Травление
Etching
1. Химическое или электрохимическое удаление пленок с металлической поверх-ности, чтобы подготовить поверхность для последующей обработки, например окраски или нанесения гальванического покрытия.
2. Удаление атомов (молекул) с поверх-ности твердого тела с помощью плазмы или пучков заряженных частиц в процессе его технологической обработки. При этом ре-жимы обработки поверхности должны исключать возможность повреждения вну-тренних слоев. Удаление инородных матер-иалов (загрязнений) с поверхности трав-лением не является. Распыление — частный случай травления, когда удаление атомов происходит в результате столкновительных процессов.
Өңдеу
Etching
1.Бетті ары қарай мысалы бояу немесе гальваникалық жамылғы жабу сияқты өңдеуге дайындау үшін металл беттен пленкаларды химиялық немесе электрохимиялық жою.
2.Қатты дене бетінен оны технологиялық өңдеу процесінде плазма немесе зарядталған бөлшектер шоғымен атомдарды (молекулаларды) жою. Мұнда бетті өңдеу режимдері ішкі қабаттарды зақымдау мүмкіндігін болдырмауы керек.Бөгде материалдарды (ластануларды) беттен жою өңдеу емес.
Тозаңдандыру- атомдарды жою соқтығысу нәтижесінде болатын өңдеудің бір түрі.
|
травление анодное / anodic pickling — электролитическое травление, при котором травимый материал является анодом.
|
анодты өңдеу / anodic pickling — өңделетін материал анод болатын электролиттік өңдеу.
|
травление высокочастотное / high-frequency etching — удаление вещества с поверхности твердого тела под действием плазмы разряда высокочастотного. Метод применяется в том случае, если материалом мишени является диэлектрик. Для распыле-ния диэлектрика необходимо периодически нейтрализовать положительный заряд на нем. Для этого к металлической пластине, расположенной непосредственно за распы-ляемой диэлектрической мишенью, прикла-дывают напряжение с частотой 1-20 МГц.
|
жоғары жиілікті өңдеу / high-frequency etching — затты қатты дене бетінен жоғары жиілікті разряд плазмасының көмегімен жою. Бұл әдіс нысана материалы диэлектрик болған кезде ғана қолданылады. Диэлектрикті тозаңдандыру үшін ондағы оң зарядты периодты түрде бейтараптап тұру керек. Ол үшін тозаңданушы диэлектриктің астында орналасқан металл пластинаға жиілігі 1-20 МГц болатын кернеу түсіріледі.
|
травление ионно- плазменное / ion plasma etching — удаление вещества с поверхности твердого тела под действием бомбар-дировки ионной.
|
ионды- плазмалық өңдеу / ion plasma etching — затты қатты дене бетінен ионды соққылаудың көмегімен жою.
|
травление плазменное / plasma etching — травление поверхности в плазме с помощью реактивного технологического газа. Материал уносится, превращается в газовую фазу и отсасывается. Поверхность увеличивается и очень хорошо смачивается.
|
плазмалық өңдеу / plasma etching — бетті реактивті технологиялық газдың көмегімен плазмада өңдеу. Материал алып кетіледі, газдық фазаға түрленеді және сіңіріледі. Бет ұлғаяды және өте жақсы дымқылданады.
|
травление ионно-пучковое / ion beam etching — травление поверхности с помощью пучка ускоренных ионов.
|
ионды-шоқты өңдеу / ion beam etching —бетті үдетілген иондар көмегімен бетті өңдеу.
|
травление ионно-химическое / chemically assisted ion beam etching — травление поверхности твердого тела с применением ионов XeF+, XeF2+, CF3+ и т.д. Эффект достигается благодаря как физическому распылению, так и эрозии с помощью химической реакции, в которую вступают эти с атомами поверхности. Различают три вида ионно-химического явления.
|
ионды-химиялық өңдеу / chemically assisted ion beam etching — қатты дене бетін XeF+, XeF2+, CF3+ және басқа иондарды қолдана отырып өңдеу.Әсерге физикалық тозаңдану нәтижесінде, осы бет атомдарымен химиялық реакцияға сәйкес эррозиямен қол жеткізуге болады.Ионды-химиялық құбылыстардың үш түрін ажыратады.
|
-
травление ионным пучком химическое ускоренное / chemically assisted ion beam etching — химическое травление, ассистированное пучком ускоренных ионов.
|
1) химиялық үдетілген ионды шоқпен өңдеу-
/ chemically assisted ion beam etching —Үдетілген иондардың көмегімен ессистирленген химиялық өңдеу.
|
-
травление реактивное, ионное, в плазме / ion etching in plasma — ионное травление в плазме, при котором ионы не ускорены. Является универсальной техникой сухого травления почти для всех материалов, находящих применение в электронике и оптоэлектронике. Заряжен-ные частицы плазмы набегают на поверх-ность обрабатываемой детали и уносят материал воспроизводимым и анизотроп-ным способом слой за слоем. Используется для анизотропного структурирования кремния, органических и неорганических диэлектриков, металлических барьерных материалов. В случае кремния или кремнийсодержащих слоев используются газы на основе фтора (CF4, SF6 др.). Травление органических молекул или очистка неорганических поверхностей от органических остатков осуществляется с помощью кислородной плазмы или смеси О2 и CF4. Металлические травятся физически (в режиме распыления), например, с помощью аргонной плазмы.
|
2) реактивті, иондық, плазмадағы өңдеу- / ion etching in plasma — иондар үдетілмеген жағдайда, плазмадағы иондық өңдеу. Электроника мен оптоэлектроникада қолданылатын барлық дерлік матриалдарды құрғақ өңдеудің әмбебап техникасы болып табылады. Плазманың зарядталған бөлшектері өңделетін бұйымның бетіне ілесіп және қабат сайын материалды өндіруші және анизатробты тәсілмен алып кетеді.Кремнийді, органикалық және бейорганикалық диэлектриктерді, метал барьерлік материалдарды анизатропты құрылымдау үшін қолданылады. Кремний немесе кремнийден тұратын қабаттар үшін фтор (CF4, SF6 др.) негізді газдар қолданылады. Органикалық молекулаларды өңдеу немесе бейорганикалық беттерді қалдықтардан тазарту оттекті плазма көмегімен немесе О2 және CF4 қоспасының көмегімен іске асырылады. Металдықтар физикалық (тозаңдандыру режимінде), мысалы аргонның көмегімен өңделеді.
|
-
травление реактивное, ионно-пучковое / reactive ion beam etching — травление ионами, причем они ускорены и сформированы в пучок.
|
3) реактивті, ионды-шоқты өңдеу- / reactive ion beam etching — иондармен өңдеу, олар үдетілген және шоқ түрінде.
|
травление печатных плат / plated circuit etching — важная технологическая операция в электротехнической и микроэлектронной промышленности. При её выполнении закрываются участки проводящего или полупроводникового слоя, полностью покрывающего печатную плату, которые в дальнейшем будут использоваться в качестве токопроводящих дорожек, и открытые поверхности слоя удаляются методом травления. Процесс травления можно проводить жидким химическим способом или с помощью плазмы.
|
баспа платаларын өңдеу / plated circuit etching — электротехникалық және микроэлектроникалық өндірісте маңызды технологиялық операция болып табылады. Бұл процесті жүзеге асыру кезінде баспа платасын түгелімен көмкеріп тұрған өткізгіш немесе жартылай өткізгіш қабаттың кейіннен ток өткізгіш жолдар қызметін атқаратын аймақтарының беті жабылып, ал ашық қалған аймақтары өңдеу әдісімен жойылады. Өңдеу процесін сұйық химиялық әдіспен немесе плазманың көмегімен жүргізуге болады.
|
травление селективное / selective etching — воздействие на поверхность металла селективным химикатом, электролити-ческим раствором, плазмой и т.д., чтобы показать детали ее структуры для металлографического исследования.
|
таңдамалы өңдеу / selective etching — металл бетіне металлографиялық зерттеу үшін оның құрылымының бөліктерін көрсету үшін селективті химикатпен, электролиттік ерітіндімен, плазмамен және тағы басқа әсер ету.
|
травление стекла — стекло можно травить химическим способом с помощью плавиковой кислоты, которая, однако, является высокотоксичной и может причинить химические ожоги с тяжкими последствиями. Альтернативой может быть контролируемое травление стекла в плазме, если используется фторсодержащий техно-логический газ. При таком способе отсутствует прямой контакт едких фтор-истых соединений с окружающей средой.
|
шыныны өңдеу — шыныны балқымалы қышқылдың көмегімен химиялық әдіспен өңдеуге болады. Бірақ та мұндай қышқылдар өте улы болып келеді және химиялық күйіктер тудыруы мүмкін. Егер құрамында фтор бар газ қоспасы қолданылатын болса, плазмадағы әйнекті басқарылатын тазартуды альтернативті процесс деп қарастыруға болады. Бұл тәсілде фтор қоспаларының қоршаған ортамен тікелей байланысы болмайды.
|
травление физическое / physical etching process — процесс травления, при котором унос материала основывается главным образом на механических ударах ионов газа.
См. также распыление.
|
физикалық өңдеу — материалдың алып кетілуі таз иондарының механикалық соққысының көмегімен жүзеге асатын өңдеу процесі.
Сон. қ. қараңыз: тозаңдалу.
|
Траектория частицы
Trajectory of particle
Линия, описываямая заряженной частицей в процессе ее движения относительно выбранной системы координат.
|
Бөлшек траекториясы
Trajectory of particle
Таңдалған координата жүйесіне қатысты бөлшектің қозғалысы процесінде зарядталған бөлшек сызатын сызық.
|
Трек
от англ track — след, путь
Видимый след, оставляемый заряженной частицей (или атомным ядром) в веществе детектора частиц и воспроизводящий траекторию её движения. Заряженная частица, двигаясь в нейтральной среде детектора (газ, жидкость, твердое тело), вызывает за счет электромагнитных сил ионизацию (а также возбуждение и поляризацию) атомов среды. При этом вдоль пути движения частицы появляются свободные заряды (электроны и ионы). В определенных условиях дорожку свободных электронов и ионов, созданную пролетающей заряженной частицей, можно сделать видимой. Это осуществляется в так называемых трековых детекторах.
|
Трек
ағыл. track — із, жол
Иондалған бөлшектің тіркегіш детектор затында қалдырған және оның қозғалыс траекториясын қайталайтын көрінетін із. Зарядталған бөлшек детектордың бейтарап ортасында (газ, сұйық, қатты дене) қозғала отырып, электромагниттік күштер есебінен атомдық ортаның иондалуын (сондай-ақ қозуы мен поляризациясын) тудырады. Осылайша бөлшектің қозғалыс жолының бойында еркін зарядтар (электрондар мен иондар) пайда болады. Белгілі бір жағдайда ұшып өткен зарядталған бөлшек туғызған еркін электрондар мен иондарды көрінетіндей етуге болады. Бұл тректік детекторларда жүзеге асырылады.
|
Трек скрытый
Latent track
-
Специфический макродефект в твердом теле, вытянутый вдоль траектории тормозящегося высокоэнергетического иона (данное определение используется в радиационной физике твердого тела). 2. Специфический макродефект в твердом теле, вытянутый вдоль траектории тормозящегося высокоэнергетического иона и не подвергавщийся травлению химическим реагентом (это определение используется в минералогии, кристаллохимии и т.д.)
|
Жасырын трек
Latent track
1. Тежеуші жоғары энергетикалық ион траекториясын бойлай созылған қатты денедегі спецификалық макроақау. (берілген түсінік қатты дененің радиациялық физикасында қолданылады). 2.Тежеуші жоғары энергетикалық ион траекториясын бойлай созылған және химиялық реагентпен өңдеуге ұшырамаған қатты денедегі спецификалық макроақау (бұл түсінік минералогияда, кристалды химияда және т.б қолданылады).
|
Тре́ние радиацио́нное (реа́кция излуче́ния)
Radiation reaction
Сила, действующая на ускоренно движущуюся заряженную частицу со стороны создаваемого ею электромагнитного поля излучения и приводящая к торможению частицы; работа этой силы равна энергии, уносимой излучением.
|
Радиациялық үйкеліс (сәуле реакциясы)
Radiation reaction
Үдемелі қозғалып келе жатқан зарядталған бөлшекке өзі туындатқан сәуленің электромагниттік өрісі тарапынан әсер ететін және бөлшектің тежелуіне алып келетін күш; бұл күштің жұмысы сәуленің алып кеткен энергиясына тең.
|
Тре́ние
Friction
|
Үйкеліс
Friction
|
трение внешнее / external friction — механическое сопротивление,
возникающее в плоскости касания двух соприкасающихся тел при их относительном перемещении.
|
сыртқы үйкеліс / external friction — бір-біріне жанасып тұрған екі дененің бір-біріне қатысты салыстырмалы қозғалысы кезінде пайда болатын механикалық кедергісі.
|
трение внутреннее / internal friction — затухание упругих колебаний в материале, обусловленное внутренними процессами, приводящими к необратимому рассеиванию механической энергии при деформации вследствие преобразования ее в тепловую.
|
ішкі үйкеліс / internal friction — деформация кезінде механикалық энергияның жылулық энергияға түрленуінің салдарынан, оның қайтымсыз шашырауына алып келетін ішкі процестердің нәтижесінде материалдағы серпімді тербелістің өшуі.
|
трение качения внешнее / external rolling friction — механическое сопротивление, возникающее в зоне контакта при качении одного тела по другому; силы трения качения очень малы по сравнению с силами трения скольжения.
|
сыртқы тербеліс үйкелісі / external rolling friction — бір дененің екінші бір дене бетінде тербелуі кезінде олардың әсерлесу аймағында туындайтын механикалық кедергі; тербелмелі үйкеліс күші сырғанау үйкеліс күшімен салыстырғанда өте аз.
|
трение скольжения внешнее (контактное трение) / sliding fraction — механическое сопротивление движению одного тела по поверхности другого; в очаге деформации возникает при взаимодействии инструмента и обрабатываемого материала.
|
сыртқы сырғанау үйкелісі / sliding fraction — бір дененің басқа бір дененің бетімен қозғалысына әсер ететін механикалық кедергі. Деформация құрал мен дәнекерленуші заттың арасындағы әсерлесу кезінде іске асады.
|
Тре́щина
Crack
Преимущественно двухмерный дефект — нарушение сплошного материала с образованием свободных поверхностей.
См. также трещиностойкость.
|
Сызат
Crack
Еркін беттердің пайда болуының әсерінен бүкіл материалдың бұзылуы. Мұндай ақаулар негізінен екі өлшемді болып келеді.
Сон. қ . қараңыз: Сызатқа төзімділік
|
Трещиносто́йкость
Crack growth resistance
Способность материала сопротивляться развитию трещин (разрушению) при однократном, циклическом и замедленном разрушении.
|
Сызатқа төзімділік
Crack growth resistance
Материалдың бірдүркін, циклдік және баяу қирауы кезіндегі сызаттардың дамуына қарсы тұру қасиеті.
|
Триболюминесце́нция
Triboluminescence
Люминесценция, возникающая при трении или разрушении кристаллов.
См. также люминесценция.
|
Триболюминесце́нция
Triboluminescence
Кристалды ысқылағанда немесе оның қирауы кезінде пайда болатын люминесценция.
Сон. қ . қараңыз: люминесце́нция
|
Трибология
Tribology
Естественно-научная и общетехническая дисциплина, изучающая процессы трения и изнашивания, возникающие при взаимном перемещении контактирующих твердых тел в отсутсвии и при наличии окружающей газовой или жидкостной среды.
|
Трибология
Tribology
Қоршаған газды немесе сұйық ортаның болуы мен болмауы кезінде байланысушы қатты денелердің өзара орын ауыстыруы кезінде туындайтын үйкеліс пен ескіру процестерін зерттейтін жаратылыстану-ғылыми және жалпы техникалық дисциплина.
|
Трубка рентгеновская
X-ray tube
Электровакуумный прибор — источник рентгеновского излучения, например, в камерах для рентгеноструктурного анализа.
|
Рентген түтікшесі
X-ray tube
Рентген сәулелерінің көзі болып табылатын электровакуумды құрылғы. Мысалы, рентгенді құрылымдық талдауға арналған камераларда қолданылады.
|
Трубки дрейфовые
Drift tubes
Система сосны расположенных вдоль прямой линии полых металлических трубок в вакуумной камере ускорителя заряженных частиц. Частица покидает источник и летит сквозь эти трубки. На них подается переменное электрическое поле, которое действует на частицу лишь когда она пролетает через зазор между ними (внутри трубок поле экранируется). Таким образом, в трубках частицы летят по инерции – дрейфурт, т.е. движутся с постоянной скоростью (поэтому их называют дрейфовыми).
|
Дрейфті түтікшелер
Drift tubes
Зарядталған бөлшектер үдеткішінің вакуумды камерасында қуыс металл түтікшелердің тік сызықтарын бойлай орналасқан қарағай жүйесі. Бөлшек қайнар көзді тастап осы түтікшелер бойымен ұшады. Бөлшекке олардың арасындағы саңылау арқылы ұшып шыққанда (түтікшелер ішінде өріс қалқаланады) ғана әсер ететін айнымалы электр өрісі беріледі. Демек, түтікшелерде бөлшектер дрейфурт инерциясы бойынша ұшады яғни тұрақты жылдамдықпен (сондықтан да оларды дрейдты деп атайды) қозғалады.
|
Туннелирование межзонное (пробой зинеровский)
Band-to-band tunneling
Туннелирование электронов из валентной зоны диэлектрика или полупроводника в зону проводимости через запрещенную зону под действием электрического поля. Его можно рассматривать как рождение пары-электрон – дырка в электрическом поле.
См.также эффект туннельный
|
Зонааралық туннельдеу (зинерлі тесілу)
Band-to-band tunneling
Электрондарды диэлектрик немесе жартылайөткізгіштің валентті аймағынан электрлі өрістің әсерімен тыйым салынған аймақ арқылы өткізгіштік аймағына туннельдеу. Оны жұп-электронның тууы – электрлік өрістегі кемтік деп қарастыруға болады. Сон.қ.қара. туннельді эффект
|
Турбуле́нтность пла́змы
Plasma turbulence
Хаотическое, детально невоспроизводимое пространственно-временно́е изменение параметров плазмы, неустойчивой относи-тельно возбуждения сразу многих ее степеней свободы (колебаний, волн и вихрей разл. типов) до уровня, заметно выше теплового.
|
Плазманың турбуленттілігі
Plasma turbulence
Бір мезгілде бірнеше еркіндік дәрежелерінің қозуына қатысты орнықсыз, хаостық, дәлме-дәл қайталауға келмейтін, кеңістікті-уақыттық плазма параметрлерінің өзгерісі.
|
У
Уго́л
Angle
Неограниченная геометрическая фигура, образованная двумя лучами (сторонами угла), выходящими из одной точки (вешины угла). Является пространственной характер-истикой физических параметров многих процессов.
|
Бұрыш
Angle
Бір нүктеден шығатын (бұрыш шыңдары) екі сәуледен жасалған (бұрыш жақтарымен) шектеусіз геометриялық фигура. Көптеген процестердің физикалық параметрлерінің кеңістікті сипаттамасы болып табылады.
|
угол диэлектрических потерь / dielectric loss angle, lose angle — величина, характеризующая отношение энергии, поглощённой диэлектриком за период колебаний, к средней энергии переменного электрического поля в диэлектрике.
|
диэлектриктік шығын бұрышы / dielectric loss angle, lose angle — диэлектриктегі айнымалы электр өрісінің бір тербеліс периоды кезіндегі диэлектриктің жұтқан энергиясының осы өрістің орташа энергиясына қатынасын сипаттайтын шама.
|
угол каналирования критический / critical channeling angle — максимальный угол между осью структурного канала кристаллической решетки и вектором скорости частицы, когда она может войти в режим каналирования (см. ст. каналирование заряженных частиц).
|
кризистік каналдандыру бұрышы / critical channeling angle — кристалл торының құрылымдық арнасы мен ол каналдану режиміне кіре алатын кездегі бөлшек жылдамдығы векторының арасындағы максималь бұрыш ( қараңыз зарядталған бөлшектердің каналдануы ).
|
угол отражения / angle of reflection — угол между направлением распространения отражённой волны и перпендикуляром к поверхности раздела двух сред, на которой происходит отражение волны.
|
шағылу бұрышы / angle of incidence — шағылған толқынның таралу бағыты мен осы шағылу процесі іске асатын екі ортаны бөліп тұрған бетке тұрғызылған перпендикуляр арасындағы бұрыш.
|
угол падения / angle of incidence — угол между направлением распространения падающей волны и перпендикуляром к поверхности раздела двух сред, на которую падает волна.
|
түсу бұрышы / angle of incidence — түскен толқынның таралу бағыты мен толқын түсетін екі ортаны бөліп тұрған бетке тұрғызылған перпендикуляр арасындағы бұрыш.
|
угол преломления / refraction angle — угол между направлением распространения преломлённой волны и перпендикуляром к поверхности раздела двух сред, на которой происходит преломление.
|
сыну бұрышы / refraction angle — сынған толқынның таралу бағыты мен толқын сынатын екі ортаны бөліп тұрған бетке тұрғызылған перпендикуляр арасындағы бұрыш.
|
угол рассеяния / scattering angle — угол между направлениями векторов начального и конечного импульсов рассеиваемой частицы.
|
шашырау бұрышы / scattering angle — шашыраған бөлшектердің бастапқы және соңғы импульс векторларының арасындағы бұрыш.
|
угол трения / angle of friction, angle of repose — угол, тангенс которого равен коэффициенту трения скольжения.
|
үйкеліс бұрышы / angle of friction, angle of repose — тангенсі сырғанау үйкелісінің коэффициентіне тең бұрыш.
|
угол смачивания / marginal angle — угол между поверхностью тела и касательной плоскостью к искривленной поверхности жидкости в точке ее контакта с телом; характеризуется межмолекулярным взаимо-действием на границе соприкосновения твердого тела, жидкости и газа.
|
|
