Фоно́н
Phonon
Квазичастица, сопоставляемая волне смещения атомов (ионов) и молекул из положения равновесия. Представляет собой квант колебательного движения атомов кристалла. Концепция фонона оказалась очень плодотворной в физике твёрдого тела. В кристаллических материалах атомы активно взаимодействуют между собой, и рассматривать в них такие термодинамические явления, как колебания отдельных атомов, затруднительно — получаются огромные системы из триллионов связанных между собой линейных дифференциальных уравнений, решить которые прямыми методами невозможно. Колебания атомов кристалла заменяются распространением в веществе системы звуковых волн, квантами которых и являются фононы. Спин фонона равен единице (в единицах h). Фонон принадлежит к числу бозонов и описывается статистикой Бозе-Эйнштейна. Фононы и их взаимодействие с электронами играют фундаментальную роль в современных представлениях о физике сверхпроводников. При температуре T=0 K число фононов равно нулю, а при повышении температуры оно возрастает пропорционально T3.
Фонон
Phonon
Кристалл торындағы атомдар (иондар) мен молекулалардың тепе-теңдік күйінен ығысу толқынына сәйкес квазибөлшек. Кристалл атомдарының тербелмелі қозғалысының кванты болып табылады. Фонон тұжырымдамасы қатты дене физикасында өте жемісті болды. Кристалл материалдарда атомдар өзара белсенді әрекеттеседі, және оларда жекелеген атомдардың тербелісі сияқты термодинамикалық құбылыстарды зарттеу өте қиын. Себебі, пайда болған өте үлкен триллиондаған сызықты дифференциалды теңдеулерден тұратын өзара байланысқан жүйелерді тікелей әдістер арқылы шешу мүмкін емес. Кристалдағы атомдардың тербелісі заттағы дыбыстық толқындар жүйесінің таралуымен алмастырылады, ал фонондар осы толқындардың кванты болып табылады. Фононның спині бірге тең (һ бірлігінде). Фонон бозондарға жатады және Бозе-Эйнштейн статистикасымен сипатталады. Фонондар мен олардың электрондармен өзара әсерлесуі асқын өткізгіштер физикасындағы қазіргі көзқарастарда іргелі рөл атқарады. T=0K температурада фонондар саны нолге тең, ал температура жоғарылаған сайын ол T3 пропорционал өседі.
|
Форвакуум
Forevacuum
Вакуумное состояние газа в интервале давлений 102-10-1Па. Создается в ваку-умных системах форвакуумными насосами перед включением высоковакуумных насос-ов и поддерживается на выпуске последних.
|
Форва́куум
Forevacuum
Газдың 102-10-1Па қысым аралығындағы вакуумдық күйі. Вакуумдық жүйелерде форвакуумдық насостардың көмегімен жоғары вакуумдық насостарды қосудың алдында жасалады.
|
Формоизменение электромагнитное
Electromagnetic forming
Процесс формирования металла прямым приложением интенсивного кратковремен-ного магнитного поля. Заготовка формиру-ется без механического контакта прохожде-нием импульса электрического тока через формообразующий виток. Также известно как магнитно-импульсное формоизменение.
|
Электромагнитті пішінді өзгеріс
Electromagnetic forming
Металдың қарқынды қысқа мерзімді магнит өрісін тура түсіру арқылы қалыптастыру процесі. Дайындық механикалық жанасусыз пішін түзетін орам арқылы электр тогы импулсінің өтуі нәтижесінде қалыптасады. Сондай-ақ магнитті-импульстік пішін өзгерту деген атпен де белгілі.
|
Фо́рмула Ле́нгмюра (зако́н трех вторы́х)
Langmuir equation
Аналитическая зависимость электрического тока между двумя электродами в вакууме от разности потенциалов между ними. Кон-кретный вид формулы зависит от формы электродов и геометрии межэлектродного пространства, но при всех простых геомет-риях (и в ряде более сложных конфигур-аций) из неё следует, что ток пропорци-онален напряжению в степени три вторых.
|
Ле́нгмюр формуласы (екіден үш заңы)
Langmuir equation
Вакуумдағы екі электрод арасындағы электр тогының ондағы потенциалдар айырмасына аналитикалық тәуелділігі. Формуланың нақты түрі электрод формасына және электрод аралық кеңістіктің геометриясына тәуелді, алайда қарапайым геометрияда ток кернеудің екіден үш дәрежесіне пропорционал болады.
|
Фо́рмула Резерфо́рда
Rutherford euqation
Формула для эффективного поперечного сечения рассеяния нерелятивистских заря-женных точечных частиц, взаимодейств-ующих по закону Кулона; получена Э. Резерфордом в 1911г.
|
Резерфо́рд формуласы
Rutherford euqation
Кулон заңы бойынша әсерлесетін, релятивистік емес нүктелік зарядталған бөлшектердің шашырауының тиімді көлденең қимасына арналған формула. 1911 жылы Э.Резерфорд алған.
|
Формфа́ктор
Shape factor
Функция, характеризующая пространственное распределение электрического заряда или магнитного момента внутри атомного ядра, или элементарной частицы.
формфактор атомный / atomic shape factor — характеризует рассеивающую способность атома в элементарной ячейке.
|
Формфа́ктор
Shape factor
Атом ядросының ішіндегі немесе элементар бөлшектегі электр заряды немесе магнит моментінің кеңістіктік таралуын сипаттайтын функция.
атомдық формфактор / atomic shape factor — элементар ұяшықтағы атомның шашырату қасиетін сипаттайды.
|
Фотоиониза́ция
Photodetachment, photoionization
Ионизация атома или молекулы, находящихся в свободном или связанном состоянии, под действием квантов электромагнитного поля.
См также ионизация.
|
Фотоиондалу
Photodetachment, photoionization
Еркін немесе байланысқан күйдегі атом немесе молекуланың электромагниттік өріс кванты әсерінен иондалуы.
Сон. қ. қараңыз: иондалу.
|
Фотокатализ
Photocatalysis
Ускорение химической реакции, обусловленное совместным действием катализатора и облучения светом. Для кинетики фотокаталитических реакций характерны те же закономерности, что и для каталитических и фотохимических реакций (см. реакция фотохимическая). Особенность фотокаталитических реакций состоит в том, что раздельное действие света или катализатора не оказывает значительного влияния на скорость реакции. Фотокатализ широко распространен в природе.
|
Фотокатализ
Photocatalysis
Катализатор мен жарық сәулесінің бірлескен әсері кезіндегі химиялық реакцияның үдетілуі. Фотокатализдік реакция кинетикасына катализдік және фотохимиялық реакциядағыдай (қараңыз: фотохимиялық раекция) заңдылықтар тән. Фотокатализдік реакцияның ерекшелігі катализатордың немесе жарықтың жеке-жеке әсері реакцияның жылдамдығына айтарлықтай әсер етпейтіндігінде. Фотокатализ табиғатта кеңінен таралған.
|
Фотокатод - см. ст. катод.
|
Фотокатод - қара. ст. катод.
|
Фотолак
Photolacquer
Фотолак (или резист) является веществом, которое при облучении светом изменяет свою структуру. Различают позитивные и негативные лаки. В случае позитивных лаков засвеченные области растворяются с помощью соответствующего проявляющего раствора. Для негативных имеет место обратная картина. Фотолаки используются, в частности, в микроэлектронике и микросистемной технике для изготовления малых структур в микронном и субмикронном диапазонах размеров.
|
Фотолак
Photolacquer
Фотолак (немесе резист) жарықпен сәулелену кезінде өзінің құрылымын өзгертетін зат. Олар позитивті және негативті лактар деп ажыратылады. Позитивті лактар жағдайында жарқыраған облыстар сәйкес көрінетін ерітіндінің көмегімен ериді. Негативті лактар үшін кері жағдай орын алады. Көбінесе фотолактар микроэлектроника мен микрожүйелік техникада шамалардың микронды және субмикронды диапазондарында шағын құрылымдарды жасау үшін қолданылады.
|
Фото́лиз
Photolysis
Разложение твёрдых, жидких и газообразных веществ под действием света.
|
Фото́лиз
Photolysis
Жарықтың әсерімен қатты, сұйық және газ тәрізді заттардың жіктелуі.
|
фотолиз импульсный / pulse photolysis — метод исследования быстрых химических реакций и их короткоживущих продуктов (время жизни от 10-12 до единиц с). Основан на возбуждении молекул коротким световым импульсом и регистрации образующихся возбужденных состояний молекул и короткоживущих продуктов их превращений. В качестве источников света используют: импульсные лампы с излучением в ближнем УФ, видимом и ближнем ИК диапазонах (время вспышки 10-6 – 10-3 с, энергия излучения до 103 Дж); импульсные лазеры с модулированной добротностью, дающие узкие спектральные линии с возможностью перестройки длины волны — обычно жидкостные лазеры на органических соединениях или газовые эксиплексные лазеры (длительность импульса 10-8-10-7 с, энергия импульса 10-3-1 Дж); импульсные лазеры с синхрон-изацией мод (длительность импульса 10-12 – 10-11 с, энергия импульса 10-5-10-3 Дж). Необходимая энергия возбуждающего импульса в области поглощения исследу-емого вещества составляет от 10-5 до 1 Дж в зависимости от квантового выхода фото-превращения, облучаемой площади образца и метода регистрации.
|
импульсті фотолиз / pulse photolysis — жылдам химиялық реакцияларды және олардың өмір сүру ұзақтығы қысқа өнімдерін (өмір сүру уақыты 10-12 -1 с аралығындағы) зерттеу әдісі. Қысқа жарық импульсімен молекуланы қоздырып және қозған молекула күйі мен пайда болған қысқа өмір сүретін өнімдерін тіркеуге негізделген. Жарық көзі ретінде қолданылатындар құралдар: жақын УК сәулелі, көрінетін және жақын ИК диапазондағы (жарқырау уақыты 10-6 – 10-3 с, сәуле шығару энергиясы 103 Дж-ға дейін) импульсті шамдар, толқын ұзындығын қайта түзету мүмкіндігіне ие жіңішке спектрлік сызықтар беретін импульстік лазерлер, әдетте, сұйықтықтық лазерлер, (импульстің ұзақтығы 10-8-10-7 с, импульс энергиясы 10-3-1 Дж); модалары синхрондалатын импульстік лазерлер (импульс ұзақтығы 10-12 – 10-11 с, импульс энергиясы 10-5-10-3 Дж). Зерттелетін заттың жұту облысында спектр алу үшін қажетті қоздырушы энергия шамасы фотоауысудың шығуына, заттың сәулеленетін бетінің ауданына және тіркеу әдісіне байланысты 10-5 бастап 1 Дж дейінгі аралықтағы мәнге ие.
|
Фотолитогра́фия
Photolithography
Способ формирования изделий различного типа с использованием светочувствитель-ных материалов. В электронике фотоли-тография используется для формирования рельефного рисунка в слое металла, диэлек-трика или полупроводника с применением фоторезисторов и источников УФ- излучен-ия в процессе изготовления интегральных схем и других электронных устройств.
|
Фотолитогра́фия
Photolithography
Жарыққа сезімтал материалдарды қолдана отырып әртүрлі бұйымдарды түзу әдісі. Электроникада фотолитография металл, диэлектрик немесе жартылай өткізгіш қабатында интегралды сұлбалар және басқа да электронды қондырғыларды дайындау процесінде фоторезисторларды және УК-сәулелерінің көзін қолдана отырып бедерлі суреттер салуда қолданылады.
|
Фотолюминесце́нция
Photoluminescence
Люминесценция, возникающая под действием ультрафиолетового или видимого излучения.
См. также люминесценция.
|
Фотолюминесце́нция
Photoluminescence
Ультракүлгін немесе көрінетін сәуленің әсерінен пайда болатын люминесценция.
Сон. қ. қараңыз: люминесценция.
|
Фото́н
Photon (от греч. phos, род.пад. photos — свет) Элементарная частица, квант электромагнитного излучения.
|
Фото́н
Photon (гр. phos, ілік сеп. photos — жарық)
Электромагниттік өрістің кванты, элементар бөлшек.
|
Фотоокисление
Photooxidation, photochemical oxidation
Окислительно-восстановительная фотохимическая реакция. Суть фотоокис-ления составляет перенос электрона от возбужденной молекулы донора D к невозбужденной молекуле акцептора А. Фотоокисление состоит из нескольких стадий и начинается с поглощения донором квантов света, которое приводит к переходу электрона с высшей занятой молекулярной орбитали на низшую свободную молекулярную орбиталь, и образованию возбужденных частиц D*. В присутствии невозбужденных молекул А электрон переходит от донора D* к акцептору А. В результате происходит окисление донора D*, энергетически невозможное для обычного термического (темнового) пере-носа электрона от донора к акцептору. При переносе электрона между D* и А образуются радикальные продукты D+* (D*) в том случае, если в качестве донора выступает нейтральная молекула D или анион D-, либо продукты неради-кальной природы D(D+), если донором электрона является анион-радикал D* или нейтраль-ный радикал D. Соответственно, радикаль-ные или нерадикальные продукты образу-ются из акцептора (подробнее см. фото-перенос электрона).
|
Фотототығу
Photooxidation, photochemical oxidation
Тотықтыру-қалпына келтіру фотохимиялық реакциясы. Фотототығуда қозған D донордағы молекула электронын қозбаған А акцептор молекуласына тасымалдау процесі жүзеге асады. Фотототығу бірнеше кезеңдерден тұрады және ол донордың жарық квантын жұтып, электронның жоғары молекулалық орбитальдан төменгі бос молекулалық орбитальге ауысуы нәтижесінде қозған D* бөлшектердің түзілуінен басталады. Қозбаған А молекулалар бар болғандықтан электрон D* донордан А акцепторға беріледі. Нәтижесінде D* донродың тотығу процесі жүзеге асады. Мұндай процесс электронның донордан акцепторға қарапайым жылулық ауысуы кезінде энергиялық тұрғыдан мүмкін емес.
Егер донор ретінде D бейтарап молекуласы немесе D- анионы болса немесе табиғаты жағынан радикал емес өнімдер D(D+) болса электронның D* және А арасында тасымалдануы кезінде D+* радикал өнімдері туындайды. Сәйкесінше, радикал немесе радикал емес өнімдер акцепторлардан пайда болады (анығырақ электронның фото-тасымадануын қараңыз).
|
Фотополимеризация
Photopolymerization
Образование полимеров под действием света, главным образом, УФ излучения. Осуществляется в газовой, жидкой и твердой фазах. К фотополимеризации относят все фотохимические процессы получения полимеров независимо от их механизма – цепного (полимеризационного) или ступенчатого (поликонденсационного). В первом случае свет служит только для инициирования реакции, которая далее развивается как обычная полимеризация. Во втором случае каждый акт роста цепи требует поглощения кванта света.
При цепной фотополимеризации излучение может поглощаться непосредственно молекулами мономера или инициатора, или молекулами других веществ (так называкмых сенсибилизаторов), которые затем передают молекулам мономера или инициатора энергию излучения.
При сенсибилизации фотополимеризации в газовой фазе используют пары Hg, кетоны и др., в жидкой фазе – различные красители, многоядерные ароматические соединения, карбонилы, соли и ацетилацетонаты переходных металлов и др.
В промышленности применяют главным образом цепную фотополимеризацию, например, для получения оптически однородных изделий (органическое стекло и др.) и некоторых стереорегулярных полимеров. Получают распространение фотополимеризация в тонких пленках для отверждения покрытий, изготовления печатных форм, микросхем и т. п. В лабораторной практике фотополимер-изацию используют для определения элементарных констант скорости радикальных реакций.
|
Фотополимерлену
Photopolymerization
Полимердің жарықтың, негізінен УК сәуленің, әсерінен пайда болуы. Газ, сұйық және қатты фазаларда жүзеге асырылады. Фотополимерлеуге алу механизмдеріне тәуелсіз, тізбекті (полимерлеу) немесе баспалдақты (жартылай конденсацияланған), полимерлер алудың барлық, фотохимиялық процестері жатады. Бірінші жағдайда жарық ары қарай қарапайым полимерлену тәрізді дамитын реакцияны қоздыру үшін қажет. Екінші жағдайда тізбектің әрбір өсу актісі жарық квантын жұтуды қажет етеді.
Тізбекті фотополимерлену кезінде сәуле мономер немесе қоздырғыш молекуласымен немесе кейіннен сәуле энергиясын мономер немесе қоздырғыш молекуласына беретін басқа заттың молекуласымен (сенсибилизаторлармен) жұтылуы мүмкін. Фотополимердің сенсибилизациясы кезінде газ фазасында Hg, кетондар және т.б. булары қолданылады, сұйық фазада - әр түрлі бояғыш заттар, көп ядролы ароматты қосылыстар, карбонилдер, тұздар және ауыспалы металдардың ацетилацетонаты және т.б. қолданылады.
Өнеркәсіпте негізінен тізбекті фотополимерлеу қолданады, мысалы, біртекті оптикалық бұйымдарды (оргникалық шыныны және т.б.) және бірқатар стереожүйелі полимерлерді алу үшін қолданылады. Жұқа пленкаларда фотополимеризацияның таралуын баспа формаларын, микросхемаларды жасау үшін алады. Зертханаларда іс жүзінде фотополимеризациялауды радикал реакциялардың жылдамдықтарының элементар тұрақтыларын анықтау үшін пайдаланады.
|
Фотолюминесценция - см. ст. люминесценция.
|
Фотолюминесценция - қара. ст. люминесценция.
|
Фотоперенос протона
Phototransfer of proton
Одна из элементарных реакций фотохимических (см. ст. реакция), заключающаяся в передаче протона от молекулы-донора к молекуле-акцептору, причем одна из этих молекул находится в электронно-возбужденном состоянии (синглетном и триплетном).
|
Протонның фототасымалдануы
Phototransfer of proton
Екі молекуланың біреуі электронды-қозған күйде (синглетті және триплетті) болатын, протонды молекула-донордан молекула-акцепторға беруге негізделетін, элементарлы фотохимиялық реакциялардың (қара. ст. реакция) бірі.
|
Фотоперенос электрона
Phototransfer of electron
Перенос электрона под действием света от молекулы – донора к молекулы акцептору; одна из наиболее распространенных реакций фотохимических (см. ст. реакция).
|
Электронның фото тасымалдануы
Phototransfer of electron
Жарықтың әсерінен электронның молекула-донорынан молекула-акцепторға тасымал-дануы; фотохимиялық реакциялардың (қара. ст. реакция) ішіндегі кең таралғаны.
|
Фотополимеризация – см. ст. полимеризация.
|
Фотополимеризация – қара. ст. полимеризация.
|
Фотопроводимость - см. ст. проводимость электрическая.
|
Фотоөткізгіштік - қара ст. электрлі өткізгіштік.
|
Фоторезисты
Photoresist lacquer, photoemulsion, photoresist, photo resist, resist
Светочувствительные материалы, примен-яемые в фотолитографии для формиро-вания рельефного покрытия заданной конфигурации и защиты нижележащей поверхности от воздействия травителей. Фоторезисты обычно представляют собой композиции из светочувствительных органических веществ, пленкообразова-телей (фенол-формальдегидные и др. смолы), органических растворителей и специальных добавок. Характеризуются светочувствительностью, контрастностью, разрешающей способностью и теплостой-костью. Область спектральной чувствитель-ности фоторезистов определяется наличием в светочувствительных органических веще-ствах хромофорных групп, способных к фотохимическим превращениям, и областью пропускания пленкообразователя.
По спектральной чувствительности разли-чают Ф. для видимой области спектра, ближнего (320-450 нм) и дальнего (180-320 нм) УФ излучения, по характеру взаимо-действия с излучением делят на позитивные и негативные. Фоторезисты могут быть жидкими, сухими и пленочными. Жидкие содержат 60-90% по массе органического растворителя, пленочные - менее 20%, сухие обычно состоят только из светочувствительного вещества. Жидкие фоторезисты наносят на подложку (см. Технология планарная) центрифугиро-ванием, напылением или накаткой валиком, сухие — напылением и возгонкой, пленоч-ные — накаткой. Последние имеют вид пленки, защищенной с двух сторон тонким слоем светопроницаемого полимера, напри-мер, полиэтилена. В зависимости от метода нанесения формируют слои толщиной 0,1-10 нм; наиболее тонкие слои (0,3-3,0 мкм) формируют из жидких фоторезистов методом центрифугирования.
|
Фоторезистер
Photoresist lacquer, photoemulsion, photoresist, photo resist, resist
Фотолитографияда берілген конфигура-циядағы және астыңғы бетті әр түрлі өңдегіштерден сақтауға арналған бедерлі жабынды қалыптастыру үшін қолданылатын жарық сезгіш материал. Фоторезистер әдетте жарық сезгіш органикалық заттардан, қабыршық түзгіштерден (фенолфор-мальдегидті және басқа да шайырлардан) органикалық ерітінділерден және арнайы қоспалардың композициясынан тұрады. Жарық сезгіштігімен, контрастілігімен, айыру қабілетімен және жылуға төзімділігімен ерекшеленеді. Фоторезис-тердің спектрлік сезгіштігі жарық сезгіш органикалық заттарда фотохимиялық түрленулерге бейім хромофорлы топтардың болуымен және қабыршық түзгіште өткізу облысымен анықталады.
Спектрлік сезімталдығына қарай спектрдің көріну облысына, жақын (320-450нм) және алыс (180-320нм) УК сәулелер облысына арналған фоторезистер деп, ал сәулелермен әсерлесуі бойынша позитивті және негативті деп бөледі. Фоторезистер сұйық, құрғақ және қабыршақты болуы мүмкін. Сұйық фоторезистер массасының 60-90%, қабыршықтының - 20% органикалық ерітіндіден, ал құрғақ фоторезистер тек жарық сезгіш заттардан тұрады. Сұйық фоторезисторларды бетке центрифугалау немесе тозаңдау, т.б. арқылы, құрғақтарын тозаңдау, пленка тәрізділерді орау арқылы жағады. Соңғылары екі жағынан жарық өткізетін полимермен, мысалы поли-этиленмен, қапталған пленкадан тұрады. Жағу әдісіне байланысты қалыңдықтары 0,1-10 нм қабаттар түзіледі, анағұрлым жұқа (0,3-3,0 мкм) қабаттар центрифугирлау арқылы сұйық фоторезисторлардан алынады.
|
Фотохимия
Photochemistry
Наука о химических превращениях веществ под действием электромага, излучения - ближнего ультрафиолетового (~ 100-400 нм), видимого (400-800 нм) и ближнего инфракрасного (0,8 - 1,5 мкм) излучений.
|
Фотохимия
Photochemistry
Заттардың электромагниттік сәулелердің, жақын ультракүлгін (~ 100-400 нм), көрінетін (400-800 нм) және жақын инфрақызыл (0,8 - 1,5 мкм) сәулелердің, әсерінен химиялық түрленуі туралы ғылым.
|
Фотохимия лазерная – см. ст. химия лазерная.
|
Лазерлік фотохимия – сонымен қатар қараңыз лазерлік химия.
|
Фотоэлектрохимия
Photoelectrochemistry
Изучает процессы взаимного преобра-зования световой и электрич. энергии в системе электрод - электролит. Наиболее распространены процессы преобразования энергии света в химическую и электрическую энергию, сопровождаю-щиеся протеканием фототока в цепи освещаемой электрохимической ячейки, т.е. фотоэлектрохимической реакции. Обратный процесс — испускание света при прохож-дении электрического тока через ячейку — может иметь природу электрохемилю-минесценции, газового разряда в зазоре между электродом и электролитом и т. д. В широком смысле фотоэлектрохимия вклю-чает описание любых изменений на границе раздела электрод - электролит при осве-щении, в т. ч. и в отсутствие тока, например, возникновения фотопотенциала и фотоемкости идеально поляризуемого элек-трода (см. слой двойной электрический).
|
Фотоэлектрохимия
Photoelectrochemistry
Электрод – электролит жүйесіндегі жарық және электр энергиясының өзара түрлену процесін зерттейді. Жарық энергиясының химиялық немесе электрлік энергиясына түрленуінің аса кең тараған түрі электрохимиялық ұяшықпен жарықтандыр-ылатын тізбекте фототоктың ағып өтуімен, яғни фотоэлектрохимиялық реакциямен бірге жүретін процесс. Оған кері процесс –– электр тогының ұяшық арқылы өтуі кезіндегі жарық шығаруы - электролит және электрод арасындағы саңылаудағы газ разрядындағы электрохемилюминесценция табиғатына ие болуы мүмкін. Кең мағынада фотоэлектрохимия жарықтандыру кезіндегі электрод – электролиттің бөліну шекара-сындағы кез-келген өзгерісті сипаттайды, сондай-ақ, ток жоқ кезде де, мысалы, идеал поляризацияланатын электродта фотопо-тенциал мен фотосыйымдылықтың пайда болуы (қараңыз: қос электрлік қабат) .
|
|
