сжигает U235 , т.е. имеет коэффициент воспроизводства больше единицы.

жылдам нейтронды реактор – жылулық нейтронды реакторларға қарағанда, негізінен энергиясы 1 МэВ-тан жоғары жылдам нейтрондармен жұмыс істеуге негізделген энергетикалық реактор. U238-ді түрлендіру кезінде плутонийді U235 жағатын мөлшерден көп өндіруге қабілетті, яғни бірден жоғары өндіру коэффициентіне ие.

реактор на тепловых нейтронах (тепловой реактор) / termal reactor — ядерный реактор, в котором цепная реакция деления топлива осуществляется на тепловых нейтронах

жылулық нейтронды реактор (жылу реакторы) / termal reactor отынның тізбекті бөліну реакциясы жылулық нейтрондар есебінен жүзеге асатын ядролық реактор.

реактор плазменный / plasma processor — узел плазмохимического или плазменного металлургического агрегата, в котором осуществляются процессы тепло- и массообмена, а также химические реакции с участием низкотемпературной плазмы.

См. также металлургия плазменная, плазмохимия.



плазмалық реактор / plasma processor жылу және масса алмасу процестері, сондай-ақ төменгі температуралы плазманың қатысуымен болатын химиялық реакциялар жүзеге асатын плазмалыхимиялы немесе плазмалы металлургиялы агрегаттың түйіні.

Сон. қ. қараңыз: плазмалы металлургия, плазмалы химия.



реактор промышленный / production reactor — ядерный реактор, предназначен-ный, главным образом, для производства делящихся материалов в промышленном масштабе. Обычно этот термин относится к реакторам для производства плутония.

өндірістік реактор / production reactor негізінен өндірістік ауқымда бөлінетін материалдар өндіруге арналған ядролық реактор. Әдетте бұл термин плутоний өндіретін реакторларға қатысты.


реактор с параллельными пластинами  — плазменная установка, в которой между двумя параллельными пластинами одинако-вого формата генерируется плазма в форме диска.

параллель пластиналы реактор – бірдей форматты екі қос пластинаның аралығында дискі формалы плазма өңдірілетін плазмалық қондырғы.


реактор термоядерный / fusion reactor — реактор, в котором осуществляется управляемый термоядерный синтез с целью получения энергии.

термоядролық реактор / fusion reactor энергия алу мақсатында басқарылатын термоядролық синтез жүзеге асатын реактор.

реактор травления  плазменныйэти плазменные установки называются плазменными реакторами травления. С их помощью можно травить различные поверхности.

плазмалы тазарту реакторы — бұл плазмалы қондырғылар плазмалы тазарту реакторлары деп аталады. Олардың көмегімен әртүрлі беттерді тазартуға болады.

реактор энергетический / production reactor — реактор, предназначенный для производства большого количества тепла (электроктроэнергии).

энергетикалық реактор / production reactor жылуды көп мөлшерде өндіруге арналған реактор.


реактор ядерный / nuclear reactor — установка, в которой цепная реакция деления ядер, вызываемая нейтронами, может поддерживаться, контролироваться и использоваться в практических целях.

ядролық реактор / nuclear reactor нейтрондар тудыратын ядроның бөлінуінің тізбекті реакциясын ұстап тұруға, басқаруға және практикалық мақсаттарда қолдануға мүмкіндік беретін реактор.

1   ...   26   27   28   29   30   31   32   33   ...   54


©dereksiz.org 2016
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет